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公开(公告)号：CN102241390A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110106827.7
申请日：2011-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备悬浮纳米结构的方法。该方法，包括如下步骤：用聚焦离子束扫描两端固定在保护层上的悬臂梁，得到所述悬浮纳米结构。该方法不受常规光刻条件的限制，对设备的聚焦精度以及扫描精度等要求相对传统的刻蚀方式较低，更有利于进入多结构并行加工，光学器件、传感器件、电子器件等方面具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN102062897A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010534637.0
申请日：2010-11-03
Applicant: 北京大学
Inventor： 吴文刚
Abstract: 本发明涉及一种光纤阵列固定器件及其制备方法，该光纤阵列固定器件包括基座、以及由若干相同的光纤固定孔组成的光纤固定孔阵列，所述光纤固定孔阵列设置于所述基座的上、下两端面，且上、下端面的光纤固定孔一一对应，所述上、下端面的光纤固定孔之间为空腔。本发明的光纤阵列固定器件适用于中、大规模2D光开关及大规模3D光开关等应用，具有极强的可扩展性；使用以高精度光刻技术定义的光纤固定孔，可以精确、稳固地定位光纤，降低封装的难度和成本；本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备，实现大批量制造，且工艺过程简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更广泛、更强大的微光集成系统。
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公开(公告)号：CN101880022A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010199631.2
申请日：2010-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种抗震装置及其制备方法，该装置包括：基体，上表面设置有抗震平台、以及若干一端与抗震平台固定连接且保持与基体上表面不接触地延伸的抗震悬臂梁；器件载体，上表面用于承载待保护器件，下表面设置有凹槽，器件载体与抗震悬臂梁相连，且凹槽与抗震平台不接触。本发明的抗震装置及其制备方法适用于微电子电路芯片及MEMS可动器件在振动环境下的保护等应用，具有极强的应用性；使用物理方式实现抗振功能，无需高精度控制电路，从而降低了系统成本；本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备，实现大批量制造，且工艺过程简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更广泛、更强大的微电子系统。
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公开(公告)号：CN101290395B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810104013.8
申请日：2008-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微型多功能光学器件及其制备方法，其特征在于：它包括固定电极、可动电极、支撑梁、锚点、玻璃衬底、光反射模块和光纤槽；所述光反射模块的头部呈三角形，正对所述反射模块的头部设置一输入光纤槽，与所述三角形光反射模块的两侧反射面对应，与所述输出光纤槽垂直相对设置有两个输出光纤槽，所述输入、输出光纤槽内设置有输入、输出光纤。本发明利用固定电极和可动电极组成的梳齿型静电驱动器移动光反射模块来实现可调分光功能和光开关功能，同时利用固定电极和可动电极组成的平板型静电驱动器扭转光反射模块来实现光衰减功能。本发明的制备方工艺简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更强大的微光集成系统中。
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公开(公告)号：CN101704498A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910237719.6
申请日：2009-11-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种静电致动器及其制备方法、抗瞬时扰动方法，该静电致动器包括：固定电极，为固定连接于衬底上的引线电极的平板电极；第一可动电极，为设置于距所述衬底设定高度的平板电极；第二可动电极，为矩形框平板电极，设置于所述第一可动电极同一平面上、所述固定电极与所述第一可动电极之间；所述第一可动电极及第二可动电极均与弹性部件相连。本发明的静电致动器具有单片集成、自适应性等技术特点，还具有高精确定位、高可靠性，能够有效克服由外部环境振动引入的冲击扰动，特别是瞬态振动引起的扰动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101554991A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910083938.3
