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公开(公告)号：CN101866983B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201010173492.6
申请日：2010-05-10
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；其结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO＝(0.5％～3％)∶(97％～99.5％)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。
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公开(公告)号：CN101964397A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010256417.6
申请日：2010-08-18
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于NPB和BND的紫外光探测器，属于光电子信息领域，主要用于天体物理分析，太阳辐射和大气臭氧层研究，环境监测及预报，医疗卫生等领域。本发明是在ITO导电玻璃阳极(4)上依次真空蒸镀空穴传输材料NPB与电子传输材料BND的功能层(3)，氟化锂阴极修饰层(2)和铝金属薄膜阴极(1)。其中NPB和BND混合层的厚度为80～120nm，其质量比例4∶1。该紫外光探测器的探测范围为波长300～400nm的紫外光。该紫外光探测器具有成本低，工作电压低，简单易制，光电流产生的效率高，光电响应大的特点。
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公开(公告)号：CN101866983A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010173492.6
申请日：2010-05-10
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂的ZnO薄膜；步骤三，将生长Ga掺杂的ZnO薄膜放入氧气氛下退火；步骤四，在退火后的Ga掺杂的ZnO薄膜上蒸镀两个Al电极；其结构自下而上依次是：石英衬底，Ga掺杂的ZnO薄膜、两个Al电极。Ga掺杂的ZnO薄膜组分质量比为Ga2O3∶ZnO＝(0.5％～3％)∶(97％～99.5％)。可用于环境保护、火焰探测、天文学观测、生物医学和医疗卫生等领域。
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公开(公告)号：CN100468662C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700-900℃下，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；步骤2，在400-500℃下，生长厚度为1-4nm的MgO柔性层；步骤3，在700-800℃下，退火处理10-30分钟；步骤4，在350-450℃下，生长厚度为10-30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；步骤6，在600-700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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公开(公告)号：CN101055843A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700－900℃下，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；步骤2，在400－500℃下，生长厚度为1－4nm的MgO柔性层；步骤3，在700－800℃下，退火处理10－30分钟；步骤4，在350－450℃下，生长厚度为10－30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；步骤6，在600－700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101964397B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010256417.6
申请日：2010-08-18
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于NPB和BND的紫外光探测器，属于光电子信息领域，主要用于天体物理分析，太阳辐射和大气臭氧层研究，环境监测及预报，医疗卫生等领域。本发明是在ITO导电玻璃阳极(4)上依次真空蒸镀空穴传输材料NPB与电子传输材料BND的功能层(3)，氟化锂阴极修饰层(2)和铝金属薄膜阴极(1)。其中NPB和BND混合层的厚度为80～120nm，其质量比例4∶1。该紫外光探测器的探测范围为波长300～400nm的紫外光。该紫外光探测器具有成本低，工作电压低，简单易制，光电流产生的效率高，光电响应大的特点。
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公开(公告)号：CN101350312A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810222662.8
申请日：2008-09-22
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/36 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750－850℃下高温处理20－60分钟；步骤2，在500－700℃下，氧等离子体处理30－50分钟；步骤3，在400－500℃下生长厚度为1.5－6nm的MgO柔性层；步骤4，在700－850℃下，退火处理10－20分钟；步骤5，在500－600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。
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公开(公告)号：CN100431101C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200710099109.5
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700-900℃，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；2.在400-500℃下，生长1-4nm的MgO层；3.在700-800℃下，退火处理10-30分钟；4.在350-450℃下，生长10-30nm的ZnO过渡层；5.在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；6.在600-700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。
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公开(公告)号：CN101050544A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710099109.5
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: C30B23/06 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传入MBE生长系统，打开光源控制电源(4)，使光源点亮，调节控制电源的功率，使衬底到达700－900℃，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；2.在400－500℃下，生长1－4nm的MgO层；3.在700－800℃下，退火处理10－30分钟；4.在350－450℃下，生长10－30nm的ZnO过渡层；5.在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；6.在600－700℃下，生长ZnO单晶薄膜。本发明不仅快速升降生长温度，改善粒子迁移能和分子解离能。提高氧化物薄膜生长质量。用于在光电子器件制备。
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公开(公告)号：CN101800289A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010128004.X
申请日：2010-03-16
Applicant: 北京交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种有机紫外探测器及其制作方法，特别是一种基于有机聚合物的紫外探测器及其制作方法，属于光电子信息领域。基于有机聚合物的紫外探测器的结构自下而上依次是：ITO玻璃、PEDOT薄膜、PVK:PBD混合薄膜、LiF薄膜、AL电极。其制作方法是：在ITO玻璃上依次旋涂PEDOT薄膜、PVK:PBD混合薄膜，然后真空蒸镀LiF薄膜、AL电极。所述结构中，ITO为阳极电极、PEDOT薄膜厚度为20nm、PVK:PBD混合薄膜厚度为70～130nm、LiF薄膜厚度为1nm、AL电极厚度为100nm。本发明的优点在于工艺简单、低成本、低偏压、高响应度和可制成柔性器件；在环境保护、紫外通信、天文学观测、生物医学研究和医疗卫生等领域具有重要的应用前景。
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