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公开(公告)号：CN111289386A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010156728.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种圆片键合剪切强度测试装置及测试方法。其中，圆片键合剪切强度测试装置，包括载体；载体上设有阻挡台；载体用于放置待测芯片；阻挡台用于阻挡待测芯片的圆片键合底层结构的移动；圆片键合底层结构包括依次叠于当前待测键合结构层下表面的各键合结构层；其中，载体的上表面贴合圆片键合底层结构的下表面，阻挡台的壁面贴合圆片键合底层结构远离接触工具的侧面，以使测试设备通过接触工具、对当前待测键合结构层进行剪切强度测试，得到键合剪切强度。本申请适用于MEMS器件大面积圆片键合以及多层键合的剪切强度测试，能够满足MEMS圆片键合剪切强度测试需求。
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公开(公告)号：CN109596860A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811306136.X
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01P21/02
CPC classification number: G01P21/02
Abstract: 本申请涉及一种加速度计故障诊断方法、装置、电路和计算机设备。所述方法包括：获取第一电压信号、第二电压信号和电流信号；第一电压信号为加速度计检测电路中的C/V转换电路输出的电压信号；第二电压信号为加速度计输出的电压信号；电流信号为加速度计检测电路上的电流信号；根据第一电压信号、第二电压信号、电流信号、第一饱和电压、第二饱和电压和标准电流，获取加速度计的故障类型；第一饱和电压为C/V转换电路输出的最大电压；第二饱和电压为加速度计输出的最大电压；标准电流为加速度计正常时、加速度计检测电路上的电流，从而本申请能够依据获取的信号来判断加速度计出现的故障类型，使得更加全面地监控加速度计的工作状态。
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公开(公告)号：CN108306645A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810055066.9
申请日：2018-01-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
CPC classification number: H03M1/1245 , H03M1/1071
Abstract: 本发明提供了一种传感器数字采集量获取方法、装置及系统。传感器数字采集量获取方法包括：获取第一数字信号和第二数字信号；第一数字信号是由传感器输出的测量信号经过放大和模数转换得到的数字信号；第二数字信号是由测量信号经过缩小和模数转换得到的数字信号；根据第一数字信号和预设的第一标度因子，得到第一数字采集量；根据第二数字信号和预设的第二标度因子，得到第二数字采集量；根据第一数字采集量、第二数字采集量以及预设的采集阈值区间，得到最终数字采集量。最终数字采集量能同时实现对小测量信号的高精度采集和对大测量信号的大范围采集。
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公开(公告)号：CN119337558A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411218381.0
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) , 华南理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种考虑多种失效机制的真空封装MEMS器件腔体真空退化模型构建方法及评价方法，模型构建方法包括：(1)真空度表征：利用品质因子对腔体的真空度进行表征；(2)真空退化数理模型建模：a.计算腔体内释放的气体分子数，获取腔体内部释气导致的第一真空退化数理模型；b.计算腔体内由外部泄露进来的气体分子数，获取腔体内由外部泄露导致的第二真空退化数理模型；c.第一、第二真空退化数理模型，基于算腔体内总气体分子数与腔体气压的关系，获取腔体内部真空度退化模型。在构建的真空度退化模型基础上，本发明还提供了真空封装MEMS器件真空退化进行可靠性评价的方法，并可实现对真空封装MEMS器件真空度退化进行可靠性预计。
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公开(公告)号：CN117434213A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311222353.1
申请日：2023-09-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N33/00