申请日：2009-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种多样性纳米结构的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗衬底；2)在衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二；3)在薄膜二上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行前烘和曝光，在薄膜二上形成光刻胶图形一；4)采用氧等离子体去胶机对光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀，在薄膜二上得到光刻胶图形二；5)用光刻胶图形二作为掩模，各向异性刻蚀薄膜二，形成薄膜二的纳米结构；6)在薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三；7)各向异性刻蚀薄膜三，在薄膜二的纳米结构四周形成纳米侧墙；8)各向异性刻蚀薄膜二的纳米结构，在衬底表面上留下纳米侧墙；9)以纳米侧墙为掩模，各向异性刻蚀衬底，在衬底上得到最终纳米结构；10)腐蚀掉最终纳米结构上残留的侧墙。
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公开(公告)号：CN1944237A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610113830.0
申请日：2006-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种加工周期性纳米结构器件的方法。本发明所提供的加工周期性纳米结构器件的方法，包括如下步骤：1)准备并清洗所选用的衬底，在衬底上图形化出结构层；2)选择与所述结构层材料不同的另一种材料，在所述结构层的侧面进行侧墙沉积，各向异性刻蚀后在所述结构层的侧面形成一侧墙；3)以不同的材料重复步骤2)，经过多次沉积、刻蚀，在所述衬底上形成所述周期性纳米结构器件。基于本发明制作的周期性纳米栅、纳米“网格”、纳米柱等，可应用于光学器件、生物医学检测器件、传感器件、电子器件等领域。
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公开(公告)号：CN1815735A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510005031.7
申请日：2005-01-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/822 , H01L21/336 , B82B1/00 , B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种FinFET电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法，本发明产品包括一芯片本体，其特征在于：芯片本体上包括机电区和电路区，机电区包括设置在芯片本体上的固定端，单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极；电路区包括以FinFET为单元构建的电路系统，FinFET单元中包括源、漏、Fin和栅，栅跨越Fin，电路区和机电区之间通过金属引线连接，金属引线在机电区，连接固定端或机电区电极，金属引线在电路区，连接电路系统中FinFET单元的栅或源或漏，电路区和机电区的外接端口分别连通外接布线。本发明不仅对制作出更高性能NEMS潜力很大，而且大大提高了系统的集成度和生产效率，降低了工业化生产成本，它在各种传感、射频、检测环境微小变化等领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN119560042A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411588358.0
申请日：2024-11-08
Applicant: 北京大学
IPC: G16C20/20 , G01N21/3586 , G16C20/70 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提出了一种基于太赫兹时域光谱系统与FPGA协同的生化物质智能化识别方法，属于生物化学检测领域。该方法利用THz‑TDS采集生化物质的太赫兹(THz)光谱数据；将THz光谱数据进行处理；处理后的THz光谱数据作为数据集，利用卷积神经网络(CNN)对其进行训练，实现CNN模型对生化物质的精准识别；将训练好的CNN模型权重参数导出，并将CNN模型部署至FPGA，利用FPGA强大的并行处理能力实现推理加速，智能化地识别出生化物质类型。本发明可以高效地处理和分析THz光谱数据，实现生化物质的智能化精准识别，并满足快速、低功耗的检测需求。
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公开(公告)号：CN119131411A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411219496.1
申请日：2024-09-02
Applicant: 北京大学
IPC: G06V10/44 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G01N21/3586
Abstract: 本发明公开一种基于YOLO网络的生化物质太赫兹光谱识别方法，属于太赫兹光谱识别领域。本发明通过太赫兹时域光谱系统(THz‑TDS)获取生化物质太赫兹光谱；利用Labelimg数据标注软件对太赫兹频域谱的吸收峰进行标注，并将其作为太赫兹光谱数据集，基于YOLO v5模型构建YOLO生化物质太赫兹光谱识别模型；将THz‑TDS采集到的生化物质太赫兹光谱预处理后输入至训练好的YOLO生化物质太赫兹光谱识别模型中进行检测，得到目标检测结果。本发明根据生化物质的太赫兹吸收峰来完成对太赫兹光谱的识别，准确率高，降低了对大量训练数据的依赖，可广泛应用于太赫兹光谱识别领域。
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