-
公开(公告)号：CN109726425A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811306025.9
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种MEMS微梁结构优化方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取MEMS微梁的静态特性参数、动态特性参数以及结构参数；根据静态特性参数、动态特性参数和结构参数，获取MEMS微梁的结构修正参数；采用MEMS微梁的理论模型处理结构参数和结构修正参数，得到MEMS微梁的修正模型；根据修正模型，优化MEMS微梁的结构，从而，本申请MEMS微梁结构优化方法能够快速、准确地获取MEMS微梁的修正模型，再基于修正模型优化MEMS微梁的结构设计，进而，提高MEMS微梁的可靠性。
-
公开(公告)号：CN109579683B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811306759.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度。MEMS微梁的结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。上述用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，由于根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度，因此能够实现微梁厚度的高精度无损在线测量，这对快速准确地评价MEMS器件的性能至关重要。
-
公开(公告)号：CN109596291B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811308083.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法及装置。提供了一种MEMS微梁材料杨氏模量原位测量方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度；根据结构参数、振型函数、厚度和吸合电压或者根据结构参数、振型函数、厚度和和固有频率，确定MEMS微梁的杨氏模量。其中，结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。通过采用上述测量方法，能够在MEMS微梁厚度未知的情况下测量微梁材料的杨氏模量，实现杨氏模量的无损原位测量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109596291A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811308083.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法及装置。提供了一种MEMS微梁材料杨氏模量原位测量方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度；根据结构参数、振型函数、厚度和吸合电压或者根据结构参数、振型函数、厚度和和固有频率，确定MEMS微梁的杨氏模量。其中，结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。通过采用上述测量方法，能够在MEMS微梁厚度未知的情况下测量微梁材料的杨氏模量，实现杨氏模量的无损原位测量。
-
公开(公告)号：CN109579683A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811306759.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，该方法包括：获取MEMS微梁的结构参数；获取MEMS微梁的吸合电压、固有频率和振型函数；根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定MEMS微梁的厚度。MEMS微梁的结构参数包括MEMS微梁的长度、宽度和高度，高度为MEMS微梁的上表面与位于MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离。上述用于原位测量MEMS微梁的厚度的方法，由于根据MEMS微梁的结构参数、吸合电压、固有频率和振型函数，确定所述MEMS微梁的厚度，因此能够实现微梁厚度的高精度无损在线测量，这对快速准确地评价MEMS器件的性能至关重要。
-
公开(公告)号：CN109726425B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201811306025.9
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种MEMS微梁结构优化方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取MEMS微梁的静态特性参数、动态特性参数以及结构参数；根据静态特性参数、动态特性参数和结构参数，获取MEMS微梁的结构修正参数；采用MEMS微梁的理论模型处理结构参数和结构修正参数，得到MEMS微梁的修正模型；根据修正模型，优化MEMS微梁的结构，从而，本申请MEMS微梁结构优化方法能够快速、准确地获取MEMS微梁的修正模型，再基于修正模型优化MEMS微梁的结构设计，进而，提高MEMS微梁的可靠性。
-
公开(公告)号：CN109596290B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811307552.1
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法，包括：获取MEMS微梁的结构参数、吸合电压、第一固有频率和振型函数；根据结构参数、吸合电压、第一固有频率和振型函数，确定间隙距离的第一估计值；获取施加偏置电压后MEMS微梁的第二高度和第二固有频率；根据结构参数、吸合电压、偏置电压、第二高度、第二固有频率、振型函数以及第一估计值，确定间隙距离的第二估计值；根据MEMS微梁的结构参数、振型函数、第二估计值、第二高度以及吸合电压或第一固有频率，确定MEMS微梁的杨氏模量。上述方法能够在微梁厚度未知的情况下测量微梁材料的杨氏模量，实现杨氏模量的高精度无损原位测量。
-
公开(公告)号：CN109596290A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811307552.1
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法，包括：获取MEMS微梁的结构参数、吸合电压、第一固有频率和振型函数；根据结构参数、吸合电压、第一固有频率和振型函数，确定间隙距离的第一估计值；获取施加偏置电压后MEMS微梁的第二高度和第二固有频率；根据结构参数、吸合电压、偏置电压、第二高度、第二固有频率、振型函数以及第一估计值，确定间隙距离的第二估计值；根据MEMS微梁的结构参数、振型函数、第二估计值、第二高度以及吸合电压或第一固有频率，确定MEMS微梁的杨氏模量。上述方法能够在微梁厚度未知的情况下测量微梁材料的杨氏模量，实现杨氏模量的高精度无损原位测量。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.05 seconds)
