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公开(公告)号：CN105488759A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510902909.0
申请日：2015-12-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06T3/40
CPC classification number: G06T3/4053
Abstract: 本发明公开一种基于局部回归模型的图像超分辨率重建方法，首先，对输入低分辨率图像，高斯低通滤波得到其低频带图像，双立方插值得到输出高分辨率图像的近似低频带图像。其次，重建时对高分辨率图像的低频带图像中每个图像块应用一阶回归模型，回归模型中高/低图像间的映射函数可对输入图像通过机器学习的方法得到，即利用输入低分辨率图像及其低频带图像对应位置采样得到对应位样本图像块对进行字典训练。最后，重建图像块的非局部自相似块分别应用一阶回归模型，加权综合得到重建的高分辨率图像块。本发明所提出方法无需利用外部图像模型，而是利用输入图像自身学习得到先验模型，依此模型重建出的高分辨图像取得了较好的主客观重建效果。
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公开(公告)号：CN102593362A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210039497.9
申请日：2012-02-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于1,3,4,5,6,7-hexaphenyl-2-3’-(9’-ethylcarbazolyl)-isoindole[HPCzI]材料的有机太阳能电池结构。该结构由下至上依次包括：衬底、阳极、阳极缓冲层、空穴传输层、混合光活性层、电子传输层、阴极缓冲层和阴极组成。其中所述的衬底采用石英片、玻璃片、聚苯乙烯或聚乙烯等透明材料，阳极采用功函数大于阴极的金属、金属氧化物、炭黑或导电聚合物等，阳极缓冲层和空穴传输层为HPCzI，混合光活性层由有机给体材料与有机受体材料混合而成，如：CuPc或ZnPc混合C60或PCBM，电子传输层采用C60或其他有机电子传输材料，阴极缓冲层为TPBi、BCP、BPhen、LiF等，阴极采用功函数相对阳极较低的金属或金属合金。除阳极外各层可采用真空蒸镀、喷涂、打印等各种沉积有机薄膜的方法制备。本发明可提高有机太阳能电池的功率转换效率。
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公开(公告)号：CN110837149A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201911132410.0
申请日：2019-11-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02B6/35
Abstract: 本发明公开了一种面向可见光通信的集成式可控开关型平面波导分路器及制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的氮化物层，氮化物层上设置有作为光源的微LED器件、带有波导的MEMS静电梳齿驱动器、平面波导分路器和用于通电的镍/金电极。本发明体积小，具有高度的集成性，能够实现自由操控平面波导分路器与光源的切断与连通，可应用于光通信网络中，提升可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107104169B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201710240402.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 南京邮电大学
Inventor： 李欣 , 王永进 , 施政 , 其他发明人请求不公开姓名
IPC: H01L31/147 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层，硅衬底层部分掏空，形成悬空部位，悬空部位上方的顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件，N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件，所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。本发明器件设备体积小，能够实现水下高性能高速双向可见光通信。
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公开(公告)号：CN103972789B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410134928.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法，光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层，氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂，非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔，使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空，非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接，实现微腔内部光全反射传播，最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。
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公开(公告)号：CN103626115B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310107025.7
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供超薄氮化物微纳静电驱动器及其制备方法，该方法能够解决厚膜氮化物悬空器件的加工问题，获得厚度可控的超薄氮化物微纳静电驱动器。该氮化物微纳静电驱动器实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用电子束曝光技术定义微纳静电驱动器，并采用离子束轰击或反应离子束刻蚀方法在氮化物器件层实现器件结构；结合光刻技术，定义隔离槽，并采用反应离子束刻蚀方法刻蚀氮化物器件层至硅衬底；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除微纳静电驱动器下方硅衬底层，采用氮化物背后减薄刻蚀技术，实现驱动器固定部分和可移动部分的分离，获得硅衬底超薄氮化物微纳静电驱动器。
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公开(公告)号：CN103811598A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310672969.9
申请日：2013-12-12
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B6/124 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜，包括硅衬底层，设置在硅衬底层上的氮化物层，以及外延生长在氮化物层上的氧化铪薄膜层。硅衬底层具有一个贯穿至氮化物层下表面的长方体空腔；氮化物层位于空腔上部的悬空部分从其下表面进行减薄处理；氮化物层和氧化铪薄膜层位于空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构。本发明还公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件的制备方法，该器件实现了激发光和纳米结构之间的交互作用，并且便于与硅基微电子加工技术集成，实现集成式硅基光电子系统。
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公开(公告)号：CN103630966A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107094.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物光波导器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物器件层和位于顶层氮化物器件层下部的硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，利用氮化物器件层和空气的折射率差异，实现悬空氮化物光波导器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件结构，结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除氮化物光波导器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物光波导器件；进一步的可以采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得厚度可控的氮化物光波导器件，降低光波导器件的模式损耗。
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