公开(公告)号：CN100541729C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200580032890.3

申请日：2005-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  神原弘光 ,  田才忠 ,  西塚哲也 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。

公开(公告)号：CN100494487C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200480010572.2

申请日：2004-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  寒川诚二

Inventor： 寒川诚二 ,  野泽俊久

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/452 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3145

Abstract: 本发明的成膜装置(10)包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室(14)；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室(20)；和具有多个孔且分离等离子体产生室(14)与成膜室(20)的分离板(17)。分离板(17)的孔的直径是使得等离子体产生室(14)的压力比成膜室(20)的压力高2.0倍以上的尺寸。成膜装置(10)进一步包括在等离子产生室(14)与成膜室(20)之间施加规定的偏压的装置。

公开(公告)号：CN101390450A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006400.1

申请日：2007-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  渡边伸吾

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  C23C14/06

CPC classification number: H01L51/0008 ,  C23C14/12 ,  C23C14/20 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/34 ,  C23C14/568 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种成膜装置和发光元件的制造方法。上述成膜装置的特征在于，包括：在内部具有保持被处理基板的保持台的处理容器；使含有金属的成膜原料蒸发或者升华而生成气体原料、且设置在上述处理容器的外部的气体原料生成部；向上述处理容器内供给上述气体原料的气体原料供给部；和将上述气体原料从上述气体原料生成部输送至上述气体原料供给部的输送通路，以在上述被处理基板上的包括发光层的有机层上形成含有金属的层的方式构成。

公开(公告)号：CN101379594A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200780005013.6

申请日：2007-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置可防止在使用了等离子的处理容器内堆积不需要的附着膜。该装置包括：处理容器(34)，其内部可抽成真空，且具有开口的顶部(54a)、侧壁(34a)和底部(34b)；载置台(36)，其为了载置被处理体(W)而设置在上述处理容器(34)内；顶板(54)，其气密地安装于顶部(54a)，由可使微波透过的电介体构成；平面天线构件(58)，其设置于顶板(54)的上表面上，用于向处理容器内导入微波；微波供给部件(60)，其用于向平面天线构件供给微波；气体导入部件(44)，其用于向处理容器(34)内导入必要的处理气体。在处理容器(34)内，与易于堆积不需要的附着膜的部分相对应地设置自顶板(54)延伸的由电介体制的膜附着防止部件(78)。膜附着防止部件(78)由棒状构件(104)构成。

公开(公告)号：CN101347051A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200780000945.1

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，该等离子体处理装置的特征在于，包括：顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；用于载置被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；气密地安装于所述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；向所述处理容器内导入必要的气体的气体导入单元；设置在所述顶板的中央部的上面，用于将规定的传播模式的微波向所述处理容器内导入而形成有微波发射用槽的平面天线部件；设置在所述顶板的周边部的上面，用于向所述处理容器内导入传播模式与通过所述平面天线部件导入的微波不同的微波而形成有微波发射用槽的开槽波导管；和将微波供给所述平面天线部件和所述开槽波导管的微波供给单元。

公开(公告)号：CN100449708C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200580009363.0

申请日：2005-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明的课题在于提高基板处理装置的清洗效率。因此，使用基板处理装置，其包括：在内部保持被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给用于处理的气体的气体供给单元；设置在所述处理容器内的保持所述被处理基板的保持台；和将所述处理容器内的空间分为第一空间和第二空间的遮挡板，包括对所述第一空间进行排气的第一排气路径，和对所述第二空间进行排气的第二排气路径。

公开(公告)号：CN101322224A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200780000456.6

申请日：2007-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  汤浅珠树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67126 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/85978

Abstract: 本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口(50)的能够抽真空的处理容器(42)；用于载置被处理体W而设置在处理容器内的载置台(44)；与排气口连接，并且能够通过滑动式的阀体(94)改变阀口(98)的开口区域面积的压力控制阀(88)；和与压力控制阀连接的排气系统(90)，偏心设置压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的开口区域内。

公开(公告)号：CN100440451C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200480040080.8

申请日：2004-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

Abstract: 在用于处理半导体装置制造用的基板的基板处理装置中，贯通作为冷却对象的处理容器(2)的一部分而形成雾流路(5)。设置有用于发生雾的雾发生器(64)和供给用于搬送发生的雾的运载气体的气体供给源(62)。利用温度传感器(49)检测出作为冷却对象的部位的温度。当检测温度高于规定温度时，在雾流路中例如流入水的雾，利用其汽化热来冷却处理容器。因此，能够快速降低处理容器的温度，在稳定的温度环境下进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN101278073A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200680036514.6

申请日：2006-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上雅司 ,  野泽俊久

IPC: C23C16/448 ,  C23C14/24 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 本发明提供原料供应装置，该原料供应装置将原料蒸发或升华并将其供应到蒸镀装置的处理容器中，该原料供应装置具有在内部保存所述原料的原料容器、向所述原料容器的内部供应运载气体的气体流入口、以及将与所述运载气体一起被蒸发或升华的所述原料供应到所述处理容器的气体排出口，其中在所述原料容器的内部设置气流控制部，用于控制所述运载气体的流动。

公开(公告)号：CN101270831A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810085581.8

申请日：2008-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久

IPC: F16K51/02 ,  F16K1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: F16K31/528 ,  F16K1/24 ,  Y10T137/0396

Abstract: 本发明提供一种可以实现密封构件长使用寿命化的开关阀及具有该开关阀的处理装置。该开关阀(100)设置于可将内部保持真空的腔室(11)与排气装置(53、54)之间，具有连通腔室侧与排气装置侧的开口(111)的阀主体(110)、在阀主体内与开口接触或分离来打开关闭开口的阀体(120)、设置于阀体并在阀体关闭了开口时密封开口的密封构件(120b)、使阀体进退的直进移动部件(140)、设置于离开开口的位置、并供从开口离开的阀体退避的阀退避部(113b)、与使阀体在与开口对应的位置和与阀退避部对应的位置之间转动的转动部件(150)。