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公开(公告)号：CN119698121A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411783010.7
申请日：2024-12-05
Abstract: 本申请公开了一种位置敏感探测器及其制备方法及光斑定位方法，涉及半导体器件技术领域，包括：半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；外延层，外延层位于半导体衬底的第一表面上；四边形的光敏区域，光敏区域位于外延层背离半导体衬底的一侧表面内；光敏区域与外延层中的一者为N型掺杂，另一种为P型掺杂；与光敏区域掺杂类型相同的边框掺杂区域，边框掺杂区域位于外延层背离半导体衬底的一侧表面内，且位于光敏区域的周缘；边框掺杂区域具有与四边形的顶点一一对应的边框顶角；多个输出电极，输出电极位于边框掺杂区域背离半导体衬底的一侧表面上，边框顶角的表面上分别设置有一个输出电极；底电极，底电极覆盖第二表面。
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公开(公告)号：CN119451161A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411671633.5
申请日：2024-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H10D30/47 , H10D30/01 , H10D62/10 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供了一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaN HEMT及其制备方法，属于半导体技术领域。包括衬底层、氮化镓层、钝化层、沟道层、势垒层和电极结构层，电极结构层包括栅极结构以及设置于栅极结构两侧的源极结构和漏极结构，栅极结构呈条状且沿第一方向设置于势垒层上方，源极结构和漏极结构与沟道层连接，栅极结构和漏极结构之间设置有成组布置的多个矩形P型氮化镓层，成组布置的多个矩形P型氮化镓层沿第一方向均匀间隔布置且通过金属线连接，金属线顶部连接有负电位极，势垒层到负电位极之间的区域填充有介质层。能够解决传统HEMT因辐照后发生空穴积聚而影响器件正常开关能力和过电压鲁棒性退化的技术问题。
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公开(公告)号：CN119451160A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411671631.6
申请日：2024-11-21
Applicant: 南京大学
IPC: H10D30/47 , H10D30/01 , H10D62/10 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供了一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法，属于半导体技术领域，包括自下而上设置的衬底层和氮化镓层，氮化镓层上表面的有源区自下而上依次设置有有源区氮化镓层、势垒层、第一介质层和第二介质层，第二介质层上方表面设有条状的栅极金属层；在栅极金属层中设有多个不同深度的刻蚀孔，不同深度的刻蚀孔中设有不同的肖特基金属层，其中刻蚀孔较深的肖特基金属层与栅极金属层互联，刻蚀孔较浅的肖特基金属层均在栅极金属层上方相连接，不仅使因辐照感生界面态电荷能通过较浅刻蚀孔中肖特基金属层抽取出晶体管，还能使在栅极积累的载流子通过较深刻蚀孔中的肖特基金属层流出，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。
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公开(公告)号：CN118280961B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410708841.1
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/544 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/367 , H01L21/683 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种用于辐照特性测试的宽禁带半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体结构包括基板和宽禁带半导体部，基板上设置有金属盘；宽禁带半导体部包括层叠布置的氮化镓层、势垒层和P型氮化镓层，P型氮化镓层上设置有栅极金属层、源极欧姆金属层和漏极欧姆金属层，源极欧姆金属层上方设有互联金属层和源极顶部金属层，漏极欧姆金属层上方设有互联金属层和漏极顶部金属层，源极顶部金属层、漏极顶部金属层和氮化镓层之间填充有隔离介质层，宽禁带半导体部设置于基板上方并通过栅极、源极和漏极顶部金属层与金属盘连接。能够解决现有技术中宽禁带半导体结构在进行辐照特性试验时辐照特性测试的效果差的问题。
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公开(公告)号：CN118335789A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410751811.9
申请日：2024-06-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/66 , H01L21/335 , G01N21/66
