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公开(公告)号：CN101316464A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810116161.1
申请日：2008-07-04
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种同步光泵浦的有机薄膜晶体管，涉及一种有机薄膜晶体管。该晶体管是在有机薄膜晶体管的上方增设同步泵浦光源(6)。同步泵浦光源(6)的电压与有机薄膜晶体管栅极电压同步控制。该晶体管可用于光电子器件的驱动电路或开关电路。本发明可提高薄膜晶体管的开关电流比和增加输出电流。
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公开(公告)号：CN101055843A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700－900℃下，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；步骤2，在400－500℃下，生长厚度为1－4nm的MgO柔性层；步骤3，在700－800℃下，退火处理10－30分钟；步骤4，在350－450℃下，生长厚度为10－30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；步骤6，在600－700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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公开(公告)号：CN100337341C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03156237.X
申请日：2003-09-02
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法。先对光刻好的ITO玻璃基片，进行类似加盖印章式的简单处理，将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上；形成绝缘隔离柱，备蒸发完各个有机层后蒸发背电极。其步骤：设计背电极的条纹图案；选择高分子材料—聚二甲基硅氧烷，制作条纹图案的图章；利用该图章，将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上，方向与ITO垂直，厚度约为1-5微米；烘干冷却后，形成与ITO条纹垂直的的沟道-隔离柱；蒸镀其他层；蒸镀背电极材料。该方法的优点是既省略了光刻的复杂工艺，又克服了掩膜法分辨率低，对板(模具)困难的缺点。
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公开(公告)号：CN101005121A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610011204.0
申请日：2006-01-17
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 利用光子晶体异质结提高有机电致发光器件色纯度的方法，在有机电致发光器件的输出光路上ITO层中设置一个光子晶体异质结区，该异质结由n个利用自组装技术制备的SiO2纳米微球光子晶体多层膜组成，n为自然数且2≤n≤5；异质结中每个多层膜光子禁带的位置可以通过选择不同直径的纳米微球的方法来调节；通过调节这些光子晶体多层膜反射光的频率范围使它们都能允许处于所需频率范围内的光通过，而反射处在该频率范围之外的出射光就可以提高有机电致发光器件的色纯度；和现用的添加滤光片、利用微腔结构和制备分布式布拉格反射器提高发光器件色纯度方法相比，它工艺简单，成本较低，减少了因光吸收和平面光波导效应所带来的光能浪费。
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公开(公告)号：CN106835073A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611027687.3
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京交通大学
IPC: C23C16/453 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/453 , C23C16/305
Abstract: 目前制备单层二硫化钼的方法包括微机械剥离法、液相超声剥离法、锂离子插层法、激光法和退火逐层变薄法、化学气相沉积法。化学气相沉积法制备的二硫化钼尺寸大、表面均匀且层数可控。采用化学气相沉积法制备二硫化钼时，二硫化钼容易在衬底上的杂质或划痕等缺陷处成核生长。如果衬底清洗不干净，二硫化钼就极易长成多层或体材料，彻底清洗衬底,会用到丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品，这些药品对人体有毒害作用，因而操作过程中具有潜在的危险。基于上述问题，本发明的目的在于提供一种制备单层二硫化钼的简化的化学气相沉积法，能够制备出高质量的单层二硫化钼，同时不需要使用丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品清洗衬底，避免了潜在的危险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106711225A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611012457.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , B32B38/10
CPC classification number: H01L29/78 , B32B38/10 , H01L29/24 , H01L29/66969
Abstract: 本发明涉及二维纳米材料制备及其应用领域，现阶段场效应晶体管制备工艺需要经过考虑衬底与生长材料之间的晶格匹配、衬底材料加热生长，掺杂等多道复杂工艺。二维硫化物材料以其超薄的材料厚度，载流子迁移率和带隙宽度可调控，与衬底之间不需要严格的晶格匹配等优点，利用其作为场效应晶体管的导电沟道材料，提供一种简单、快速、有效制备二维硫化物晶体场效应晶体管的方法，二维纳米硫化物材料及场效应晶体管的制备适用于半导体器件，集成电路等领域。
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公开(公告)号：CN104891477B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510250058.6
申请日：2015-05-15
Applicant: 北京交通大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种简单环保的石墨烯纸制备方法，涉及石墨烯纸制备领域。解决了现有的石墨烯纸制备技术对设备要求高、制备时间长和环境污染严重的问题。该石墨烯纸的制备方法包括：利用浓硫酸和高锰酸钾氧化石墨制备氧化石墨烯粉末；将氧化石墨烯粉末和去离子水混合、超声，得到氧化石墨烯分散液，加入抗坏血酸，加热还原，降温冷冻，解冻后形成网状石墨烯，再次加热进一步还原，降温超声，形成石墨烯的悬浊液；抽滤石墨烯悬浊液得到石墨烯纸。
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公开(公告)号：CN103280463B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310195118.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLixNyO或ZnMgzLixNyO；ZnLixNyO的靶包括ZnO、Li2O和Zn3N2，0
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公开(公告)号：CN105098153A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510388621.6
申请日：2015-07-03
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/38 , H01M4/625 , H01M10/052
Abstract: 一种在水溶液中制备石墨烯/硫复合材料的制备方法，涉及一种简便易行，并且石墨烯片层质量高，硫颗粒分散均匀的石墨烯/硫复合材料的制备方法。复合物中硫均匀分散于大比表面积和高导电性的石墨烯表面，一定程度限制了石墨烯片层的团聚，二组分的协同效应，使复合材料具有高的电化学性能。该方法，取氧化石墨烯置于容器中，加入每50mg氧化石墨烯则100mL的去离子水超声30分钟，再加入每50mg氧化石墨烯则0.8g的硫代硫酸钠溶液，搅拌，加热至95摄氏度，反应3-5小时，反应过程中慢慢滴加每50mg氧化石墨烯则10-20mL浓度为1mol/L硫酸溶液，将得到的混合液转移至离心机中离心，最终得到的沉淀物,再转移至真空干燥箱60摄氏度条件下干燥24h，所得粉末即为石墨烯/硫的复合物材料。
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公开(公告)号：CN105084351A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510388228.7
申请日：2015-07-03
Applicant: 北京交通大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种氮掺杂石墨烯水凝胶的制备方法，涉及一种在低温条件下制取氮掺杂石墨烯水凝胶的制备方法。该方法，取氧化石墨烯配制成一定浓度的溶液，配制过程中保证充分的搅拌和超声，形成分散均匀的片层氧化石墨溶液，将所配制溶液中加入碳酸氢铵，之后进行搅拌和超声，使其充分的混合，对所配制溶液中加入硫化钠，进行搅拌，使其溶解，再将其放入烘箱中进行加热，从烘箱取出样品，用清水对样品进行多次的清洗，得到氮掺杂石墨烯水凝胶材料。
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