公开(公告)号：CN102034693A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910235335.0

申请日：2009-09-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 胡强 ,  段瑞飞 ,  魏同波 ,  杨建坤 ,  霍自强 ,  曾一平

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/311 ,  H01L21/306

Abstract: 一种在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法，包括以下步骤：步骤1：在C面蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅或氮化硅膜；步骤2：利用常规光刻技术在淀积二氧化硅或氮化硅膜的C面蓝宝石衬底上光刻出沿着[11-20]方向的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形；步骤3：通过湿法刻蚀，将光刻的条形二氧化硅或氮化硅掩模图形转移到衬底上；步骤4：腐蚀去掉二氧化硅或氮化硅膜，清洗衬底，得到清洁的蓝宝石图形衬底；步骤5：直接采用氢化物气相外延系统在所得到的蓝宝石图形衬底上外延生长GaN厚膜，完成制备。

公开(公告)号：CN101546799A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200810102801.3

申请日：2008-03-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 段瑞飞 ,  王军喜 ,  曾一平 ,  王国宏 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种垂直结构氮化物LED的制备方法，包括：取一生长氮化物的衬底；在衬底上生长辅助剥离层，该剥离层使得衬底和后续外延材料之间的键合相对较弱；在辅助剥离层上，采用MOCVD方法生长氮化物成核层，保证氮化物的高质量；在氮化物成核层上生长一层氮化镓厚层材料；在氮化镓厚层材料上，采用MOCVD方法生长多量子阱LED结构层，形成氮化物LED的发光层，其中p型氮化物的制备可以通过HVPE来实现；剥离衬底和辅助剥离层以及部分氮化物成核层，得到垂直结构的氮化物LED外延片；在多量子阱LED结构层上制作上电极；在与外延层相连的氮化物成核层下面制作一下电极，完成垂直结构氮化物LED的制备。

公开(公告)号：CN101205626A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610165539.8

申请日：2006-12-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 段瑞飞 ,  王军喜 ,  曾一平 ,  李晋闽

IPC: C30B25/00

Abstract: 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置，其中：金属卤化物供应炉外部设有加热装置，该供应炉设有通气管道；该供应炉内部放置金属镓、铟、铝、铁、镁中的一种或多种或者经过提纯的金属卤化物；该供应炉设有反应气体/载气通道，生成或者直接的金属卤化物通过载气携带进入氢化物气相外延炉进行氮化物材料的生长；氢化物气相外炉延生长室包括有；一外延生长室；一衬底装置设于外延生长室内，衬底装置在外延生长室外部接有调速马达；反应气体管道通过外延生长室的密封盘进入外延生长室，载气携带反应气体通过该反应气体管道进入外延生长室内，并流动到衬底上进行反应生长氮化物单晶衬底；一加热装置，环绕于外延生长室外。