公开(公告)号：CN207038532U

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201720865188.5

申请日：2017-07-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  曾勇 ,  姚日晖 ,  郑泽科 ,  章红科 ,  刘贤哲 ,  李晓庆 ,  张啸尘 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/22

Abstract: 本实用新型属于柔性显示器件技术领域，公开了一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管。所述多晶氧化物柔性薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、柔性衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，其中诱导层位于栅极绝缘层一侧。本实用新型的薄膜晶体管有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，通过诱导层表面的金属离子诱导多晶氧化物半导体晶化，改善结晶性，提升薄膜晶体管的性能，能够在室温下实现高性能的柔性薄膜晶体管。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利