公开(公告)号：CN110187522B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201910440796.5

申请日：2019-05-24

Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司

Inventor： 李九生 ,  胡慕姝

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  H01P1/10

Abstract: 本发明公开了一种硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关。它包括上金属方环电极、Bi2O2Se纳米薄膜、硅基底、下金属方环电极、电压源；上金属方环电极位于顶层，上金属方环电极的下层为Bi2O2Se纳米薄膜层，Bi2O2Se纳米薄膜层下层为硅基底，硅基底下层为下金属方环电极，上金属方环电极和下金属方环电极大小形状相同且通过电压源相连，太赫兹波从顶层上方垂直射入顶层几何中心处，808nm波长连续激光从顶层上方45度射入顶层几何中心处，通过调节连续激光功率和外加电压大小，实现对太赫兹波的开关控制。本发明的硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关具有材料新颖，结构简单，便于制作，性能优越等优点，可用于太赫兹波开关控制。

公开(公告)号：CN108333803A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810064229.X

申请日：2018-01-23

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 李九生 ,  胡慕姝

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1313 ,  G02F2203/13

Abstract: 本发明公开了一种可调太赫兹超材料吸收器。它包括基底层、下电介质层、液晶材料层、上电介质层和金属圆盘谐振器阵列层；基底层为二硫化钼膜层，二硫化钼膜层的上层为下电介质层，下电介质层上层为液晶材料层，液晶材料层上层为上电介质层，上电介质层的上层为金属圆盘谐振器阵列层；金属谐振器阵列层由3×3个金属圆盘和椭圆盘组成的互补单元结构排列组成，在每个互补单元结构结构，圆盘位于中心，并且被四个椭圆盘围绕；太赫兹信号从吸收器上方垂直输入；通过给上下两个电介质层施加电压来改变液晶的折射率，从而使吸收器的吸收峰发生偏移，实现可调功能。本发明有结构简单紧凑、吸收性能好，太赫兹波吸收原理新颖，尺寸小，易加工等优点。

公开(公告)号：CN108333803B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201810064229.X

申请日：2018-01-23

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 李九生 ,  胡慕姝

IPC: G02F1/13

Abstract: 本发明公开了一种可调太赫兹超材料吸收器。它包括基底层、下电介质层、液晶材料层、上电介质层和金属圆盘谐振器阵列层；基底层为二硫化钼膜层，二硫化钼膜层的上层为下电介质层，下电介质层上层为液晶材料层，液晶材料层上层为上电介质层，上电介质层的上层为金属圆盘谐振器阵列层；金属谐振器阵列层由3×3个金属圆盘和椭圆盘组成的互补单元结构排列组成，在每个互补单元结构结构，圆盘位于中心，并且被四个椭圆盘围绕；太赫兹信号从吸收器上方垂直输入；通过给上下两个电介质层施加电压来改变液晶的折射率，从而使吸收器的吸收峰发生偏移，实现可调功能。本发明有结构简单紧凑、吸收性能好，太赫兹波吸收原理新颖，尺寸小，易加工等优点。

公开(公告)号：CN110187522A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910440796.5

申请日：2019-05-24

Applicant: 中国计量大学上虞高等研究院有限公司

Inventor： 李九生 ,  胡慕姝

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00 ,  H01P1/10

Abstract: 本发明公开了一种硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关。它包括上金属方环电极、Bi2O2Se纳米薄膜、硅基底、下金属方环电极、电压源；上金属方环电极位于顶层，上金属方环电极的下层为Bi2O2Se纳米薄膜层，Bi2O2Se纳米薄膜层下层为硅基底，硅基底下层为下金属方环电极，上金属方环电极和下金属方环电极大小形状相同且通过电压源相连，太赫兹波从顶层上方垂直射入顶层几何中心处，808nm波长连续激光从顶层上方45度射入顶层几何中心处，通过调节连续激光功率和外加电压大小，实现对太赫兹波的开关控制。本发明的硅基Bi2O2Se结构太赫兹波开关具有材料新颖，结构简单，便于制作，性能优越等优点，可用于太赫兹波开关控制。

公开(公告)号：CN208298983U

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201820431924.0

申请日：2018-03-28

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 胡慕姝

IPC: H01P1/20

Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯可调低通滤波器。它包括基底层、多晶硅组、介质层、石墨烯条；基底层的上层设有多晶硅组，多晶硅组是由七个几何形状大小完全相同的长方形多晶硅依次等间距排列而成，多晶硅组的上层是介质层，石墨烯条位于介质层的上表面几何中心处。通过加偏置电压调节石墨烯层的费米能级，实现太赫兹波的调谐，本实用新型具有滤波性能好，插入损耗低，结构新颖，便于集成等优点。