Abstract: 本申请涉及一种圆片级真空封装器件内部材料的放气特性确定方法和装置。所述方法包括：在原试验样品放置于温度试验箱中的情况下，通过对温度试验箱中的温度进行调节，获取原试验样品在各试验温度下的第一品质因子；其中，所述原试验样品为圆片级真空封装的微机电系统MEMS器件；在开孔试验样品放置于真空腔设备，且真空腔设备中的气压为目标气压的情况下，通过对真空腔设备中的温度进行调节，获取开孔试验样品在各试验温度下的第二品质因子；根据原试验样品在各试验温度下的第一品质因子，以及开孔试验样品在各试验温度下的第二品质因子，确定原试验样品的内部材料的放气特性。采用本方法能够准确获取圆片级真空封装器件内部材料的放气特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111289386B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010156728.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种圆片键合剪切强度测试装置及测试方法。其中，圆片键合剪切强度测试装置，包括载体；载体上设有阻挡台；载体用于放置待测芯片；阻挡台用于阻挡待测芯片的圆片键合底层结构的移动；圆片键合底层结构包括依次叠于当前待测键合结构层下表面的各键合结构层；其中，载体的上表面贴合圆片键合底层结构的下表面，阻挡台的壁面贴合圆片键合底层结构远离接触工具的侧面，以使测试设备通过接触工具、对当前待测键合结构层进行剪切强度测试，得到键合剪切强度。本申请适用于MEMS器件大面积圆片键合以及多层键合的剪切强度测试，能够满足MEMS圆片键合剪切强度测试需求。
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公开(公告)号：CN115586348A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211122248.6
申请日：2022-09-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01P21/00
Abstract: 本申请涉及一种电容失配检测电路、方法和检测设备。所述电容失配检测电路与加速度计的差分电容结构连接，电容失配检测电路包括输入电路和控制器；输入电路分别与差分电容结构的上极板和差分电容结构的下极板连接，控制器的输出端与输入电路连接，控制器的输入端与差分电容结构的中间极板连接；输入电路，用于获取输入信号，并根据输入信号在差分电容结构的上下极板施加电压；控制器，用于获取差分电容结构的中间极板的输出信号，并在输出信号符合预设条件的情况下，根据输入信号确定差分电容结构的电容失配量化值。采用电容失配检测电路能够实现对电容式MEMS加速度计的本征电容失配值进行检测。
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公开(公告)号：CN113029348B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110195899.7
申请日：2021-02-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及微纳器件测试技术领域，公开了一种表面温度场信息获取方法。将待测样品安装于实际应用环境中，测试获取待测样品在实际应用环境中的第一频率漂移特性曲线；将待测样品固定于红外成像设备上，测试获取待测样品在红外成像设备上的第二频率漂移特性曲线；根据第一频率漂移特性曲线获取待测样品在第一功率下所对应的第一频率漂移；根据第二频率漂移特性曲线获取待测样品的第一频率漂移所对应的第二功率；对固定于红外成像设备上的待测样品施加第二功率，利用红外成像设备获取待测样品的表面温度场信息。通过建立从实际工作环境到显微红外测试环境的映射，消除了由于显微红外测试环境相对于实际工作环境的热导率存在差异而产生的测试误差。
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公开(公告)号：CN109613302B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811589294.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01P15/125 , G01P21/00
Abstract: 本申请涉及一种电容式MEMS加速度计机械梁刚度测量方法、装置和系统。所述方法包括：通过向加速度计施加预载电压，预载电压包括第一预载电压和第二预载电压；在加速度计受到的加速度发生变化时，获取加速度计在第一预载电压下输出的第一电压变化量，以及在加速度计受到的加速度发生变化时，获取加速度计在第二预载电压下输出的第二电压变化量；根据第一预载电压的第一静电负刚度、第二预载电压的第二静电负刚度、第一电压变化量和第二电压变化量，得到加速度计的机械梁刚度，从而可避免传统测量技术在测量机械梁刚度时因位移电容转换系数、惯性质量块质量等参数对测量精度造成的影响，提高了加速度计的机械梁刚度的测量精度。
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公开(公告)号：CN109579683B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811306759.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度。MEMS微梁的结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。上述用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，由于根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度，因此能够实现微梁厚度的高精度无损在线测量，这对快速准确地评价MEMS器件的性能至关重要。
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