公开(公告)号：CN105304737A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510726104.5

申请日：2015-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  王平 ,  荣新 ,  盛博文 ,  唐宁 ,  郑显通 ,  马定宇 ,  荀坤 ,  沈波

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括：衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极；N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的周期和直径，满足不同太阳能电池的需求；N型纳米线的表面积/体积比较大，有效提高了太阳能电池的吸收面积；阵列纳米线具有光子晶体效应，可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围；N型纳米线的直径小于太阳光波长，具有明显的聚光效应，调节N型纳米线的尺寸，提高太阳能电池的吸收效率；工艺简单，成本低廉，能实现批量生产。

公开(公告)号：CN118773742A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410734646.6

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  叶昊天 ,  王新强 ,  王睿 ,  冯冉 ,  徐熙帆 ,  王锦林 ,  王涛 ,  盛博文 ,  刘放

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体晶格极性的调控方法。本发明通过在III族氮化物的制备过程中引入反型层，利用反型层重塑晶格驱动III族氮化物晶格极性的反转，使得III族氮化物能够在制备过程中完成可控的晶格极性反转，实现了对目标III族氮化物金属极性和氮极性可选择性的生长，其最终极性与氮化物初始极性无关；本发明极大拓展了III族氮化物外延生长的衬底选择范围，特别是对于制备难度和成本更高的氮极性III族氮化物，使之能在更低廉的金属极性上完成制备，制备流程简单、可控且成本低，对于进一步实现低本高效氮极性III族氮化物生长及其功率射频器件意义重大。

公开(公告)号：CN118374878B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410832059.0

申请日：2024-06-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 王平 ,  王睿 ,  王新强 ,  叶昊天 ,  李元石 ,  冯冉 ,  王涛 ,  盛博文 ,  刘放

IPC: C30B25/18 ,  C30B33/04 ,  C30B29/38 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种可控多畴结构氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用自组装掩膜、离子注入工艺和外延生长方式，得到高质量可控多畴结构的氮化物铁电薄膜，具有更小的翻转能垒，能够大幅降低工作电压；同时具有更加可控的部分电畴翻转能力，有利于实现多态存储；利用离子注入得到非晶高电阻，大幅降低了漏电；在不引入额外漏电的情况下实现可控的多畴结构，降低新型氮化物基铁电器件的漏电和工作电压，大幅提高氮化物铁电材料的寿命和可靠性，降低相关器件能耗，并提升器件的多态调制能力，使得氮化物铁电材料能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等，并且应用于神经形态计算和人工智能等新兴领域。

公开(公告)号：CN115430447B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202211005630.9

申请日：2022-08-22

Applicant: 上海交通大学 ,  北京大学

Inventor： 周宝文 ,  王新强 ,  李东珂 ,  盛博文

IPC: B01J27/24 ,  B01J37/08 ,  C01B3/40

Abstract: 本发明涉及甲烷蒸汽重整技术领域，尤其涉及一种Rh纳米颗粒修饰III族氮化物Si催化剂的制备方法及其应用，制备方法包括：以硅晶片为衬底，通过分子束外延法生长，制得III族氮化物/Si半导体复合结构；通过光沉积法在III族氮化物/Si半导体复合结构表面负载Rh纳米颗粒，制得Rh纳米颗粒修饰的III族氮化物/Si集成光催化剂体系。本发明利用分子束外延法，通过调控生长参数，制得不同的III族金属氮化物/Si半导体复合结构，为甲烷和水分子的活化提供大量的活性位点和独特的催化特性。制备的Rh纳米颗粒/III族氮化物/Si集成光催化剂体系应用于甲烷蒸汽重整，可以直接利用太阳光高效稳定地生产合成气，具有条件温和、反应物原子利用率高、碳排放低、可循环使用的优点。

公开(公告)号：CN115430450B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211045142.0

申请日：2022-08-30

Applicant: 上海交通大学 ,  北京大学

Inventor： 周宝文 ,  王新强 ,  李景林 ,  盛博文

IPC: B01J27/24 ,  B01J37/08 ,  C01B32/40

Abstract: 本发明涉及热催化剂技术领域，尤其涉及一种Rh纳米颗粒修饰III族氮氧化物Si催化剂的制备方法及其应用，通过分子束外延法（MBE）与高温退火相结合，制得III族氮氧化物NWs/Si载体，利用光沉积法在载体表面锚定Rh纳米颗粒（Rh NPs）制得所需热催化剂，通过降低关键基元反应的活化能改变决速步骤，从而获得了较低的反应启动温度。本发明的制备方法具有操作简单，高度可控，制造成本低的优点。将制得的热催化剂应用在CO2热催化氢化至CO的反应中，避免了高温高压等严苛的实验条件，且大大提高了CO2氢化产CO的速率。Rh NPs具有高度的分散性，确保了高效、长效催化CO2氢化反应的发生。与现有的商业催化体系相比，CO2氢化活性高出4个数量级，具有很大的应用前景。

