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公开(公告)号：CN112668932A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110052566.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质，包括获取电子器件的软错误率指标；根据电子器件的模拟辐照试验，获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标，确定电子器件的待加固类型；根据待加固类型，对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率，以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正，以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固，以降低加固带来的资源消耗和性能下降。
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公开(公告)号：CN111709120A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010431029.0
申请日：2020-05-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种α粒子有效通量的分析方法、装置及计算机存储介质，分析方法包括：根据放射源辐照试验平台构建分析仿真模型，分析仿真模型包括放射源和半导体器件，放射源位于半导体器件上方；进行仿真试验，以使放射源发射α粒子，并记录到达半导体器件表面的有效α粒子数量；根据有效α粒子数量和放射源发射的α粒子数量获取有效因子；根据有效因子和放射源的α粒子发射率获取到达半导体器件表面的α粒子有效通量。由于所获得的α粒子有效通量是根据有效因子确定，而该有效因子考虑了放射源与半导体之间的空间几何效应和气体层的屏蔽效应，因而可以保证所获得的α粒子有效通量的准确度，大大减小了半导体器件α粒子软错误率试验的误差。
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公开(公告)号：CN110058104A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910466546.9
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种异地智能单粒子效应测试系统、方法以及装置，所述系统包括异地控制计算机设备、以及设于高中子通量环境中的单粒子效应测试设备；还包括连接在单粒子效应测试设备与异地控制计算机设备之间的网络传输设备；其中，单粒子效应测试设备对待测器件进行周期性测试，并通过网络传输设备、将测试得到的软错误信息上报给异地控制计算机设备；异地控制计算机设备在软错误信息的数量达到预设值时，通过网络传输设备、向单粒子效应测试设备传输控制指令，以使单粒子效应测试设备停止测试，从而，避免了测试人员长期驻扎在高海拔地区的实验点而造成的测试困难和成本投入。
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公开(公告)号：CN109669804A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811442659.7
申请日：2018-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
CPC classification number: G06F11/1048 , G06F11/3409 , G11C29/42
Abstract: 本发明涉及用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法和装置。提供了一种用于降低ECC存储器的存储区实际软错误率的方法，该方法包括：获取ECC存储器的存储区实际软错误率的函数关系；根据函数关系确定对ECC存储器的存储架构进行拆解的拆解级别k；根据拆解级别k确定对ECC存储器的存储架构进行k级拆解后的存储区的字数和单个字内的位数；根据函数关系和获得的拆解后的存储区的字数和单个字内的位数确定ECC存储器在进行k级拆解后的存储区实际软错误率。上述方法将存储区的单个字拆解为多个字，降低了ECC存储器的软错误率，有效提高了ECC存储器的存储区抗软错误能力，且增强了ECC存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN109656746A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811444479.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G06F11/1044 , G06F11/1012
Abstract: 本发明涉及用于确定ECC存储器的刷新频率的方法和装置。提供了一种用于确定ECC存储器的刷新频率的方法，该方法包括：获取ECC存储器的存储区实际软错误率与刷新频率的函数关系；根据函数关系确定ECC存储器的刷新频率。上述方法通过获取ECC存储器的存储区实际软错误率与刷新频率的函数关系并根据函数关系确定ECC存储器的刷新频率来实现刷新频率的优化设计，使得能够既降低软错误率又不过度占用系统资源的目的，保证ECC存储器的软错误率达到实际工程要求，有效提高ECC存储器的存储区抗软错误能力，且增强了ECC存储器和应用该ECC存储器的系统的可靠性。本申请还提供了一种用于确定ECC存储器的刷新频率的装置和计算机可读存储介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118688596A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410535002.4
申请日：2024-04-30
IPC: G01R31/26
Abstract: 本公开提供了一种功率器件的次级粒子辐照分析方法、装置、设备及介质，涉及半导体器件辐射效应技术领域，包括获取待分析功率器件对应的第一特性参数以及入射中子对应的第二特性参数；根据所述第一特性参数和预设的蒙特卡罗模拟平台，构建所述功率器件对应的功率器件仿真模型；根据所述第二特性参数、所述功率器件仿真模型和所述蒙特卡罗模拟平台，模拟所述入射中子辐照所述功率器件的全生命周期，得到所述入射中子辐照所述功率器件产生的次级粒子的辐照数据。本公开不需要粒子探测器以实验的方式探测次级粒子特征，降低了探测难度，提高了探测效率，不需要特定的粒子探测器，降低了成本。
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公开(公告)号：CN117388601A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311237793.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种错误率确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取被测电子器件在14MeV中子诱发下产生的单粒子效应的第一单粒子效应截面；根据所述被测电子器件的类型和敏感参数，确定所述被测电子器件在所述14MeV中子诱发下产生单粒子效应和在大气中子诱发下产生单粒子效应的目标等效因子；根据所述第一单粒子效应截面和所述目标等效因子，确定所述被测电子器件在所述大气中子诱发下产生的单粒子效应的目标单粒子效应截面；根据所述目标单粒子效应截面，确定所述被测电子器件的错误率。采用本方法能够提高确定被测电子器件在大气中子诱发下产生单粒子效应的错误率的准确性和效率。
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公开(公告)号：CN114354656B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111486993.4
申请日：2021-12-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/00
Abstract: 本发明公开了一种系统级样品试验系统，屏蔽体用于屏蔽辐射，屏蔽体内设有试验空间，屏蔽体包括用于开启或关闭试验空间的屏蔽门体，样品位移台可移动设置，使样品位移台能够进入或离开试验空间，样品位移台包括基座、样品台及调整机构，调整机构用于调整样品台相对基座的高度。可将样品位移台置于屏蔽体外，并将样品置于样品台上固定，利用调整机构预调整样品台上样品的高度，随后可将样品位移台移动至试验空间内，样品位移台移动至试验空间内后不再调整或只需进行细微调整样品的位置，可减少操作人员及样品位移台在试验空间内的停留时间，能够减少辐射试验对人体及样品位移台的伤害，具有更好的安全性。
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公开(公告)号：CN109657272B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811357662.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20
Abstract: 本公开涉及一种单粒子效应评估方法和装置。该方法包括：构建目标电路的三维电路模型，所述三维电路模型包含敏感区域；将所述三维电路模型输入核反应计算仿真软件中，获取在预定单粒子能量下所述敏感区域中产生的核反应次级离子；通过器件仿真软件获取所述核反应次级离子作用在所述敏感区域上输出的单粒子瞬态脉冲波形；将所述单粒子瞬态脉冲波形以等效电流源的形式加载到所述目标电路上，获取电路响应信息；以及通过所述电路响应信息对所述目标电路的单粒子效应进行评估。本公开中的方法能够精确量化产生大气中子单粒子效应的各个物理过程，并在此基础上对目标电路的单粒子效应进行评估。
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公开(公告)号：CN111722075B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202010611079.7
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。
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