公开(公告)号：CN114400247A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202210041204.4

申请日：2022-01-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  程银子 ,  刘宗光

IPC: H01L29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开批量生长高均一性晶硅纳米线的方法，包括：第一步，在设有引导沟槽的目标衬底上旋涂光刻胶，利用光刻定义出图形，暴露出催化剂金属待沉积区域，利用等离子体向下刻蚀，形成阴影台阶；第二步，利用氧气等离子将光刻胶水平向内缩蚀，形成沉积台阶；第三步，将目标衬底样品旋转固定，以光刻胶作为阴影，在目标衬底上蒸镀沉积得到目标宽度的催化金属条；第四步，蒸镀完毕后将目标样品置于丙酮溶液超声清洗，除去多余的光刻胶，并利用氢等离子体处理催化金属得到直径均一的金属球；第五步，对整个目标衬底结构覆盖一层非晶硅前驱体并进行退火处理，使催化金属球沿着引导沟槽移动并吸收非晶硅前驱体，形成目标直径均一的纳米线。

公开(公告)号：CN114400248A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202210041211.4

申请日：2022-01-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  程银子 ,  刘宗光 ,  梁逸飞 ,  胡瑞金 ,  王军转

IPC: H01L29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法，包括以下几个步骤：通过PECVD于垂直方向交替沉积多层SiO2和Si3N4，形成纵向密排堆叠结构，等离子体刻蚀和酸处理后形成纵向侧壁引导凹槽；或者，在衬底上通过电子束曝光及刻蚀获得横向平面内密排引导沟槽；将整个衬底样品沉积非晶硅前驱体，非晶硅前驱体的厚度大于所述引导凹槽或者大于密排引导沟槽的深度以形成更好的前驱体覆盖；通过等离子体刻蚀技术，将所述引导凹槽或密排引导沟槽的表面、侧壁上的非晶硅前驱体刻蚀掉，仅保留引导凹槽或引导沟槽内部的非晶硅前驱体。