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公开(公告)号：CN112327398B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202011311195.3
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明提出了一种矢量补偿体布拉格光栅角度偏转器的制备方法。本发明根据入射光束锥角设计样品架，使用该样品架对样品进行曝光，曝光后使用马弗炉对样品进行热处理，热处理后将样品前后表面抛光，在样品前后表面镀制1064nm标准增透膜，制成矢量补偿体布拉格光栅角度偏转器。本发明方法可对记录在样品中的体布拉格光栅进行矢量补偿，使锥角入射光束满足布拉格条件，可以有效提高体布拉格光栅角度偏转器对于锥角入射光束的衍射效率，应用于二维光束扫描系统中可实现高效率的二维方向的光束扫描，具有制备方法简单，可大批量生产的优点，在二维激光光束扫描技术领域具有重要的实用前景。
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公开(公告)号：CN113805414A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111181959.6
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G03B21/14
Abstract: 本发明涉及一种曲面投影的方法，所需投影图像、所需投影曲面和初始源平面光场关联结构存在的对应关系式，通过所需投影图像灰度信息、所需投影曲面位置信息可推导初始源平面光场的关联结构信息，携带该关联结构初始源平面光场经过自由空间衍射可在所需投影曲面上投影所需投影图像。
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公开(公告)号：CN112880978A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110054607.8
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 一种基于不透明干板直边缘衍射的涡旋光轨道角动量数的测量装置包括涡旋光产生模块，生待测涡旋光；衍射模块，用于将待测涡旋光转换为边缘衍射光，挡住涡旋光场的一部分，未遮挡的部分经近场衍射后入射到成像装置；成像装置，用于接收垂直入射的边缘衍射光，并成像后传输至计算机。本发明能够实现涡旋光轨道角动量数的测量，检测元件的简便和易得，并且能够快速地检测所用涡旋光的轨道角动量数。
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公开(公告)号：CN112799160A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110119781.6
申请日：2021-01-28
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种基于光致热折变玻璃的啁啾率可调的啁啾体光栅的曝光装置及啁啾体光栅的制备方法，所述的曝光装置至少包括一个发散柱面透镜系统和一个会聚柱面透镜系统，所述的啁啾体光栅的制备方法为变焦距对称入射的双柱面波干涉法，包括使不同焦距的一束发散柱面光束和一束会聚柱面光束在光致热折变玻璃处干涉，并在其体内形成周期渐变的干涉条纹，经热显影处理后得到任意啁啾率的啁啾体光栅。本发明提供了一种啁啾体光栅制备的曝光夹角、曝光距离、柱面透镜系统焦距等参数的计算方法，并在此基础上形成了啁啾率可调的啁啾体光栅的曝光装置及啁啾体光栅的制备方法，实现任意啁啾率的啁啾体光栅的制备。
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公开(公告)号：CN112764327A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110184852.0
申请日：2021-02-10
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种双光束干涉曝光系统中光栅基板表面光刻胶涂层在线扫描曝光预处理装置，包括：连续紫外激光光源，用于对光栅基板表面光刻胶涂层进行曝光；双光束干涉曝光系统；干涉场扫描测量系统，用于对干涉曝光场的强度分布进行二维扫描测量；扫描曝光预处理系统，将来自连续紫外激光光源的激光光束调制为具有一定空间强度分布和一定宽度的线激光束，并辐照在待处理光栅基板涂覆光刻胶的光刻胶面上。通过控制空间光调制器输出强度分布和一维位移台扫描速度实现光刻胶纳米涂层不同位置、不同曝光剂量的预处理。本发明解决了双光束干涉曝光技术制备衍射光栅中因干涉光束强度分布不均匀导致的光栅掩膜不均匀性的技术难关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112394436A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011336817.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种用于1064纳米波段的非对称结构全介质反射式合束光栅，其特征在于该光栅由下而上依次分别是光栅基底、周期膜系、位相匹配层和倾斜矩形槽型剖面的顶部光栅。本发明适用于中心波长1064纳米波段，具有偏振不敏感、超宽带、高效率的特点，能满足小型化光谱合束系统对高线密度、宽带不敏感合束光栅的需求。特别适合于结构紧凑、对光源线宽要求较低的双光栅高能激光光谱合束系统。
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公开(公告)号：CN111916330A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010634034.1
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明提供一种光栅深刻蚀方法，该方法包括：光栅金属掩膜结构制备、反应离子束刻蚀、化学湿法腐蚀去除掩膜残留、倾斜镀制金属掩膜等过程。通过不断重复反应离子束刻蚀→残留掩膜去除→倾斜镀制金属掩膜→反应离子束刻蚀过程，可以在保持光栅占宽比的条件下逐步提升光栅的刻蚀深度，解决了氧化硅、氮化硅、氧化铪等常用光栅材料单次掩膜刻蚀选择比不高、无法实现大深宽比刻蚀的问题，为大深宽比衍射光学元件的刻蚀制备奠定了基础。
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公开(公告)号：CN111580205A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010488461.3
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种适用于54度～62度入射使用的宽谱脉宽压缩光栅，包括衬底以及所述衬底上的弦形光栅结构。所述弦形光栅结构的外形轮廓可由特定公式进行定义。所述的弦形光栅结构包括光敏材料光栅层和覆盖在光敏材料光栅层上的金属层。所述光栅的周期Λ为600～750纳米，占空比f1为0.4～1。所述弦形光栅层结构的槽深h为170～260纳米。所述金属层材料为金或者银(Au/Ag)，其厚度为100～220纳米。本发明的光栅中心波长为910纳米，在入射角θ为大角度54度～62度入射时，光栅的TM偏振光的-1级衍射效率在200纳米(810～1010纳米)以上带宽范围内大于90％。本发明中的脉宽压缩光栅在拍瓦级啁啾脉冲压缩技术中具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN110673444B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910863246.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种超大超重衬底表面光刻胶均匀涂覆的旋涂设备，包括旋涂主机、上下样系统和总控系统,该设备主要由气浮转台、密封腔体、匀胶转盘、自动滴胶系统、上下样系统及控制台组成。所述的具有自动动平衡调节功能的气浮转台是该设备的关键所在，所述的匀胶转盘是采用补圆法尽可能地降低方形衬底旋转时产生的不规则气流对涂胶均匀性的影响，所述的上下样系统用于保障超大/超重衬底安全地上下涂胶机工位。本发明设备能够满足在直径近两米、重量约700kg的衬底表面进行光刻胶的涂布工艺，在通光口径内的涂胶不均匀性优于±3％。
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公开(公告)号：CN110673444A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910863246.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种超大超重衬底表面光刻胶均匀涂覆的旋涂设备，包括旋涂主机、上下样系统和总控系统,该设备主要由气浮转台、密封腔体、匀胶转盘、自动滴胶系统、上下样系统及控制台组成。所述的具有自动动平衡调节功能的气浮转台是该设备的关键所在，所述的匀胶转盘是采用补圆法尽可能地降低方形衬底旋转时产生的不规则气流对涂胶均匀性的影响，所述的上下样系统用于保障超大/超重衬底安全地上下涂胶机工位。本发明设备能够满足在直径近两米、重量约700kg的衬底表面进行光刻胶的涂布工艺，在通光口径内的涂胶不均匀性优于±3％。
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