公开(公告)号：CN119451161A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411671633.5

申请日：2024-11-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  张迈 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种辐照场景下具有强非钳位感性开关能力的GaN HEMT及其制备方法，属于半导体技术领域。包括衬底层、氮化镓层、钝化层、沟道层、势垒层和电极结构层，电极结构层包括栅极结构以及设置于栅极结构两侧的源极结构和漏极结构，栅极结构呈条状且沿第一方向设置于势垒层上方，源极结构和漏极结构与沟道层连接，栅极结构和漏极结构之间设置有成组布置的多个矩形P型氮化镓层，成组布置的多个矩形P型氮化镓层沿第一方向均匀间隔布置且通过金属线连接，金属线顶部连接有负电位极，势垒层到负电位极之间的区域填充有介质层。能够解决传统HEMT因辐照后发生空穴积聚而影响器件正常开关能力和过电压鲁棒性退化的技术问题。