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公开(公告)号：CN118553812A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410606302.7
申请日：2024-05-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/028 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B9/60 , C25B11/02 , C25B11/055
Abstract: 本发明公开了一种平面内轴向多结纳米线的制备方法，包括如下步骤：第一步，通过光刻和刻蚀在氧化硅片衬底表面制备引导沟槽，然后通过光刻在沟槽末端制备条带区域，蒸镀催化金属薄膜，并通过剥离工艺形成催化金属条带；第二步，采用氢等离子体和加热处理，使催化金属形成球形液滴；第三步，制备掺杂非晶硅；第五步，在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）中，加热退火生长硅纳米线，并通过氢等离子体去除未参与反应的非晶硅，通过盐酸去除残留的催化金属，获得连续的p、n超晶格轴向结纳米线光电阵列。本发明平面内集成的轴向结纳米线光电单元具有p型和n型晶硅段长度、位置、形貌以及结数可编程制备的特点，且制备温度低、成本低。
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公开(公告)号：CN113241376B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110538267.6
申请日：2021-05-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44 , G01N27/414 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种全环绕沟道场效应晶体管，包括衬底，所述衬底表面设置有悬空高导电性微米或纳米线状材料作为栅，所述栅的外层依次设有介质层和气体敏感层；所述栅的一端和外层气体敏感层两端分别沉积金属电极用于连接外部测试电路。本发明适用范围广，可定位可集成的CAA背栅场效应晶体管并用于气体传感器领域，改善气体传感器的气敏性能。
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公开(公告)号：CN114400247A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210041204.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开批量生长高均一性晶硅纳米线的方法，包括：第一步，在设有引导沟槽的目标衬底上旋涂光刻胶，利用光刻定义出图形，暴露出催化剂金属待沉积区域，利用等离子体向下刻蚀，形成阴影台阶；第二步，利用氧气等离子将光刻胶水平向内缩蚀，形成沉积台阶；第三步，将目标衬底样品旋转固定，以光刻胶作为阴影，在目标衬底上蒸镀沉积得到目标宽度的催化金属条；第四步，蒸镀完毕后将目标样品置于丙酮溶液超声清洗，除去多余的光刻胶，并利用氢等离子体处理催化金属得到直径均一的金属球；第五步，对整个目标衬底结构覆盖一层非晶硅前驱体并进行退火处理，使催化金属球沿着引导沟槽移动并吸收非晶硅前驱体，形成目标直径均一的纳米线。
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公开(公告)号：CN113968571A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111227324.5
申请日：2021-10-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法，包括如下步骤：1）采用旋涂的方法在衬底上旋涂一层电刻胶；2）利用电子束直写对预设形状的无掩膜图案进行曝光，电刻胶变性成为二氧化硅，曝光后形成由宽激活生长区域沟道和窄密排沟道构成的闭合沟道；3）以步骤2）所形成的闭合沟道为衬底，再次利用光刻电子束直写或者掩膜板技术在所述宽激活生长区域定义横向于沟道的图案并进行显影，以定义催化剂区域；4）在定义的催化剂区域淀积一层带状的催化金属层。本发明通过激活生长逐渐转变为限制引导，能够实现100%长线率，同时更为严格地控制纳米线的直径及生长路径并具有更高地晶格质量。
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公开(公告)号：CN112366521B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202011161635.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种在平面超晶格纳米线上组装量子点激光器的方法，包括在刻蚀后的超晶格纳米线上，通过旋涂量子点溶液，烘干后得到嵌入量子点的超晶格纳米线；利用紫外光或者红外光照射嵌入超晶格纳米线上的量子点后量子点发光，超晶格结构两端的硅纳米线作为光波导，利用纳米线导波效应定位传输量子点光信号，测试超晶格结构的纳米线对光的收集和传输效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111422828B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010248425.X
申请日：2020-04-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种利用晶态纳米线阵列堆叠制备光学手性器件的方法，包括基于IP‑SLS生长方法并结合台阶沟道引导技术生长出晶态硅纳米线阵列，将此晶态硅纳米线阵列通过转移法进行交叉堆叠形成三维空间结构的多层纳米线阵列结构，再制备成手性器件。本发明把平行密排长直纳米线阵列通过转移的方法，并且每次每层转移都旋转一定角度，然后把纳米线阵列进行空间上的堆叠，将可以获得类似缓偏器的效应。将长直平行硅纳米线阵列的双折射和缓偏器两种效应结合，可以制备出具有高光学活性，高不对称因子的手性光学器件。
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公开(公告)号：CN113130325A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110404186.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法，本发明是通过分区淀积叠层非晶锗硅前驱体生长出可精确定位的分区超晶格纳米线，通过光刻或者EBL的方法在超晶格区域的纳米线两侧做源漏电极，接着根据需要选择性刻蚀纳米线超晶格结构区域的晶体锗或者晶硅，在源漏电极之间留下纳米片状的晶体硅或者晶体锗作为导电沟道；然后淀积一层栅介质，最后通过光刻或EBL的方法在源漏电极之间做栅电极即完成制备Fin‑FET。
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公开(公告)号：CN111312592B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010119441.9
申请日：2020-02-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10 , B82B3/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法，包括以下几个步骤：第一步，在目标衬底上定义掩模阵列；第二步，沿掩模阵列侧壁的轴向平行刻蚀一组预设间距的平行凹槽阵列的柱阵列；第三步，定义催化颗粒沉积区域，并在所述沉积区域沉积一层催化金属层；第四步，利用IP‑SLS纳米线生长模式，借助所述催化金属层的催化金属液滴在所述平行凹槽阵列的结构柱上自回避换行生长，制备得到3D纳米线结构。本发明实现了三维高密度堆叠纳米线和三维纳米弹簧结构的制备，并可控制其形貌和结构取向。
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公开(公告)号：CN112366521A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011161635.1
申请日：2020-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种在平面超晶格纳米线上组装量子点激光器的方法，包括在刻蚀后的超晶格纳米线上，通过旋涂量子点溶液，烘干后得到嵌入量子点的超晶格纳米线；利用紫外光或者红外光照射嵌入超晶格纳米线上的量子点后量子点发光，超晶格结构两端的硅纳米线作为光波导，利用纳米线导波效应定位传输量子点光信号，测试超晶格结构的纳米线对光的收集和传输效果。
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公开(公告)号：CN111693444A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010586001.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 南京大学
IPC: G01N15/10 , G01N21/64 , G01N33/487 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于细胞力学检测的弹簧纳米线探测器，包括一端固定于微机械操作平台上的垂直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧，所述垂直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧的另一端末端为直线型或钩状的悬空结构；当所述直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧的另一端末端为直线型时，所述直线型的纳米线末端表面设有荧光标记物。本发明通过控制纳米线弹簧的实时形变观察即可测试相关力学性质，且端部设有悬空的纳米级探头，可实现对细胞无损伤检测。
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