研磨垫及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1926666A

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200480042307.2

    申请日:2004-10-20

    CPC classification number: B24B37/205 H01L21/30625

    Abstract: 本发明提供一种研磨垫及使用了该研磨垫的半导体器件的制造方法。即使在使用碱性料浆或酸性料浆进行研磨的情况下,也可以在从使用开始直至使用结束的长时间内持续维持高精度的光学终点检测。本发明的研磨垫被用于化学机械抛光中,具有研磨区域及透光区域,所述透光区域的浸渍于pH11的KOH水溶液或pH4的H2O2水溶液中24小时后的测定波长λ下的透光率T1(%)与浸渍前的测定波长λ下的透光率T0(%)的差ΔT(ΔT=T0-T1)(%),在测定波长400~700nm的全部范围内在10(%)以内。

    层叠研磨垫
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102811838B

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201180011574.3

    申请日:2011-03-11

    Inventor: 数野淳

    CPC classification number: B24B37/22 B24B37/26

    Abstract: 本发明的目的在于提供研磨层与缓冲层不易剥离的层叠研磨垫。本发明的层叠研磨垫中,不具有贯通区域的研磨层与缓冲层借助胶粘构件而层叠,其特征在于,在所述研磨层的背面侧设置有至少一个从研磨层的中心区域延续至外周端的非胶粘区域X,并且/或者在所述胶粘构件上设置有至少一个从胶粘构件的中心区域延续至外周端的非胶粘区域Y。

    研磨垫
    44.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101636247B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN200880008531.8

    申请日:2008-03-12

    CPC classification number: H01L21/30625 B24B37/205

    Abstract: 本发明的目的在于提供从使用初期至末期不会随着透光率的下降而产生终点检测误差的研磨垫;以及提供使用该研磨垫的半导体器件的制造方法。本发明涉及一种研磨垫,具有包含研磨区域及透光区域的研磨层,其特征在于,所述透光区域的研磨面侧的表面经粗糙化处理,并且所述透光区域使用前的在波长600nm下的透光率为40~60%。

    研磨垫
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103945984A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201280057510.1

    申请日:2012-12-06

    Inventor: 数野淳

    CPC classification number: B24B37/22 B24D18/0072 H01L21/304

    Abstract: 本发明的目的是提供层叠研磨垫,其即使在较大的情况下也能够平坦地贴附于研磨压盘。本发明的层叠研磨垫为研磨层和支撑层经由粘接构件层叠而成,其特征在于:所述研磨层包含0.5-5重量%的亲水性物质;所述支撑层由缓冲层和热尺寸变化率为1.3-12.6%的树脂膜一体成形而成;所述层叠研磨垫以研磨层侧成为凹状的方式弯曲,垫周边的平均弯曲量为3-50mm。

    层叠研磨垫
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102811838A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201180011574.3

    申请日:2011-03-11

    Inventor: 数野淳

    CPC classification number: B24B37/22 B24B37/26

    Abstract: 本发明的目的在于提供研磨层与缓冲层不易剥离的层叠研磨垫。本发明的层叠研磨垫中,不具有贯通区域的研磨层与缓冲层借助胶粘构件而层叠,其特征在于,在所述研磨层的背面侧设置有至少一个从研磨层的中心区域延续至外周端的非胶粘区域X,并且/或者在所述胶粘构件上设置有至少一个从胶粘构件的中心区域延续至外周端的非胶粘区域Y。

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