公开(公告)号：CN118275849B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410704305.4

申请日：2024-06-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  周天扬 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，涉及宽禁带半导体辐照特性测试领域，所述装置包括光路耦合系统、电路测试系统、温度控制系统和交互控制系统；光路耦合系统控制激光入射参数，反馈待测宽禁带功率器件表面形貌的图像；电路测试系统监测待测宽禁带功率器件在辐照前后的电学特性、捕获辐照瞬态脉冲电流及进行动态开关测试；温度控制系统控制待测宽禁带功率器件的环境真空度和温度；交互控制系统发送测试指令，并采集反馈测试数据和图像。本发明实现了对宽禁带功率器件的辐照敏感区域定位、辐照瞬态电流测试、辐照敏感条件测试以及辐照退化测试，具有实验便捷、操作简单、自动化测试及测试结果全面准确等优点。

公开(公告)号：CN118275849A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410704305.4

申请日：2024-06-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  周天扬 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，涉及宽禁带半导体辐照特性测试领域，所述装置包括光路耦合系统、电路测试系统、温度控制系统和交互控制系统；光路耦合系统控制激光入射参数，反馈待测宽禁带功率器件表面形貌的图像；电路测试系统监测待测宽禁带功率器件在辐照前后的电学特性、捕获辐照瞬态脉冲电流及进行动态开关测试；温度控制系统控制待测宽禁带功率器件的环境真空度和温度；交互控制系统发送测试指令，并采集反馈测试数据和图像。本发明实现了对宽禁带功率器件的辐照敏感区域定位、辐照瞬态电流测试、辐照敏感条件测试以及辐照退化测试，具有实验便捷、操作简单、自动化测试及测试结果全面准确等优点。

公开(公告)号：CN116093143A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211239583.4

申请日：2022-10-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  周天扬 ,  周峰 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种集成MISFET栅控功能和场板功能的氮化镓肖特基二极管，包括依次相接的衬底层、氮化镓层和势垒层；氮化镓层和势垒层部分区域被移除形成凹槽区域，凹槽区域内设有呈局域分布的绝缘层和欧姆金属层；凹槽区域外势垒层上方设有绝缘层和欧姆金属层；凹槽区域内绝缘层和欧姆金属层上方设有肖特基金属层；凹槽区域外绝缘层上方设有肖特基金属层，肖特基金属层、势垒层以及欧姆金属层上方设有钝化层；凹槽区域内，肖特基金属层、绝缘层以及氮化镓层形成金属‑绝缘层‑半导体场效应晶体管MISFET栅控结构；凹槽区域外，绝缘层与肖特基金属层形成场板结构。本发明降低了器件的开启电压，提升了其击穿电压和减小了漏电流，提升了器件电学性能。