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公开(公告)号：CN114400248A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210041211.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法，包括以下几个步骤：通过PECVD于垂直方向交替沉积多层SiO2和Si3N4，形成纵向密排堆叠结构，等离子体刻蚀和酸处理后形成纵向侧壁引导凹槽；或者，在衬底上通过电子束曝光及刻蚀获得横向平面内密排引导沟槽；将整个衬底样品沉积非晶硅前驱体，非晶硅前驱体的厚度大于所述引导凹槽或者大于密排引导沟槽的深度以形成更好的前驱体覆盖；通过等离子体刻蚀技术，将所述引导凹槽或密排引导沟槽的表面、侧壁上的非晶硅前驱体刻蚀掉，仅保留引导凹槽或引导沟槽内部的非晶硅前驱体。
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公开(公告)号：CN113968571B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111227324.5
申请日：2021-10-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法，包括如下步骤：1）采用旋涂的方法在衬底上旋涂一层电刻胶；2）利用电子束直写对预设形状的无掩膜图案进行曝光，电刻胶变性成为二氧化硅，曝光后形成由宽激活生长区域沟道和窄密排沟道构成的闭合沟道；3）以步骤2）所形成的闭合沟道为衬底，再次利用光刻电子束直写或者掩膜板技术在所述宽激活生长区域定义横向于沟道的图案并进行显影，以定义催化剂区域；4）在定义的催化剂区域淀积一层带状的催化金属层。本发明通过激活生长逐渐转变为限制引导，能够实现100%长线率，同时更为严格地控制纳米线的直径及生长路径并具有更高地晶格质量。
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公开(公告)号：CN113968571A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111227324.5
申请日：2021-10-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法，包括如下步骤：1）采用旋涂的方法在衬底上旋涂一层电刻胶；2）利用电子束直写对预设形状的无掩膜图案进行曝光，电刻胶变性成为二氧化硅，曝光后形成由宽激活生长区域沟道和窄密排沟道构成的闭合沟道；3）以步骤2）所形成的闭合沟道为衬底，再次利用光刻电子束直写或者掩膜板技术在所述宽激活生长区域定义横向于沟道的图案并进行显影，以定义催化剂区域；4）在定义的催化剂区域淀积一层带状的催化金属层。本发明通过激活生长逐渐转变为限制引导，能够实现100%长线率，同时更为严格地控制纳米线的直径及生长路径并具有更高地晶格质量。
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