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公开(公告)号：CN110187522B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201910440796.5
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关。它包括上金属方环电极、Bi2O2Se纳米薄膜、硅基底、下金属方环电极、电压源；上金属方环电极位于顶层，上金属方环电极的下层为Bi2O2Se纳米薄膜层，Bi2O2Se纳米薄膜层下层为硅基底，硅基底下层为下金属方环电极，上金属方环电极和下金属方环电极大小形状相同且通过电压源相连，太赫兹波从顶层上方垂直射入顶层几何中心处，808nm波长连续激光从顶层上方45度射入顶层几何中心处，通过调节连续激光功率和外加电压大小，实现对太赫兹波的开关控制。本发明的硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关具有材料新颖，结构简单，便于制作，性能优越等优点，可用于太赫兹波开关控制。
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公开(公告)号：CN110085974A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910346263.0
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种树枝状三频带可穿戴天线。它包括衬底、右L形分支、中间L形分支、矩形分支连接条、柄端、左L形分支、矩形接地板；其中右L形分支、中间L形分支、矩形分支连接条、柄端、左L形分支均位于衬底正面位置，且右L形分支、中间L形分支、左L形分支按从右到左的顺序依次排列，矩形分支连接条与右L形分支、中间L形分支、左L形分支的下端相连，且矩形分支连接条下端与材质相同的柄端相连；矩形接地板位于衬底背面位置，且其底边与衬底的底边重合。本发明的树枝状三频带可穿戴天线具有结构简单，与衣物有效的粘合，尺寸小，辐射特性好，成本低等优点，满足在可穿戴无线通信领域的应用要求。
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公开(公告)号：CN110289500B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910346269.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点，可用于太赫兹波探测。
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公开(公告)号：CN110048201B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910440750.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种多频段太赫兹带阻滤波器。它包括太赫兹波输入端、太赫兹波输出端、N×N个结构单元，N为自然数，N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上。结构单元从上到下依次为圆形贴片上金属层、上介质层、圆环贴片上金属层、中间介质层、圆环贴片下金属层、下介质层、圆形贴片下金属层。结构单元以中间介质层为中心上下镜像对称。本发明的多频段太赫兹带阻滤波器具有设计简单、结构紧凑、性能优越等优点，满足太赫兹通信、太赫兹传感和太赫兹成像等应用系统的要求。
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公开(公告)号：CN110176669B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910440790.8
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双通道超宽频可穿戴天线。它包括衬底、左圆形贴片、左蛇形联结环、U形联结环、右蛇形联结环、右圆形贴片、矩形缺口接地板；其中左圆形贴片、左蛇形联结环、U形联结环、右蛇形联结环、右圆形贴片位于衬底正面位置，且左圆形贴片、右圆形贴片之间按从左向右的顺序分别连接有左蛇形联结环、U形联结环、右蛇形联结环；其中U形联结环的左右两个柄端分别与左蛇形联结环的右下部分、右蛇形联结环的左下部分相连接；矩形缺口接地板位于衬底背面位置。本发明的双通道超宽频可穿戴天线具有结构简单，频带宽，辐射特性好，成本低等优点，满足在可穿戴无线通信领域的应用要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110289500A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910346269.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点，可用于太赫兹波探测。
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公开(公告)号：CN110187522A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910440796.5
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关。它包括上金属方环电极、Bi2O2Se纳米薄膜、硅基底、下金属方环电极、电压源；上金属方环电极位于顶层，上金属方环电极的下层为Bi2O2Se纳米薄膜层，Bi2O2Se纳米薄膜层下层为硅基底，硅基底下层为下金属方环电极，上金属方环电极和下金属方环电极大小形状相同且通过电压源相连，太赫兹波从顶层上方垂直射入顶层几何中心处，808nm波长连续激光从顶层上方45度射入顶层几何中心处，通过调节连续激光功率和外加电压大小，实现对太赫兹波的开关控制。本发明的硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关具有材料新颖，结构简单，便于制作，性能优越等优点，可用于太赫兹波开关控制。
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公开(公告)号：CN110085954B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910345454.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种斐波那契分形结构太赫兹双通带滤波器。它包括太赫兹波输入端、太赫兹波输出端、N×N个结构单元，N为自然数，N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上。结构单元从上到下依次为上保护层、上金属贴片、上介质层、中间金属结构层、下介质层、下金属贴片、下保护层。上保护层与下保护层的尺寸和材料相同；上金属贴片与下金属贴片的尺寸和材料相同，且贴片上都镂空出相同的斐波那契二级分形结构；上介质层与下介质层的尺寸和材料相同；中间金属结构层由方形线圈和镂空斐波那契一级分形结构的贴片组成。本发明的斐波那契分形结构太赫兹双通带滤波器具有设计新颖、结构紧凑、成本低廉、性能优越等优点，满足太赫兹成像与太赫兹通信系统应用需要。
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公开(公告)号：CN110165420A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910440777.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器。它包括N×N个周期排列的结构单元，N为自然数；每个结构单元从上到下依次为圆盘图案、介质层和金属基底；4个圆盘图案位于顶层，以中心对称的方式分布在介质层上；介质层的下层为金属基底；4个圆盘图案的材料为二硒化钼，通过调节二硒化钼的结合能，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现红外窄带可调吸收。本发明的基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点。
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公开(公告)号：CN110085954A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910345454.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种斐波那契分形结构太赫兹双通带滤波器。它包括太赫兹波输入端、太赫兹波输出端、N×N个结构单元，N为自然数，N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上。结构单元从上到下依次为上保护层、上金属贴片、上介质层、中间金属结构层、下介质层、下金属贴片、下保护层。上保护层与下保护层的尺寸和材料相同；上金属贴片与下金属贴片的尺寸和材料相同，且贴片上都镂空出相同的斐波那契二级分形结构；上介质层与下介质层的尺寸和材料相同；中间金属结构层由方形线圈和镂空斐波那契一级分形结构的贴片组成。本发明的斐波那契分形结构太赫兹双通带滤波器具有设计新颖、结构紧凑、成本低廉、性能优越等优点，满足太赫兹成像与太赫兹通信系统应用需要。
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