一种粉末冶金法制备钨颗粒增强铝基复合材料的工艺方法

    公开(公告)号:CN105401001B

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201510780175.3

    申请日:2015-11-13

    Abstract: 本发明特别涉及一种粉末冶金法制备钨颗粒增强铝基复合材料的工艺方法。该工艺方法过程包括:钨粉经过乙醇湿磨分散处理,真空干燥后与一定比例铝粉混合;经过除气、热等静压烧结以及机加工等工序,即可制得钨颗粒增强铝基复合材料。本发明通过对钨粉的表面预处理,使钨粉由团聚的链状变成单分散的颗粒状,提高了钨粉在复合材料内部的分散性和烧结活性,复合材料具有增强相分布均匀、致密度高、力学性能好等优点,采用粉末冶金的制备方法,工艺路线简单,制备周期短,成本低,可实现大规模的工业应用生产。

    一种电镀Fe-Ni合金磁屏蔽材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103898574A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201210567719.4

    申请日:2012-12-24

    Abstract: 一种电镀Fe-Ni合金磁屏蔽材料及其制备方法,该磁屏蔽材料为包括若干层Cu薄膜/或Ni薄膜和若干层Fe-Ni合金镀层的复合屏蔽薄膜材料,其中,所述Fe-Ni合金镀层中镍含量为50%~85%。该磁屏蔽材料具有较高的饱和磁化强度、低的剩余磁化强度和矫顽力,在低频磁场和静磁场中具有一定的磁屏蔽效能。其制备方法包括以下步骤:(1)对基体表面进行清洁;(2)在基体上沉积Cu薄膜/或Ni薄膜;(3)将基体放入电镀液中电镀Fe-Ni合金镀层;(4)将镀有Fe-Ni合金镀层的基体置于电阻炉中,快速升温至300℃,在氢气保护下保温4h,最后在氢气气氛下随炉冷却进行低温退火处理;(5)重复步骤(2)~(4)得到所需的Fe-Ni合金磁屏蔽材料。

    一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN102558718B

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201010588330.9

    申请日:2010-12-07

    Abstract: 本发明提供一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法,该薄膜由钛酸钡和聚偏氟乙烯构成,钛酸钡与聚偏氟乙烯的质量比为1.5~5.0∶1,薄膜的厚度小于50μm。在100Hz~1MHz的频率范围内,该薄膜的相对介电常数可达70以上,介电损耗低于5×10-2。本发明采用BaTiO3陶瓷与PVDF聚合物相复合,来制备介电常数较高、介电损耗较低的介电薄膜材料。采用固相反应法或化学共沉淀法制备钛酸钡陶瓷粉体,然后再采用高温干燥凝胶法或溶剂致相分离凝胶法制备得到陶瓷颗粒分布均匀、厚度可控、具有较高的介电常数和较低的介电损耗的钛酸钡/聚偏氟乙烯复合介电薄膜。该介电薄膜特别适用于电容器、铁电存储器等电子器件。

    一种薄型低频吸波材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102103918B

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN200910241997.9

    申请日:2009-12-18

    Abstract: 一种低频吸波材料,该低频吸波材料是由60vol.%-75vol.%的FeCo合金粉和25-40vol.%的酚醛树脂粉末混合后,热压成型而制成,其中,FeCo合金粉的平均粒度为0.25μm~0.35μm,并在该FeCo合金粉上包覆厚度为25nm~35nm的氧化铝层。该低频吸波材料的方法方法包括:(1)制备平均粒度为0.25μm~0.35μm的FeCo合金粉;(2)用化学法在FeCo合金粉上包覆氧化铝粉体,在该FeCo合金粉上包覆的氧化铝层厚度为25nm~35nm;(3)、将步骤(2)中得到的包覆氧化铝层的FeCo合金粉和酚醛树脂粉末在球磨机上进行湿混,湿混后经烘干,热压成型而制成。此材料在1-4GHz具有较高的磁导率和磁损耗,1.1~2mm厚的材料在1-4GHz频段范围内最高有-16dB的微波吸收性能。

    一种金属化薄膜电容器
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102446627A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201010503094.6

    申请日:2010-09-30

    Abstract: 一种金属化薄膜电容器,采用双向拉伸聚丙烯薄膜作为介质层,所述的薄膜的厚度为7.5~7.8μm,该薄膜的单面蒸镀锌铝电极,并在该面的宽度方向上的一边留边,留边以外的基条部分蒸镀有锌铝电极,将两卷上述薄膜的留边部分分别放在宽度方向上的不同的一侧上进行卷绕,卷绕成薄膜电容器。该薄膜的宽度为134.6~135.4mm,单边留边宽度为2.1~2.9mm,其在留边上的蒸镀方阻为2~5Ω/□,其在留边以外的基条部分的蒸镀方阻为10~15Ω/□。该电容量为240±5%μF和比能密度达500J/L,在100Hz条件下,其损耗角正切小于8×10-3、工作电压7000V、万次充放电电容损失量<5%和放电电流达1380~1530A,放电时间约1~1.5ms。

    一种镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法

    公开(公告)号:CN101658968A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200910093251.8

    申请日:2009-09-23

    Abstract: 本发明公开了属于用于射频能量衰减等技术领域的一种镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法。首先将镍锌铁氧体在空气中进行烧渗银层使其金属化,形成10-20μm厚的过渡层,然后使用Sn-Ag合金焊料将镍锌铁氧体与无氧铜在真空下进行焊接,焊接温度为300-380℃。本发明的镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法避免了由于钎焊温度过高引起的铁氧体断裂以及铁氧体性能的恶化,从而解决了镍锌基铁氧体吸收器在制备中遇到的问题。此低温焊接方法可以扩展到其它铁氧体与无氧铜或不锈钢的焊接应用中,使其得到更为广泛的应用价值。

    一种磷化镓晶片双面抛光方法

    公开(公告)号:CN101130229A

    公开(公告)日:2008-02-27

    申请号:CN200610112513.7

    申请日:2006-08-22

    Abstract: 一种磷化镓晶片双面抛光方法,它包括以下步骤:(1)清洗:在清洗液中超声清洗晶片,清洗温度在50-100℃之间;(2)贴片;(3)磷面抛光:将冷却后的抛光盘放于抛光布上,用抛光臂固定好抛光盘,在抛光压力为10-50psi,抛光液的流量为10-40ml/min,温度为5-25℃下进行抛光,厚度合格后冲水;(4)去片、粘片及进行另一面抛光;(5)清洗检验。本发明优点:方法简单实用,可操作性强,所使用的化学试剂低成本材料,不会对环境和人体造成危害,抛光成品率85%以上。通过该方法抛光所得磷化镓抛光晶片总厚度变化不大于6um,翘曲度不大于25um,晶面平整度不大于5um,在相应光源下均末检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。

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