公开(公告)号：CN110629190A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201811497178.6

申请日：2018-12-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  陈东学 ,  乔瑞喜 ,  俞大鹏

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法，涉及氮化硼制备方法，氦离子显微镜加工，和石墨烯的化学气相沉积生长。其主要特征为将氮化硼置于金属箔片基底，并用氦离子显微镜在氮化硼上刻蚀出亚10纳米孔洞，然后利用化学气相沉积法，在氮化硼纳米孔洞中生长石墨烯量子点。本发明提出的方法，解决了石墨烯量子点几何尺寸和位置不能有效控制，且稳定性不好的技术喝科学问题，氦离子加工辅助生长的方法，实现了高度可控的亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备。

公开(公告)号：CN110629190B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201811497178.6

申请日：2018-12-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  陈东学 ,  乔瑞喜 ,  俞大鹏

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备方法，涉及氮化硼制备方法，氦离子显微镜加工，和石墨烯的化学气相沉积生长。其主要特征为将氮化硼置于金属箔片基底，并用氦离子显微镜在氮化硼上刻蚀出亚10纳米孔洞，然后利用化学气相沉积法，在氮化硼纳米孔洞中生长石墨烯量子点。本发明提出的方法，解决了石墨烯量子点几何尺寸和位置不能有效控制，且稳定性不好的技术喝科学问题，氦离子加工辅助生长的方法，实现了高度可控的亚10纳米稳定石墨烯量子点的制备。