Abstract: 本发明公开一种用于辐照损伤检测的GaN HEMT器件及其检测和制作方法，属于半导体辐照损伤检测分析领域。本发明在势垒层顶面设有p型氮化镓层，p型氮化镓层内外两侧的氮化镓层顶面分别设有漏极和源极，p型氮化镓层顶面设有肖特基金属层，p型氮化两侧的势垒层顶面分别设有第一欧姆金属层和第二欧姆金属层，第二欧姆金属层包括互为叉指的内齿轮电极和外齿轮电极。本发明采用电致发光对辐照前后的GaN HEMT器件在垂直方向与水平方向上分别采集发光波长、强度和区域的数据，对辐照前后的两组数据进行比对分析，确认缺陷在各自区域产生的类型。本发明能够从不同维度监测GaN HEMT器件在辐照前后的变化，从而识别缺陷在器件各层及区域的产生类型和分布情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118280961A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410708841.1
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L23/544 , H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/367 , H01L21/683 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种用于辐照特性测试的宽禁带半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体结构包括基板和宽禁带半导体部，基板上设置有金属盘；宽禁带半导体部包括层叠布置的氮化镓层、势垒层和P型氮化镓层，P型氮化镓层上设置有栅极金属层、源极欧姆金属层和漏极欧姆金属层，源极欧姆金属层上方设有互联金属层和源极顶部金属层，漏极欧姆金属层上方设有互联金属层和漏极顶部金属层，源极顶部金属层、漏极顶部金属层和氮化镓层之间填充有隔离介质层，宽禁带半导体部设置于基板上方并通过栅极、源极和漏极顶部金属层与金属盘连接。能够解决现有技术中宽禁带半导体结构在进行辐照特性试验时辐照特性测试的效果差的问题。
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公开(公告)号：CN117238990A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311185038.6
申请日：2023-09-14
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种4H‑SiC极紫外探测与雪崩光电探测器，其本征层包括从下到上依次相接的光吸收层、电荷控制层和光生载流子漂移层，4H‑SiC极紫外探测与雪崩光电探测器台面自上而下的刻蚀深度至少至电荷控制层，但不超过电荷控制层。本发明通过小面积载流子漂移区与大面积光子吸收区相结合的方式，在保证4H‑SiC极紫外探测与雪崩光电探测器光电探测能力的同时，有效降低了器件的电容，并减小了的雪崩光电探测器的雪崩区域，增强了其雪崩击穿均匀性，有效提升了器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN113054969B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110255008.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 南京大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓三极管栅极驱动电路及其控制方法，栅极驱动电路包括驱动电路和输出电路；驱动电路包含电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块；电源模块、变换器模块、半桥模块和调压模块串联；半桥模块、调压模块和输出电路构成正栅压控制电路和负栅压控制电路。本发明将栅极电压信号范围扩宽为‑20V到20V，满足了增强型和耗尽型氮化镓三极管的驱动需求，同时正栅压控制电路和负栅压控制电路互不干扰，确保了安全高可靠操作，并且仅需单电源V1供电，电路设计简单。
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公开(公告)号：CN116093143A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211239583.4
申请日：2022-10-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种集成MISFET栅控功能和场板功能的氮化镓肖特基二极管，包括依次相接的衬底层、氮化镓层和势垒层；氮化镓层和势垒层部分区域被移除形成凹槽区域，凹槽区域内设有呈局域分布的绝缘层和欧姆金属层；凹槽区域外势垒层上方设有绝缘层和欧姆金属层；凹槽区域内绝缘层和欧姆金属层上方设有肖特基金属层；凹槽区域外绝缘层上方设有肖特基金属层，肖特基金属层、势垒层以及欧姆金属层上方设有钝化层；凹槽区域内，肖特基金属层、绝缘层以及氮化镓层形成金属‑绝缘层‑半导体场效应晶体管MISFET栅控结构；凹槽区域外，绝缘层与肖特基金属层形成场板结构。本发明降低了器件的开启电压，提升了其击穿电压和减小了漏电流，提升了器件电学性能。
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公开(公告)号：CN115312616A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211094096.3
申请日：2022-09-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/20 , H01L31/105 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种全平面离子注入倾斜高阻终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为离子注入倾斜高阻终端。本发明终端通过高温光刻胶回流与离子注入工艺形成一种倾斜高阻终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面钝化层/SiC界面缺陷态多、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。
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