公开(公告)号：CN1431699A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03104783.1

申请日：2003-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  李婷 ,  杜先锋 ,  王颖 ,  郝一龙 ,  王阳元

IPC: H01L21/70 ,  B81B1/00

Abstract: 本发明涉及一种体硅MEMS器件集成化方法。本方法包含集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化三部分。将复杂的集成化工艺技术分解为三个独立的工艺部分部分，集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化。具有工艺简单、成品率高、适用于多种MEMS器件的加工、同时具有芯片级封装的功能，解决了目前MEMS技术发展中芯片级封装和集成化两大难题，而且还充分利用了加工技术的社会资源。由于这项技术能够满足多种器件加工的需求，因此也可以说是一种MEMS标准工艺。利用这种简单实用的标准工艺来实现各种功能的MEMS器件，给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。可广泛应用与MEMS技术领域。

公开(公告)号：CN1690765A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200410009049.X

申请日：2004-04-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 郝一龙 ,  杜先锋 ,  张大成 ,  余宏斌 ,  李婷 ,  王玮

IPC: G02B26/08 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种变形镜及其制备方法，属于变形镜加工制备领域。该变形镜包括镜面单元和控制电极，镜面单元为一硅片，通过刻蚀硅片，镜面单元包括：一薄膜镜面和一带有若干个凸台的背腔，控制电极固定在衬底上，通过阳极键合将镜面单元与衬底固定连接，镜面单元的凸台与控制电极相对应，两者之间留有间隙。与表面工艺制作的变形镜相比，本发明增大了镜面的有效变形范围，大大提高了变形镜的应用领域，且利用刻蚀体硅方法制得薄膜来充当镜面，可以减小由于应力造成的镜面卷曲。

公开(公告)号：CN1209808C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN03104783.1

申请日：2003-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  李婷 ,  杜先锋 ,  王颖 ,  郝一龙 ,  王阳元

IPC: H01L21/70 ,  B81B1/00

Abstract: 本发明涉及一种体硅MEMS器件集成化方法。本方法包含集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化三部分。将复杂的集成化工艺技术分解为三个独立的工艺部分部分，集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化。具有工艺简单、成品率高、适用于多种MEMS器件的加工、同时具有芯片级封装的功能，解决了目前MEMS技术发展中芯片级封装和集成化两大难题，而且还充分利用了加工技术的社会资源。由于这项技术能够满足多种器件加工的需求，因此也可以说是一种MEMS标准工艺。利用这种简单实用的标准工艺来实现各种功能的MEMS器件，给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。可广泛应用与MEMS技术领域。