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公开(公告)号：CN1209808C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03104783.1
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种体硅MEMS器件集成化方法。本方法包含集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化三部分。将复杂的集成化工艺技术分解为三个独立的工艺部分部分，集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化。具有工艺简单、成品率高、适用于多种MEMS器件的加工、同时具有芯片级封装的功能，解决了目前MEMS技术发展中芯片级封装和集成化两大难题，而且还充分利用了加工技术的社会资源。由于这项技术能够满足多种器件加工的需求，因此也可以说是一种MEMS标准工艺。利用这种简单实用的标准工艺来实现各种功能的MEMS器件，给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。可广泛应用与MEMS技术领域。
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公开(公告)号：CN1193218C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN03104784.X
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法。MEMS压阻式压力传感器芯片，是一个杯状结构，包括一个方形感压膜和周围的支撑部分在感压膜的最大应变区之作了四个压敏电阻，组成点桥来敏感压力的变化，所述压敏电阻是采用离子注入工艺制作的，压敏电阻周围增加有一圈n+隔离区，感压膜的边缘制作了可以监控感压膜厚度的对准标记。采用离子注入工艺制作压阻，精度远高于以往采用的扩散工艺，可以提高压阻的控制精度及一致性，减小零点输出和零点温度漂移；压阻周围增加一圈n+隔离区，提高了芯片的长期稳定性；膜的边缘制作了可以监控膜厚度的对准标记，使腐蚀敏感膜的可控性增强，提高了感压膜厚度控制精度和芯片检测精度。
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公开(公告)号：CN1540386A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: G02B26/08 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
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公开(公告)号：CN1127106C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN01102116.0
申请日：2001-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01H13/702
Abstract: 本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关，其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成，介质膜制备在活动桥上，而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案，消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗，减小RF MEMS开关的插入损耗；以硅为桥膜，提高RF MEMS开关的开关性能、使用寿命和可靠性，也便于实现RF MEMS开关的制备工艺与IC工艺的兼容。
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公开(公告)号：CN1438544A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03104780.7
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法。在深刻蚀之前就将各次深刻蚀掩膜制备完成，每进行一次深刻蚀后去掉一层掩膜再进行下一次深刻蚀的多层深台阶刻蚀。不仅能够在硅片表面(X－Y二维平面)内做出不同的图形结构，在垂直于硅片表面的(Z轴)方向也能够实现可控的折线加工。是一种微硅结构的三维加工技术。突破了以往深刻蚀只能刻出垂直侧壁深槽的限制，实现垂直方向上的多层台阶结构。这项新技术将硅微机械结构加工从简单的平面图形立体化延伸推向了真正的三维立体化，为MEMS技术的发展提供了一种全新的加工手段。与现有的硅工艺完全兼容。可广泛应用于微电子机械技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1397986A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN01123427.X
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/3213 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种微电子工艺中的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在常规曝光以后，用氯苯浸泡几分钟，在显影之前做坚膜处理，再略加过显影，使光刻胶图形呈倒角悬垂。这时根据需要进行衬底腐蚀。在此基础上淀积金属膜，用丙酮浸泡去掉光刻胶和多余的金属，完成金属剥离。此项发明使腐蚀衬底和金属剥离完全实现自对准和实现等平面工艺。它将广泛地用于MEMS和集成电路工艺中，使器件工艺简化，降低成本，提高质量。
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公开(公告)号：CN120004211A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411968952.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法，属于MEMS传感器与CMOS芯片制造领域。本发明为解决压阻芯片与CMOS电路单片集成过程中制造复杂度高、成本高的问题，主要采用标准CMOS工艺中的多种离子注入工艺的组合，并通过修改版图生成规则，精确生成压阻敏感单元的掩模版图案，从而实现压阻敏感单元的多种掺杂浓度分布设计。本方法能够制造出具有不同性能指标的单片集成CMOS电路的压阻芯片，适应多样化的应用需求，并且兼容于标准CMOS工艺，具有低研发成本、大规模生产的优势，广泛适用于商业CMOS代工厂的生产，可满足压阻芯片快速增长的市场需求。
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公开(公告)号：CN113845083B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202111098479.3
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO2层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K+的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。
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公开(公告)号：CN119024639A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411005471.1
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束斑的片上表征方法，属于微纳加工技术领域。本方法通过制造束斑表征芯片，使用电子束在芯片的悬空薄膜测试区上以不同曝光剂量写入测试版图图形，获取多组曝光重叠数据；建立驻留时间、曝光重叠与光刻胶灵敏度的函数关系，并进行非线性最小二乘法拟合得到束斑高斯函数的参数；将得到的参数代入电子束斑高斯函数中，得到电子束斑的尺寸和剂量分布。本方法操作简单，与电子束光刻工艺环境兼容性好，准确度高。
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公开(公告)号：CN113218755B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110441939.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种用于纳尺度薄膜双轴拉伸测试的系统及其制造方法，属于微电子机械系统加工技术领域，该系统利用独特设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合，提取纳尺度薄膜断裂时的双轴应力，其中片上试验机包括两个相互垂直布置的拉伸结构；每个拉伸结构包括一探针加载结构、两轮形加载换向结构、一可动框架、一弹性梁、一拉伸梁、两形变量标尺、两指针和两悬挂折叠梁。该系统可用来探究纳尺度下薄膜材料的破坏规律，也可用来进行薄膜制备工艺质量监控。
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