公开(公告)号：CN101842524A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880012096.6

申请日：2008-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 谷崎圭祐 ,  水原奈保 ,  宫永伦正 ,  中幡英章 ,  山本喜之

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/02 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体，在生长氮化铝晶体的过程中，所述生长氮化铝晶体的方法能够阻止所述起始衬底的升华，并且能够在提高的生长速度下生长具有良好结晶性的氮化铝晶体。所述生长氮化铝晶体(20)的方法包括下列步骤。首先，设置具有起始衬底(11)、第一层(12)和第二层(13)的层状基板(10)，所述起始衬底(11)具有主面(11a)和背面(11b)，所述第一层(12)设置于所述背面(11b)上，所述第二层(13)设置于所述第一层(12)上。通过气相生长法在所述起始衬底(11)的所述主面(11a)上生长氮化铝晶体(20)。所述第一层(12)由在所述氮化铝晶体(20)的生长温度下升华能力比所述起始衬底(11)低的物质形成。所述第二层(13)由热导率比所述第一层(12)高的物质形成。

公开(公告)号：CN100409408C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200380100646.7

申请日：2003-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 难波晓彦 ,  山本喜之 ,  角谷均 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01L21/265 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明制备n-型半导体金刚石的方法的特征在于，通过向结合有10ppm或以上N的单晶金刚石中注入Li离子，使得其中含有10ppm的Li离子，来制备结合有Li和N的金刚石，或者，在用LI和N离子掺杂单晶金刚石的过程中，注入离子，使得在后注入Li和N浓度各为10ppm或以上处的离子注入深度将会重叠，来制备结合有Li和N的金刚石，然后在800℃或以上至低于1800℃的温度退火金刚石，以电激活Li和N且恢复金刚石的晶体结构。在本发明中，n-型半导体金刚石在从晶体面至相同的深度结合了各为10ppm或以上的Li和N，其中其薄层电阻为107Ω/□或更低。

公开(公告)号：CN104641453B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201380046378.9

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  广村友纪 ,  松本直树 ,  中畑成二 ,  中西文毅 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之 ,  善积祐介 ,  三上英则

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/02 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B2307/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24298 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。

公开(公告)号：CN101922045B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010202934.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中幡英章 ,  藤原伸介 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。

公开(公告)号：CN102159755B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080002639.3

申请日：2010-01-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。

公开(公告)号：CN102084039B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。

公开(公告)号：CN103155102A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201280003355.5

申请日：2012-02-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  吉田浩章 ,  山本喜之 ,  八乡昭广 ,  松原秀树

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种具有保护膜的复合衬底(2Q)，其包含支持衬底(10)、布置在所述支持衬底(10)上的氧化物膜(20)、布置在所述氧化物膜(20)上的半导体层(30a)、和保护膜(40)，所述保护膜(40)通过覆盖作为所述氧化物膜(20)的一部分且未被所述支持衬底(10)和所述半导体层(30a)覆盖的部分(20s、20t)来保护所述氧化物膜(20)。本发明还提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：准备所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的步骤；和在所述具有保护膜的复合衬底(2Q)的所述半导体层(30a)上外延生长至少一层功能半导体层的步骤，所述至少一层功能半导体层使得呈现半导体器件的必要功能。由此，提供了一种具有保护膜的复合衬底，其具有其中可以外延生长高品质功能半导体层的大的有效区域；和一种制造半导体器件的方法，其中使用所述具有保护膜的复合衬底。

公开(公告)号：CN102465343A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110359911.X

申请日：2011-11-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  佐藤一成

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍大且比其1.0倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲而不会在衬底中产生裂纹的GaN基膜。

公开(公告)号：CN102465342A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110358558.3

申请日：2011-11-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  佐藤一成

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的1.0倍大且比其1.2倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲的GaN基膜。

公开(公告)号：CN102137960A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980134190.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  B24B1/00 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B25/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02389

Abstract: 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。