公开(公告)号：CN103138154A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110380608.8

申请日：2011-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 鲁辞莽 ,  康香宁 ,  胡晓东 ,  陈伟华 ,  张国义 ,  秦志新 ,  吴洁君 ,  于彤军 ,  陈志忠

IPC: H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层窗口，接着借助对该挡光层的腐蚀实现对残余绝缘层的剥离。本发明同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层侧向腐蚀条件难于把握。

公开(公告)号：CN100459185C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410089599.7

申请日：2004-12-15

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张国义 ,  陈志忠 ,  丁晓民 ,  秦志新 ,  胡晓东 ,  童玉珍 ,  董志江 ,  靳彩霞 ,  李树明

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、InGaN/GaN量子阱有源层、p型GaN、p型欧姆接触层、n型欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极，其中，p型欧姆接触透明电极是同心圆结构，在相邻的同心圆结构环形电极之间有沟槽；制备方法是在现有的制备方法之后用干法刻蚀形成同心圆结构。本发明利用环形电极分布，使电流注入更加均匀，电极间的沟槽增加了侧面发光的几率，并且减小了反射角，而大大降低了因为全反射产生的光能损耗，提高了发光效率。

公开(公告)号：CN1874012A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200510073285.2

申请日：2005-06-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  章蓓 ,  陈勇 ,  包魁 ,  徐科 ,  张国义 ,  陈志忠 ,  胡晓东

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/50 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构，例如具有结构或粗糙化的微图形，光子晶体结构等，通过在出光面上引入这种表面微结构，使得光在出射介质的界面面积得到增加，增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向，增加出射几率，进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。

公开(公告)号：CN1779996A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410009841.5

申请日：2004-11-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈志忠 ,  康香宁 ,  秦志新 ,  于彤军 ,  胡晓东 ,  章蓓 ,  杨志坚 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明设计一种在金属热沉上制备激光剥离衬底的功率型LED芯片及其制备方法，具体步骤为：在蓝宝石衬底GaN外延片上大面积蒸镀透明电极Ni/Au；在透明电极上蒸镀Ni/Ag/Ti/Au反射层；在反射层上电镀平整的、周期性的金属热沉单元，厚度50μm以上；镀金属热沉外延片在Kr准分子激光器照射下剥离蓝宝石衬底，得到n面向上的粘接在金属热沉的外延片；在n－GaN表面用离子体刻蚀，然后蒸镀n面电极，电极结构为Ti/Al/Ni/Au；把LED外延片n面贴上蓝膜，得到金属热沉支撑的GaN基LED外延片，并使得管芯单元分裂开。