基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器

    公开(公告)号:CN110165420B

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN201910440777.2

    申请日:2019-05-24

    Inventor: 李九生 陈旭生

    Abstract: 本发明公开了基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器。它包括N×N个周期排列的结构单元,N为自然数;每个结构单元从上到下依次为圆盘图案、介质层和金属基底;4个圆盘图案位于顶层,以中心对称的方式分布在介质层上;介质层的下层为金属基底;4个圆盘图案的材料为二硒化钼,通过调节二硒化钼的结合能,从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率,实现红外窄带可调吸收。本发明的基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点。

    可调双频太赫兹吸收器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110289500B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201910346269.8

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底;二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层,二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成,每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成;十字图案通过二硒化钨线连接,十字图案被二硒化钨线分为两组,每组连接不同的金属电极,两组之间相互独立,二硒化钨图案的下层为介质层,介质层的下层为金属基底,金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级,从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率,实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点,可用于太赫兹波探测。

    可调双频太赫兹吸收器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110289500A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910346269.8

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种可调双频太赫兹吸收器。它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底;二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层,二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成,每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成;十字图案通过二硒化钨线连接,十字图案被二硒化钨线分为两组,每组连接不同的金属电极,两组之间相互独立,二硒化钨图案的下层为介质层,介质层的下层为金属基底,金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级,从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率,实现可调谐太赫兹波双频带吸收。本发明的可调双频太赫兹吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点,可用于太赫兹波探测。

    基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器

    公开(公告)号:CN110165420A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910440777.2

    申请日:2019-05-24

    Inventor: 李九生 陈旭生

    Abstract: 本发明公开了基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器。它包括N×N个周期排列的结构单元,N为自然数;每个结构单元从上到下依次为圆盘图案、介质层和金属基底;4个圆盘图案位于顶层,以中心对称的方式分布在介质层上;介质层的下层为金属基底;4个圆盘图案的材料为二硒化钼,通过调节二硒化钼的结合能,从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率,实现红外窄带可调吸收。本发明的基于二硒化钼圆盘图案的可调吸收器具有结构紧凑新颖、吸收率高、控制方法新颖原理简单等优点。

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