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公开(公告)号：CN206834194U
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201621156607.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型属于LED材料的技术领域，公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本实用新型生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN204596825U
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201520276231.5
申请日：2015-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/10
Abstract: 本实用新型公开了一种弧形三棱锥图形化LED衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形三棱锥组成；所述弧形三棱锥组成的任意水平截面为三条边皆为圆弧的类三角形。本实用新型还公开了包含上述弧形三棱锥图形化LED衬底的LED芯片。本实用新型与现有技术相比，具有更优的出光效率，大大增加了可利用的有效光线，提高LED芯片的外量子效率；弧形三棱锥型图形衬底能够在保持提高LED出光效率的前提下，减少对形核的不利影响。
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公开(公告)号：CN204204898U
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201420740377.6
申请日：2014-11-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种圆锥簇型图案的LED图形优化衬底及LED芯片，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆锥簇组成；所述圆锥簇由一个大圆锥、多个中圆锥及多个小圆锥组成；所述多个中圆锥围绕大圆锥排列成一圈，形成中圆锥圈；所述多个小圆锥围绕中圆锥圈排列成一圈，形成小圆锥圈。本实用新型与现有技术相比，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，圆锥簇增加了反射面积，对底部出光有明显的增益效果，特别适合用于覆晶封装；实际加工容易获得目标图案，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN204204897U
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201420735254.3
申请日：2014-11-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种塔状图案的图形化LED衬底及LED芯片，衬底图案由排列在衬底表面的多个形状相同的塔状图案组成；所述塔状图案为由m个带内凹的圆台和一个圆锥组成的一体结构；所述m个带内凹的圆台按由大到小的顺序由下至上依次排列；第i带内凹的圆台的顶部设有第i圆柱状的内凹；令第i带内凹的圆台所对应的圆台为第i圆台；令第i圆柱状的内凹所对应的圆柱为第i圆柱；则第i圆台的上底面即为第i圆柱的上底面；第i圆柱的下底面即为第i+1圆台的下底面；第m圆柱的下底面即为圆锥的底面；第i圆柱的高度hi.>0。本实用新型增加了折射反射面，光强和出光效率与相同尺寸的普通圆锥型图形化衬底相比均有不同程度的提高，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN203983323U
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201420338262.4
申请日：2014-06-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/20
Abstract: 本实用新型公开了高性能的LED图形优化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆台组成，每个圆台的高度H为0.5～4μm，上圆半径R上为0.1～1μm，下圆半径R下为1～3μm，R上＜R下，相邻圆台的边距d为0.2～3μm。本实用新型还公开了上述LED图形优化衬底的制备方法及包含上述LED图形优化衬底的LED芯片。本实用新型通过采用圆台型图形衬底，大大提高了反射光子到达LED芯片顶部及底部的能力，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，而且圆台图案有利于形核，有利于外延生长高质量GaN晶体。
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公开(公告)号：CN203589068U
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201320608988.0
申请日：2013-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本实用新型公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成；所述穹顶型图案为轴对称的椎体，椎体的底面为半径为0.8～1.2μm的圆形，椎体的高为1.3～1.6μm；椎体沿对称轴的截面为由两段对称的圆弧及一段直线段组成的类三角形；所述圆弧对应的圆心角为5°～15°。本实用新型还公开了包括上述图形化衬底的LED芯片。本实用新型与现有技术相比，具有更优的出光效率，提高LED芯片的外量子效率，有效地抑制螺型位错的产生，进一步改善了磊晶质量，从而提高了LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN203434183U
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201320445718.2
申请日：2013-07-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本实用新型公开了一种优化的LED图形化衬底及LED芯片，其中一种优化的LED图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的火山口图案组成；火山口图案为中心具有倒圆台凹坑的凸圆台图案；倒圆台凹坑的倾角α为30°～38°；倒圆台凹坑的深度h为对应倒圆锥图案深度H的85%～94%；倒圆台凹坑的宽度a为凸圆台上表面宽度A的93%～95%。所述LED芯片，包括上述优化的LED图形化衬底。本实用新型与现有技术相比，充分利用了圆台上表面的平面区域，增加有效光散射的斜面面积，具有比同高度、同底部宽度的其他图案图形化衬底更优的光提取效率。
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公开(公告)号：CN202996889U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201220696530.0
申请日：2012-12-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本实用新型公开了一种优化的LED芯片图形化衬底及LED芯片，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的正六棱锥组成，正六棱锥的倾角α为55°~60°；相邻正六棱锥的边距d为1.0~1.2μm。本实用新型与现有技术相比，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，大大增加了可利用的有效光线，提高LED芯片的外量子效率；正六棱锥图形符合GaN的晶格结构，有助于外延生长高质量GaN晶体，进一步改善了磊晶质量，从而提高了LED的内量子效率。
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