知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

4 records (took 0.017 seconds)

    一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
    1.
    发明公开
    一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法 失效

    公开(公告)号：CN103280463A

    公开(公告)日：2013-09-04

    申请号：CN201310195118.X

    申请日：2013-05-23

    Applicant: 北京交通大学

    Inventor： 张希清 ,  周东站 ,  王海龙 ,  李彬 ,  高耸 ,  彭云飞 ,  王永生

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

    Abstract: 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLixNyO或ZnMgzLixNyO；ZnLixNyO的靶包括ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，厚度为20～60nm；ZnMgzLixNyO靶包括ZnO、MgO、Li2O和Zn3N2，x=0～0.1，y=0～0.1，z=0.01～0.1厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～860℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。

    一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
    3.
    发明公开
    一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法 失效

    公开(公告)号：CN103258859A

    公开(公告)日：2013-08-21

    申请号：CN201310195082.5

    申请日：2013-05-23

    Applicant: 北京交通大学

    Inventor： 张希清 ,  李彬 ,  王海龙 ,  周东站 ,  彭云飞 ,  高耸 ,  衣立新 ,  王永生

    IPC: H01L29/786

    Abstract: 一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZnxLiyNzO；InZnxLiyNzO的靶包括In2O3、ZnO、Li2O和Zn3N2，x=0～2，y=0～0.1，Z=0～0.1，厚度为20～60nm。用磁控溅射法制备沟道层，溅射功率为70～200W，氧/氩压比为0～40%，生长温度为室温～500℃，退火温度为350～500℃或760～960℃。该薄膜晶体管主要用于平板显示和透明电路。

Patent Agency Ranking