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公开(公告)号：CN109686658A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811526241.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/18 , H01L31/105
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：在第一衬底的表面上依次设置第一介质层、波导层和第二介质层形成第一待键合结构；形成包括第二衬底和设置在第二衬底表面上的第二预探测层的预探测结构，第二预探测层包括沿远离第二衬底方向依次叠置的第一子结构层和第二子结构层或者第二预探测层包括第二子结构层，第二子结构层的生长温度大于第一子结构层的生长温度；在第二子结构层的表面上设置第三介质层，形成第二待键合结构，第二介质层和第三介质层的材料相同；将第一待键合结构和第二待键合结构键合，形成键合结构；至少去除第二衬底，预探测结构中只剩余第二子结构层。该制作方法制备得到的探测器中的暗电流较小。
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公开(公告)号：CN114488394B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210089673.3
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种氮化硅光栅耦合器及其制备方法、光器件，涉及光器件技术领域，用于提供一种采用低压化学气相淀积法与等离子体增强化学气相沉积相结合的方式有效提升光纤与光芯片的耦合效率的技术方案。氮化硅光栅耦合器包括：衬底；形成在衬底上的包层；形成在包层中的光栅耦合器；其中，光栅耦合器包括自下而上间隔设置的第一氮化硅光栅耦合层和第二氮化硅光栅耦合层，第一氮化硅光栅耦合层与第二氮化硅光栅耦合层之间形成有包层；其中，第一氮化硅光栅耦合层采用低压化学气相淀积法形成，第二氮化硅光栅耦合层采用等离子体增强化学气相沉积法形成。
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公开(公告)号：CN113568105B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202110673125.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种波导层间耦合结构及其制备方法，涉及硅光器件技术领域，以解决现有耦合结构存在层间耦合损耗较大的技术问题。所述波导层间耦合结构包括：基底。形成在基底上的第一波导；其中，第一波导位于基底的第一区域。形成在基底上的第一介质层，且第一介质层覆盖第一波导。以及形成在第一介质层上第二波导，其中，第二波导位于基底的第二区域，第一波导在基底上的投影与第二波导在基底上的投影具有重合区域，以使从第二波导出射的光耦合地进入第一波导中。第二波导靠近第一波导的一端具有台阶状结构，且沿第一波导至第二波导的方向，台阶状结构中的台阶的厚度依次增大。
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公开(公告)号：CN116794771A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310084469.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：衬底；位于衬底上的第一波导；第一波导位于衬底上的第一区域；位于衬底上的第一介质层，第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的过渡层；位于第一介质层远离衬底一侧的第二介质层；第二介质层覆盖过渡层；位于第二介质层远离衬底一侧的第二波导；第二波导位于所述衬底的第二区域；第一波导、过渡层和第二波导任意两者之间在衬底上的投影具有重合区域；第二波导靠近第一波导的一端具有斜面结构。从而本申请在第一波导和第二波导之间引入过渡层，在保证耦合效率的前提下，增大了第一波导和第二波导层间距离，有效减少高度集成时的层间串扰，降低了对器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN112924143B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110134591.1
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种光子芯片晶圆级测试装置和方法，属于硅光子与光电子技术领域，解决现有测试方法不能经由端面耦合器件对光学器件进行测试并影响光学器件的尺寸减小的问题。该装置包括待测晶圆和L型透镜光纤，待测晶圆包括：半导体衬底；叠层结构设置在半导体衬底上方；多个沟槽包括第一方向和第二方向的多个平行沟槽，穿透叠层结构并穿过半导体衬底的部分厚度，用于放置L型透镜光纤，待测晶圆经由第一方向和第二方向的多个平行沟槽划分为多个光子芯片，待测光学器件设置在光子芯片中，L型透镜光纤的端部在光子芯片的相对侧处与待测光学器件水平对准，第一方向垂直于第二方向。L型光纤放置于沟槽中以通过水平方向光信号对光学器件进行测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113433615A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110540846.4
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种芯片，涉及芯片技术领域，用于通过一个光栅耦合器实现在相同的出射角度下对不同波长的寻址激光进行衍射，提高芯片的大规模可扩展性。所述芯片包括：基底、以及设置在基底表面的表面离子阱电极；表面离子阱电极用于在基底上方的预设区域内囚禁离子；其中，基底具有多个光栅耦合器；光栅耦合器所包括的光栅部用于将多种不同波长的寻址激光以相同的出射角度衍射至同一离子处，以完成寻址。
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公开(公告)号：CN113380905A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110502234.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
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公开(公告)号：CN112964668A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110138043.6
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种基于谐振器的物质浓度检测装置及方法，其中装置包括：偏振分束单元、光束谐振单元、置物单元和测量单元，光束谐振单元包括第一谐振器和第二谐振器；偏振分束单元用于将输入光束分成第一偏振光束和第二偏振光束；第一谐振器用于将接收到的第一偏振光束中的第一波长光束，耦合至第一谐振器中；第二谐振器用于将接收到的第二偏振光束中的第二波长光束，耦合至第二谐振器中；置物单元用于放置待测物；测量单元用于确定第一谐振器对应的第一漂移参数和第二谐振器对应的第二漂移参数；根据第一漂移参数和第二漂移参数确定待测物浓度，本公开通过两种模式的谐振器实现了光信号的大范围和高灵敏度测量，提高了物质浓度检测的准确性。
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公开(公告)号：CN109904060B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910105271.6
申请日：2019-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该方法包括应力大于或者等于1GPa的结构层的制作过程，结构层的制作过程包括：多个沉积步骤，沉积步骤为在基底的表面上或者已经沉积的预结构子层的表面上沉积一个预结构子层，预结构子层的厚度在100～400nm之间；刻蚀步骤，在沉积步骤之后，刻蚀步骤为在一个预结构子层的厚度或者多个预结构子层的总厚度大于400nm的情况下，对厚度大于400nm的一个预结构子层进行退火或者对总厚度大于400nm的多个预结构子层进行刻蚀，至少一个刻蚀步骤使得刻蚀后的各预结构子层在基底表面的投影重合；退火步骤，刻蚀步骤后有一个退火步骤。该制作方法得到的半导体结构中的结构层的裂纹较少。
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公开(公告)号：CN110161606B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910440604.0
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种耦合光栅的制备方法，属于硅基光电子制造技术领域，解决了现有技术中耦合光栅制备过程复杂、使用光刻版数量较多、成本较高的问题。本申请的制备方法包括如下步骤：提供一SOI衬底，SOI衬底沿水平方向分为Poly‑Si光栅区和Si光栅区，在SOI衬底的表面依次形成Poly‑Si层和硬掩膜层；对硬掩膜层和Poly‑Si层进行光刻和刻蚀，刻蚀至SOI衬底的顶硅层表面，在Poly‑Si光栅区形成第一光栅结构；在对Si光栅区的顶硅层进行刻蚀的同时利用硬掩模层作为阻挡层对第一光栅结构对应的顶硅层进行刻蚀，最终形成Poly‑Si光栅和Si光栅，制得耦合光栅。本申请的制备方法可用于耦合光栅的制备。
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