-
公开(公告)号：CN111591952B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010322541.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域，该传感器主要包括一玻璃底座和位于玻璃底座上的硅应变膜，该玻璃底座的一面含有一凹陷空腔，该硅应变膜的正面朝向该空腔；该硅应变膜包括位于正面的绝缘介质层和该绝缘介质层覆盖的硅衬底；该硅应变膜的正面的边缘均布有四个带有凹槽的半岛结构；每个半岛结构的外边缘设有位于硅衬底上的一组压敏电阻、一组重掺杂接触区和一对金属引线，压敏电阻与重掺杂接触区串接，两端由金属引线从重掺杂接触区引出，四组压敏电阻形成惠斯通电桥。其与典型结构的压力传感器相比，具有高灵敏度、高线性度、芯片尺寸小的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113218755A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110441939.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种用于纳尺度薄膜双轴拉伸测试的系统及其制造方法，属于微电子机械系统加工技术领域，该系统利用独特设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合，提取纳尺度薄膜断裂时的双轴应力，其中片上试验机包括两个相互垂直布置的拉伸结构；每个拉伸结构包括一探针加载结构、两轮形加载换向结构、一可动框架、一弹性梁、一拉伸梁、两形变量标尺、两指针和两悬挂折叠梁。该系统可用来探究纳尺度下薄膜材料的破坏规律，也可用来进行薄膜制备工艺质量监控。
-
公开(公告)号：CN113845083B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202111098479.3
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO2层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K+的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。
-
公开(公告)号：CN113218755B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110441939.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种用于纳尺度薄膜双轴拉伸测试的系统及其制造方法，属于微电子机械系统加工技术领域，该系统利用独特设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合，提取纳尺度薄膜断裂时的双轴应力，其中片上试验机包括两个相互垂直布置的拉伸结构；每个拉伸结构包括一探针加载结构、两轮形加载换向结构、一可动框架、一弹性梁、一拉伸梁、两形变量标尺、两指针和两悬挂折叠梁。该系统可用来探究纳尺度下薄膜材料的破坏规律，也可用来进行薄膜制备工艺质量监控。
-
公开(公告)号：CN113845083A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111098479.3
申请日：2021-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO2层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO2/Si3N4作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K+的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。
-
公开(公告)号：CN111591952A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010322541.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域，该传感器主要包括一玻璃底座和位于玻璃底座上的硅应变膜，该玻璃底座的一面含有一凹陷空腔，该硅应变膜的正面朝向该空腔；该硅应变膜包括位于正面的绝缘介质层和该绝缘介质层覆盖的硅衬底；该硅应变膜的正面的边缘均布有四个带有凹槽的半岛结构；每个半岛结构的外边缘设有位于硅衬底上的一组压敏电阻、一组重掺杂接触区和一对金属引线，压敏电阻与重掺杂接触区串接，两端由金属引线从重掺杂接触区引出，四组压敏电阻形成惠斯通电桥。其与典型结构的压力传感器相比，具有高灵敏度、高线性度、芯片尺寸小的优点。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
