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公开(公告)号：CN103180100A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201080069500.0
申请日：2010-10-26
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , B28D5/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24B37/042 , B24D11/00
Abstract: 本发明的目的是提供在研磨对象物的表面难以产生刮痕、且修整性提高的研磨垫及其制造方法。本发明的研磨垫的特征在于具有无发泡聚氨酯形成的研磨层，所述无发泡聚氨酯是聚氨酯原料组合物的反应硬化物，所述聚氨酯原料组合物包含：将含有二异氰酸酯、高分子量多元醇、及低分子量多元醇的预聚物原料组合物反应而得的异氰酸酯封端的预聚物、通过3个以上的二异氰酸酯加成而多聚物化的异氰酸酯改性物、及链延长剂，所述异氰酸酯改性物的添加量相对于100重量份的异氰酸酯封端的预聚物为5重量份～30重量份。
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公开(公告)号：CN103153539A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201080069494.9
申请日：2010-10-26
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/24 , B24D18/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , H01L21/304
Abstract: 本发明的目的是提供难以在研磨对象物的表面产生刮痕、且修整性提高的研磨垫及其制造方法。本发明的研磨垫具有由无发泡聚氨酯形成的研磨层，其特征在于：所述无发泡聚氨酯是聚氨酯原料组合物的反应固化物，所述聚氨酯原料组合物包含：异氰酸酯封端的预聚物A，其将含有二异氰酸酯、高分子量多元醇（a）、及低分子量多元醇的预聚物A原料组合物反应而得，异氰酸酯封端的预聚物B，其将含有通过3个以上的二异氰酸酯加成而多聚物化的异氰酸酯改性物、及高分子量多元醇（b）的预聚物B原料组合物反应而得，及链延长剂；异氰酸酯封端的预聚物B的添加量相对于100重量份的异氰酸酯封端的预聚物A为5重量份～30重量份。
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公开(公告)号：CN101530988B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910135488.8
申请日：2006-05-10
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/24 , B24B37/04 , H01L21/304 , C08G18/10 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤，且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫，其具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层，其特征在于，作为所述聚氨酯树脂发泡体的原料成分的高分子量多元醇成分是数均分子量为600～700的疏水性高分子量多元醇，且所述聚氨酯树脂发泡体含有不具有羟基的硅系非离子表面活性剂10～15重量％，所述聚氨酯树脂发泡体的比重是0.7～0.8，阿斯卡D硬度是55～65度。
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公开(公告)号：CN101489720B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780027348.8
申请日：2007-08-22
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C08G18/32 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/26 , C08G18/12 , C08G18/4238 , C08G18/4854 , C08G18/664 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G18/7621 , C08J9/30 , C08J2375/04 , C08L83/00 , C08G18/3243
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种平坦化特性及耐磨损性优良的抛光垫及其制造方法。本发明涉及抛光垫，其包含由具有微小气泡的聚氨酯发泡体构成的抛光层，其特征在于，所述聚氨酯发泡体是(1)通过与4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)反应而形成tanδ的峰值温度为100℃以上的非发泡聚氨酯的异氰酸酯封端的预聚物A、(2)通过与4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)反应而形成tanδ的峰值温度为40℃以下的非发泡聚氨酯的异氰酸酯封端的预聚物B以及(3)4，4’-亚甲基双(邻氯苯胺)的反应固化物，且异氰酸酯封端的预聚物A与异氰酸酯封端的预聚物B的混合比为A/B＝50/50～90/10(重量％)。
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公开(公告)号：CN100551626C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710148751.8
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101537601A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910135487.3
申请日：2006-05-10
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24D3/00 , B24D13/14 , B24B37/04 , H01L21/304 , B24D18/00 , C08G18/65 , C08G18/10 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤，且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层，所述聚氨酯树脂发泡体的拉伸断裂伸长是25～120％。
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公开(公告)号：CN101530988A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910135488.8
申请日：2006-05-10
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24D3/00 , B24D13/14 , B24B37/04 , H01L21/304 , C08G18/10 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种在研磨对象物的表面难以发生划伤，且平坦化特性优越的研磨垫。本发明的研磨垫具有由具有微细气泡的聚氨酯树脂发泡体构成的研磨层，所述聚氨酯树脂发泡体的拉伸断裂伸长是25～120％。
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公开(公告)号：CN101130232A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710148749.0
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN1717785A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104102.8
申请日：2003-11-27
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明的目的在于提供可以在进行研磨的状态下实现高精度的光学终点检测并且研磨特性(表面均一性、面内均一性等)优良的研磨垫，进而可以获得宽范围的晶片的研磨轮廓的研磨垫。本发明之一的研磨垫，在透光区域的波长400～700nm的全区域中的透光率，在50％以上。本发明之二的研磨垫的透光区域的厚度为0.5～4mm，并且在透光区域的波长600～700nm的全区域中的透光率，在80％以上。本发明之三的研磨垫的透光区域被设于研磨垫的中心部和周端部之间，并且直径方向的长度(D)为圆周方向的长度(L)的3倍以上。
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公开(公告)号：CN1586002A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02822514.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋纺织株式会社 , 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C08G18/00
CPC classification number: C08G18/00 , B24B37/24 , B24D3/30 , B24D18/00 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/4211 , C08G18/4236 , C08G18/4808 , C08G18/4854 , C08G18/61 , C08G18/664 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G2101/00 , C08G2101/0066 , C08J9/0061 , C08J2205/052 , C08J2375/04 , C08J2483/00 , C08L83/00 , C09D175/08 , H01L21/30625 , Y10T428/249953 , Y10T428/249976 , C08G18/3814 , C08G18/3243 , C08G18/5096
Abstract: 本发明提供提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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