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公开(公告)号：CN114826165A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110090430.7
申请日：2021-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器工作效率较低且电路增益较小的问题。Doherty功率放大器包括：驱动功率放大电路，连接在功分器的输入端；载波功率放大电路，连接在功分器的一个输出端，载波功率放大电路包括载波输出匹配网络；峰值功率放大电路，连接在功分器的另一个输出端，峰值功率放大电路包括峰值输出匹配网络和π型微带补偿线。实现了载波功率放大器的双阻抗点匹配，提升了载波功率放大器在回退功率点和饱和工作点工作时的工作效率。
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公开(公告)号：CN114826164A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110090379.X
申请日：2021-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明涉及一种基于改进型级间匹配的Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器将驱动输出匹配网络和功分器分离造成的放大器尺寸较大且工作效率较低的问题。驱动功率放大电路包括驱动功率晶体管和改进型级间匹配网络，改进型级间匹配网络连接在驱动功率晶体管的漏极；载波功率放大电路，连接在改进型级间匹配网络的一个输出端，载波功率放大电路包括载波输出匹配网络；峰值功率放大电路，连接在改进型级间匹配网络的另一个输出端，峰值功率放大电路包括峰值输出匹配网络和π型微带补偿线。实现了紧凑布局，缩小了整个放大器的尺寸并提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN103730348A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410005319.3
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/048 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金属掩膜图形；在等离子体刻蚀机中对形成金属掩膜图形的SiC衬底背面进行等离子体轰击，将金属掩膜层上的光刻胶溅射到等离子体刻蚀机的腔体内壁，在等离子体刻蚀机的腔体内壁形成光刻胶层；在等离子体刻蚀机中利用形成的金属掩膜图形对SiC背面进行刻蚀，形成背孔，直至与SiC正面源极金属联通。利用本发明，降低了背孔工艺中金属掩膜对等离子体刻蚀机腔体内壁的污染，提高了等离子体刻蚀机的使用效率。
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公开(公告)号：CN103426740A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310363053.5
申请日：2013-08-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法，该方法是在源漏区域光刻之后，通过对源漏区域进行选择性刻蚀，通过刻蚀势垒层减小势垒层厚度，随后蒸发源漏金属并剥离后再采用高温快速热退火工艺形成欧姆接触，在不对二维电子气造成过分损伤的情况下从物理上减小载流子的隧穿距离，提升隧穿效率，获得低欧姆接触电阻率。利用本发明，可以有效减小源漏区隧穿距离，提升载流子隧穿几率，进而获得低阻欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102201334B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110133545.6
申请日：2011-05-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiNx钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构；再刻蚀AlGaN势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构。利用本发明，能够有效平滑T型栅栅脚近漏端的电场分布并降低峰值电场强度从而提高器件的击穿电压，同时对短沟道效应也能起到一定的抑制作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102479732A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010574009.5
申请日：2010-11-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/335 , G01B7/02
Abstract: 本发明公开了一种监控栅槽刻蚀的方法，包括：在制备实际凹栅槽器件的同时，制备至少两个源/漏区结构参数相同的参考凹栅槽器件，至少有两个参考凹栅槽器件的栅长尺寸位于实际凹栅槽器件栅长尺寸的两侧；测试获得至少两个参考凹栅槽器件的转移特性；通过至少两个参考凹栅槽器件的转移特性，判断实际凹栅槽器件的栅槽刻蚀情况。通过本发明提供的方法，能可靠地获得实际凹栅槽器件的是否进行了有效刻蚀，并且本次刻蚀的结果可以作为下次刻蚀的依据。
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公开(公告)号：CN102456611A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010520274.5
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积多层金属薄膜，多层金属薄膜中的各层对底层材料具有不同的刻蚀方向选择比；刻蚀去除底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜；以底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对底层材料进行刻蚀，利用多层金属薄膜对底层材料的不同刻蚀方向选择比来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得了倾斜的刻蚀剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。
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公开(公告)号：CN102237288A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010162263.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，该方法包括：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压；电容-电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，然后再次测量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；比较表面钝化处理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线，当Vgs或Vgd低于器件阈值电压为沟道关态电容，当Vgs或Vgd高于器件阈值电压为沟道开态电容，从沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量来衡量表面钝化处理的效果好坏。利用本发明，解决了器件表面态导致器件产生严重的电流崩塌以及器件漏电大的问题。
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公开(公告)号：CN101150144A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610127867.9
申请日：2006-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/772 , H01L29/40 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种GaN基场效应管，该GaN基场效应管包括：栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；在源极和漏极之间的AlGaN外延层上通过刻蚀形成有细的栅槽，在源极和漏极之间的AlGaN外延层及栅槽上淀积有AlN或Al2O3薄膜，所述栅极通过光刻和蒸发形成在栅槽上淀积的AlN或Al2O3薄膜上。本发明同时公开了一种GaN基场效应管的制作方法。利用本发明，有效地解决了AlGaN表面态存在导致器件产生电流崩塌以及栅反向漏电增大的问题。
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公开(公告)号：CN111865234B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010758658.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器只考虑单频点的匹配造成的宽带性能较差的问题。包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和后匹配网络，峰值功率放大电路包括切比雪夫输入匹配网络，当功分器输入端输入低功率信号时，峰值功率放大电路的负载阻抗无穷大，由载波功率放大电路实现输入信号的放大；当功分器输入端输入高功率信号时，切比雪夫输入匹配网络的输出阻抗匹配于峰值功率放大电路中峰值功率放大器的最佳源阻抗，与载波功率放大电路共同实现输入信号的放大。有效抑制了峰值功率放大器的开启点随频率偏移的现象，改善了放大器的宽带性能。
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