公开(公告)号：CN1300641C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03108247.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  中别府健一 ,  笠间佳子

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。

公开(公告)号：CN1846173A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480024889.1

申请日：2004-08-27

Applicant: 索尼株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  横山诚一

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/30 ,  H05B33/26 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种可以适用于含有银和/或银合金的基板的光致抗蚀剂剥离液组合物，其中含有从下述的式(I)所表示的化合物、下述的式(II)所表示的化合物、下述的式(III)所表示的化合物、邻苯二酚、对苯二酚、连苯三酚、没食子酸、没食子酸酯之中选择的一种、两种或更多种、以及一种、两种或更多种极性有机溶剂，式(I)中，A、B分别相互独立地为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基，Y为NH或O的任一个，Z为NH2、OH、NH－D－NH2，其中，D为直链状或支链状的碳原子数为1～5的亚烷基；式(II)中，A、B与式(I)的相同；式(III)中，R为H、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的羟基烷基或碳原子数为1～5的氨基烷基。

公开(公告)号：CN1253527C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN01142051.0

申请日：2001-09-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  森清人

IPC: C09K13/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C09K13/00 ,  H01L21/32134 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物，该组合物含有透明导电膜用蚀刻液，以及从聚磺酸化合物和聚氧化乙烯-聚氧化丙烯嵌段共聚物构成的物质组中选取的一种或两种以上的化合物。该蚀刻液对发泡性具有抑制作用，而且蚀刻后不产生残渣。

公开(公告)号：CN1246739C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN02155744.6

申请日：2002-12-04

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  大和田拓央

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

CPC classification number: G03F7/422

Abstract: 一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其特征在于，该组合物含有从脂肪族多元羧酸及其盐组成的组中选择的一种或两种以上，和从还原性化合物及其盐组成的组中选择的一种或两种以上。该组合物在半导体电路元件的制造步骤中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对配线材料和层间绝缘膜材料产生化学浸蚀。

公开(公告)号：CN1225529C

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN00106046.5

申请日：2000-04-20

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  阿部优美子 ,  森清人

IPC: C11D1/00 ,  C11D3/20 ,  H01L21/461

CPC classification number: H05K3/26 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2203/122

Abstract: 本发明提供不腐蚀金属、能够高效率地同时去除基板表面的金属杂质和颗粒的洗净液。该洗净电子材料用基板的洗净液含有分散剂和表面活性剂中的至少一种及有机酸化合物，且该洗净液不含有碱；所述有机酸化合物是从草酸、丙二酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸及它们的铵盐组成的组中选择的1种或2种以上，且所述有机酸化合物的量是所述洗净液的总量的0.01～30重量%；所述表面活性剂是阴离子型或者非离子型表面活性剂；所述分散剂是磷酸酯，且所述分散剂和表面活性剂的量是所述洗净液的总量的0.0001～10重量%。

公开(公告)号：CN1637604A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003846.1

申请日：2005-01-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/039

Abstract: 本发明提供一种不需要紫外线照射的前处理、在室温下可以剥离正型抗蚀剂的剥离液，其可以在装置内快速地消泡，而且对环境的影响小。本发明的光致抗蚀剂剥离液组合物剥离以苯醌二叠氮化物为感光性物质的正型光致抗蚀剂，该组合物含有下述成分：偏硅酸钠或氢氧化钠之中的任何一种，从二乙二醇或三乙二醇的单丁基醚或单己基醚之中选择的一种、两种或以上，以及水。

公开(公告)号：CN1458256A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03131434.1

申请日：2003-05-16

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭

IPC: C11D3/20

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D3/2075 ,  C11D7/26 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。

公开(公告)号：CN1447193A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03108247.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  中别府健一 ,  笠间佳子

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。