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公开(公告)号：CN110629190A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201811497178.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法，涉及氮化硼制备方法，氦离子显微镜加工，和石墨烯的化学气相沉积生长。其主要特征为将氮化硼置于金属箔片基底，并用氦离子显微镜在氮化硼上刻蚀出亚10纳米孔洞，然后利用化学气相沉积法，在氮化硼纳米孔洞中生长石墨烯量子点。本发明提出的方法，解决了石墨烯量子点几何尺寸和位置不能有效控制，且稳定性不好的技术喝科学问题，氦离子加工辅助生长的方法，实现了高度可控的亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备。
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公开(公告)号：CN110295357A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201810233438.2
申请日：2018-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速宏量制备超大尺寸二维材料薄膜的方法及装置，涉及超大尺寸二维材料薄膜的制备方法。所述方法为将金属箔或其他柔性耐高温衬底与柔性耐高温隔层复卷成大卷，放在支架上，并在材料生长腔中同时整体生长的方法，在金属箔或其他柔性耐高温衬底表面快速宏量制备出尺寸大，易裁剪，易加工，成本低的高质量超大尺寸二维材料薄膜。本发明提出的方法及装置，解决了传统方法制备的二维材料薄膜工艺复杂、设备昂贵，以及所制备二维材料薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低，卷对卷制备方法生长效率较低，且所需设备复杂成本较高，无法满足大规模应用的需要等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速宏量制备高质量超大尺寸二维材料薄膜样品。
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公开(公告)号：CN109883347A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910194330.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种基于光学三倍频的测量二维材料应变张量的装置及方法。所述装置包括脉冲激光光源、反射镜、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品、滤光片、第二偏振片和光谱仪。本发明实现了对二维材料应变张量的测量，具有测量速度快、简单有效、不破坏被测样品的特点。本发明首次实现了不受二维材料体系(能带结构、晶体对称性等)限制的应变张量测量，对与应变工程精准调控二维材料性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
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公开(公告)号：CN109883346A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910193734.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明公开了一种测量二维材料三阶非线性光弹张量的装置和方法。所述装置包括超快激光光源、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品及应变施加装置、反射镜、第二偏振片、滤光片和光谱仪。本发明首次实现了对二维材料三阶非线性光弹张量的测量，对于发展不受二维材料体系限制的、基于光学三倍频的测量二维材料中应变的方法提供先决条件，为应变工程精准调控二维材料的光学、电学和光电子学性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109837523A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810493954.9
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法。本发明的目的在于克服现有技术之不足，将同位素标定法和局部碳源供给法结合起来，并利用脉冲控制电路能够快速准确地标定出石墨烯超快生长的速率，整个过程操作简便，程序可控，探测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN106449968B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201611047812.7
申请日：2016-11-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种产生自旋极化的石墨烯器件及其制备方法。本发明采用微机械剥离法制备单层石墨烯，根据单层石墨烯的水平尺寸，挑选磁性绝缘体纳米片，通过纳米微机械显微操纵台的玻璃针尖将磁性绝缘体纳米片转移到单层石墨烯上，形成磁性绝缘体纳米片/石墨烯异质结构；在磁性绝缘体纳米片上方压上电子束抗蚀剂片，从而使得磁性绝缘体纳米片与单层石墨烯更紧密结合，有利于出现石墨烯的自旋极化，还可以防止旋涂导致的石墨烯破裂，提高成品率；本发明结合纳米材料的优点，方便调控单层石墨烯和磁性绝缘体纳米片的耦合作用，改善石墨烯自旋极化的效率；同时具有成本低、成品率高、易推广的优势，达到便捷高效、灵活操作的目的。
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公开(公告)号：CN105803522B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610193137.2
申请日：2016-03-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种连续制备大单晶石墨烯的方法，涉及大单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用铜箔作为催化剂及生长基底，利用两个常压化学气相沉积设备将铜箔退火和石墨烯生长分开进行，通过两端的转动装置，连续获得大尺寸高质量的石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了连续制备大单晶石墨烯样品。
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公开(公告)号：CN105115795B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201510427878.8
申请日：2015-07-20
Applicant: 北京大学
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明公开了一种微米级薄片透射电子显微镜截面样品的制备方法。本发明先将微米级薄片样品切割成矩形样品条夹在固化样品片中形成块体样品，然后切割成截面样品薄片，在一个截面方向的表面粘样品托，对两个表面进行手工研磨，在另一个表面通过固化粘结剂粘支持环，然后加热去掉样品托，同时使支持环固化粘接在截面样品薄片上，再修整好样品，最后进行离子减薄得到TEM截面样品；本发明的制备方法，操作工艺简单，使用的制样设备和技术成熟，制样成功率高，实用性强，适合于多种微米级薄片状的TEM截面样品的制备。
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公开(公告)号：CN106835260A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710028076.9
申请日：2017-01-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法。所述方法为用镀镍的单晶铜箔作为原料，利用退火制备出超大尺寸单晶铜镍合金，然后利用常压化学气相沉积法，以单晶铜镍合金为衬底获得超大尺寸高质量多层单晶石墨烯。本发明提出的方法，用简单的方法获得大尺寸单晶铜镍合金，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸多层单晶石墨烯，解决了多层石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了高质量大尺寸的多层单晶石墨烯样品和单晶铜镍合金和的制备。
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