公开(公告)号：CN116568042A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310835363.6

申请日：2023-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  王睿 ,  王平 ,  叶昊天 ,  盛博文

IPC: H10B51/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种电写光读氮化物铁电神经形态器件及其制备方法。本发明各层结构在同一设备的同一腔体中全外延实现，有利于提升界面质量，并提升器件的可靠性；利用多层复合式铁电层功能层，有利于增强器件的多态特性，通过精确控制超晶格中各层氮化物铁电层的掺杂元素组分，实现组分梯度变化，氮化物铁电层中掺杂元素组分浓度对矫顽场的调制作用，实现各层氮化物铁电层具有不同的矫顽电压，氮化物铁电神经形态器件的阈值电压呈离散值，从而实现低重叠、高鲁棒和抗噪声的多态数据存储能力，还能够更高效地模仿生物神经系统中突触的能力；本发明实现光读取能力，赋予了器件更多的操作维度，能够广泛应用于神经形态计算系统或新型存算一体系统中。

公开(公告)号：CN115863505A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310169249.4

申请日：2023-02-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  陈兆营 ,  盛博文 ,  刘放 ,  李铎 ,  袁泽兴 ,  刘上锋

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种具有三维结构的氮化物发光二极管及其制备方法。本发明包括：生长衬底、平面结构的N型氮化物层、N型氮化物三维结构、氮化物多量子阱层、P型氮化物层、P型电极金属层和N型电极金属层；本发明的氮化物三维结构的多个不同晶面指数的表面上形成的氮化物多量子阱层的厚度和合金组分不同，对应的多量子阱中子带的能量也不同，形成了垂直多量子阱生长方向的能量梯度，促进了空穴和电子在多量子阱中的横向迁移，弥补了沿多量子阱生长方向载流子注入效率的不足；另一方面，垂直氮化物多量子阱生长方向的能量梯度构成了载流子的能量势阱，增强了多量子阱中电子和空穴的空间局域效应，提高了电子和空穴的复合效率。

公开(公告)号：CN115832122A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211331536.2

申请日：2022-10-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  刘放 ,  陈兆营 ,  盛博文 ,  郭昱成 ,  沈波

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合衬底的制备方法。本发明采用图形化掩模板，图形化掩模板具有多个互相平行且均平行于掩膜基体晶向的带状的通孔，通过图形化掩模板依次沉积BON、BN和AlN，化学刻蚀得到复合平片结构后，沉积AlN平层，再高温退火热处理，重结晶形成单晶的具有图形化的h‑BN和h‑BON，构成二维晶体过渡层；采用的材料体系的外延工艺兼容，能够采用通用设备制造，工艺简单，设备需求低；通过高温退火和高温诱导重结晶等方案制备高质量AlN复合衬底，通过图形化的h‑BN和h‑BN有效弛豫外延衬底和上层AlN的界面失配问题，能够实现对上层AlN薄膜和AlN平层应力状态与晶体质量的有效调控，适于大规模产业化生产。

公开(公告)号：CN115323475A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210925338.2

申请日：2022-08-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  刘放 ,  王涛 ,  陈兆营 ,  盛博文 ,  沈波

IPC: C30B1/12 ,  C30B29/40 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法。本发明在高指数晶面衬底上形成单晶AlN模板层构成高指数晶面衬底，在单晶AlN模板层上形成氧富集的AlxOy薄层；在AlxOy薄层上形成BmNn薄膜，得到复合结构；将具有AlN薄膜的低指数晶面衬底与复合结构物理压合，高温重构形成h‑BkNl薄膜；破坏氧富集的AlxOy薄层，得到具有h‑BkNl薄膜的低指数晶面AlN模板；h‑BkNl薄膜具有与高指数晶面衬底相同的晶面取向，能够具有指定晶面取向，打破现有制备技术瓶颈；高指数晶面衬底能够重复利用；采用沉积和高温重构的方式制备h‑BN薄膜能够降低工艺难度，避免采用昂贵的高温设备，提高产率并降低成本。

公开(公告)号：CN113463200A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110711924.2

申请日：2021-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  刘强 ,  刘放 ,  盛博文

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  B23P15/00

Abstract: 本发明公开了一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法。本发明采用钨、钌和钼中的一种，或者采用钨、钌和钼中的一种的碳化物或氮化物的限域生长环，经过清洗、退火和激活使限域生长环的功能面具备化学活性；将限域生长环置于反应炉生长区中，生长过程中限域生长环对晶体侧向生长进行限制，从而阻止晶体的边缘生长，遏制生长过程中产生边缘效应，减少生长过程中产生的应力，最终实现厘米级GaN体晶生长；本发明实现方法简单，根据现有的技术水平能够容易实现，并大量推广；限域生长环能够经过热清洗后重复使用，节约了限域生长环的制作成本，经济实用；限域生长环能够根据不同HVPE反应炉生长区的不同结构进行优化设计，通用性强。