公开(公告)号：CN119451160A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411671631.6

申请日：2024-11-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  邹灿 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法，属于半导体技术领域，包括自下而上设置的衬底层和氮化镓层，氮化镓层上表面的有源区自下而上依次设置有有源区氮化镓层、势垒层、第一介质层和第二介质层，第二介质层上方表面设有条状的栅极金属层；在栅极金属层中设有多个不同深度的刻蚀孔，不同深度的刻蚀孔中设有不同的肖特基金属层，其中刻蚀孔较深的肖特基金属层与栅极金属层互联，刻蚀孔较浅的肖特基金属层均在栅极金属层上方相连接，不仅使因辐照感生界面态电荷能通过较浅刻蚀孔中肖特基金属层抽取出晶体管，还能使在栅极积累的载流子通过较深刻蚀孔中的肖特基金属层流出，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。

公开(公告)号：CN118335789A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410751811.9

申请日：2024-06-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  邹灿 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/66 ,  H01L21/335 ,  G01N21/66

Abstract: 本发明公开一种用于辐照损伤检测的GaN HEMT器件及其检测和制作方法，属于半导体辐照损伤检测分析领域。本发明在势垒层顶面设有p型氮化镓层，p型氮化镓层内外两侧的氮化镓层顶面分别设有漏极和源极，p型氮化镓层顶面设有肖特基金属层，p型氮化两侧的势垒层顶面分别设有第一欧姆金属层和第二欧姆金属层，第二欧姆金属层包括互为叉指的内齿轮电极和外齿轮电极。本发明采用电致发光对辐照前后的GaN HEMT器件在垂直方向与水平方向上分别采集发光波长、强度和区域的数据，对辐照前后的两组数据进行比对分析，确认缺陷在各自区域产生的类型。本发明能够从不同维度监测GaN HEMT器件在辐照前后的变化，从而识别缺陷在器件各层及区域的产生类型和分布情况。

公开(公告)号：CN118335789B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410751811.9

申请日：2024-06-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  邹灿 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/66 ,  H01L21/335 ,  G01N21/66

Abstract: 本发明公开一种用于辐照损伤检测的GaN HEMT器件及其检测和制作方法，属于半导体辐照损伤检测分析领域。本发明在势垒层顶面设有p型氮化镓层，p型氮化镓层内外两侧的氮化镓层顶面分别设有漏极和源极，p型氮化镓层顶面设有肖特基金属层，p型氮化两侧的势垒层顶面分别设有第一欧姆金属层和第二欧姆金属层，第二欧姆金属层包括互为叉指的内齿轮电极和外齿轮电极。本发明采用电致发光对辐照前后的GaN HEMT器件在垂直方向与水平方向上分别采集发光波长、强度和区域的数据，对辐照前后的两组数据进行比对分析，确认缺陷在各自区域产生的类型。本发明能够从不同维度监测GaN HEMT器件在辐照前后的变化，从而识别缺陷在器件各层及区域的产生类型和分布情况。