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公开(公告)号：CN108539402B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810267778.7
申请日：2018-03-28
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开发明了一种跑道形宽带耦合天线，其涉及贴片天线领域，为提供一款小型化高性能贴片天线。为此，本发明采取的技术方案是跑道形宽带耦合天线，以两个半跑道形贴片作为辐射贴片，其中上半个跑道形贴片由一个扇形贴片和两个平行四边形贴片组成，下半个跑道形贴片由一个梯形贴片、一个矩形贴片和一个半圆形贴片组成，上半个跑道形贴片的纵向对称轴上被镂空一个大的圆形和长方形的结合体，并在被镂空的区域内加入一个较小的圆环和长方形的结合体贴片并与下半个跑道贴片的顶端连接，镂空边缘与加入的结合体贴片之间的最小间距处处相等，辐射贴片置于RO4003C基板上，接地板置于基板下方。馈电点位于较小的圆环中心处。本发明主要应用于贴片天线设计。
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公开(公告)号：CN110289500B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910346269.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点，可用于太赫兹波探测。
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公开(公告)号：CN108333803B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201810064229.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国计量大学
IPC: G02F1/13
Abstract: 本发明公开了一种可调太赫兹超材料吸收器。它包括基底层、下电介质层、液晶材料层、上电介质层和金属圆盘谐振器阵列层；基底层为二硫化钼膜层，二硫化钼膜层的上层为下电介质层，下电介质层上层为液晶材料层，液晶材料层上层为上电介质层，上电介质层的上层为金属圆盘谐振器阵列层；金属谐振器阵列层由3×3个金属圆盘和椭圆盘组成的互补单元结构排列组成，在每个互补单元结构结构，圆盘位于中心，并且被四个椭圆盘围绕；太赫兹信号从吸收器上方垂直输入；通过给上下两个电介质层施加电压来改变液晶的折射率，从而使吸收器的吸收峰发生偏移，实现可调功能。本发明有结构简单紧凑、吸收性能好，太赫兹波吸收原理新颖，尺寸小，易加工等优点。
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公开(公告)号：CN110048201B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910440750.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种多频段太赫兹带阻滤波器。它包括太赫兹波输入端、太赫兹波输出端、N×N个结构单元，N为自然数，N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上。结构单元从上到下依次为圆形贴片上金属层、上介质层、圆环贴片上金属层、中间介质层、圆环贴片下金属层、下介质层、圆形贴片下金属层。结构单元以中间介质层为中心上下镜像对称。本发明的多频段太赫兹带阻滤波器具有设计简单、结构紧凑、性能优越等优点，满足太赫兹通信、太赫兹传感和太赫兹成像等应用系统的要求。
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公开(公告)号：CN108365303B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201810064731.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种单偏振温控太赫兹开关。它包括信号输入端、信号输出端、输入波导、输出波导、中间波导；其中，中间波导由相同数量的二氧化钒薄片和硅薄片依次交叉排列而成；当太赫兹波从输入波导输入时，通过调节温度大小，改变二氧化钒的有效介电常数，从而实现对该开关的谐振频率进行温度可调，实现对该太赫兹波开关的温控功能。本发明具有结构简单紧凑，易实现等特点，在太赫兹通信系统、传感、成像方面具有巨大的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110176669B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910440790.8
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双通道超宽频可穿戴天线。它包括衬底、左圆形贴片、左蛇形联结环、U形联结环、右蛇形联结环、右圆形贴片、矩形缺口接地板；其中左圆形贴片、左蛇形联结环、U形联结环、右蛇形联结环、右圆形贴片位于衬底正面位置，且左圆形贴片、右圆形贴片之间按从左向右的顺序分别连接有左蛇形联结环、U形联结环、右蛇形联结环；其中U形联结环的左右两个柄端分别与左蛇形联结环的右下部分、右蛇形联结环的左下部分相连接；矩形缺口接地板位于衬底背面位置。本发明的双通道超宽频可穿戴天线具有结构简单，频带宽，辐射特性好，成本低等优点，满足在可穿戴无线通信领域的应用要求。
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公开(公告)号：CN110752421A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911019224.6
申请日：2019-10-24
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于无机钙钛矿太赫兹波开关。它包括硅基底、金属阵列结构、无机钙钛矿层；硅基底位于底层，金属阵列结构在硅基底上层，金属阵列结构的每个单元由U型金属条带和对称L型金属条带组成，其在二维中是周期性的，每个单元结构中的U型金属条带和对称L型金属条带形成的3个缺口处填充一定尺寸的无机钙钛矿，太赫兹波在金属阵列结构上方从几何中心处垂直输入，在金属阵列层左右两侧设有一个偏置直流电压源，调节外加偏置直流电压源的电压会改变无机钙钛矿电导率，实现不同外加电场时控制输出端太赫兹波传输的通断，进而实现开关的功能。本发明具有结构简单紧凑，控制带宽较宽，响应速度快，尺寸小，便于加工等优点。
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公开(公告)号：CN108983354B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810830851.7
申请日：2018-07-26
Applicant: 中国计量大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹TM偏振模式分束器，包括信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端、第三信号输出端、两个左右对称的弧形波导、上下两个3×3多模干涉结构(MMI)、三个不同移相器、三个矩形波导、若干梯形波导（包含九个相同的小梯形波导和三个相同的大梯形波导）；太赫兹TM波从信号输入端输入，不同模式TM偏振波分别从第一信号输出端、第二信号输出端、第三信号输出端输出，实现分束功能。本发明能有效对TM偏振波进行模式分束，低损耗且性能优良。
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公开(公告)号：CN110289500A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910346269.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点，可用于太赫兹波探测。
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公开(公告)号：CN110187522A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910440796.5
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关。它包括上金属方环电极、Bi2O2Se纳米薄膜、硅基底、下金属方环电极、电压源；上金属方环电极位于顶层，上金属方环电极的下层为Bi2O2Se纳米薄膜层，Bi2O2Se纳米薄膜层下层为硅基底，硅基底下层为下金属方环电极，上金属方环电极和下金属方环电极大小形状相同且通过电压源相连，太赫兹波从顶层上方垂直射入顶层几何中心处，808nm波长连续激光从顶层上方45度射入顶层几何中心处，通过调节连续激光功率和外加电压大小，实现对太赫兹波的开关控制。本发明的硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关具有材料新颖，结构简单，便于制作，性能优越等优点，可用于太赫兹波开关控制。
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