公开(公告)号：CN1828274A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610007747.5

申请日：2006-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸

IPC: G01N21/63 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供能够以高精度测量等离子体处理装置的等离子体中F密度的方法。本方法是对处理容器(10)内容纳的被处理体(W)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)的等离子体中F密度进行测量的方法，其使用至少含有O2气和惰性气体的处理气体，根据被处理体(W)表面的F游离基发光强度[F*]和惰性气体发光强度[惰性气体*]之比[F*]/[惰性气体*]，测量等离子体处理中的F密度。

公开(公告)号：CN1790613A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510117383.1

申请日：2005-11-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  C07C21/22

Abstract: 本发明公开一种等离子体加工方法，其通过使用含碳氟化合物的加工气体的等离子体加工目标对象。使用的碳氟化合物在分子内具有至少一个三键和至少一个以单键结合到与相邻碳原子形成三键的碳原子上的CF3基团，例如1，1，1，4，4，4－六氟－2－丁炔或1，1，1，4，4，5，5，5－八氟－2－戊炔。

公开(公告)号：CN119816920A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380066539.4

申请日：2023-09-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法是基片处理方法，包括：工序（a），提供具有基底膜的基片；工序（b），在基底膜上形成第一膜，其中，第一膜由包含EUV吸收截面积比基底膜高的元素的材料构成；和工序（c），在第一膜上形成第二膜，其中，第二膜是含金属抗蚀剂膜。

公开(公告)号：CN111261514B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201910857745.2

申请日：2019-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  户村幕树 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

公开(公告)号：CN111326414B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201911249113.4

申请日：2019-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。

公开(公告)号：CN112133630B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202011049271.8

申请日：2015-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及处理具有掩模的被处理体的方法。[课题]为了调节掩模的开口宽度，不使用专用的成膜装置而在低温下形成氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法中重复进行下述排序以形成氧化硅膜，所述排序包括如下工序：(a)第一工序：在容纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，形成反应前体；(b)第二工序：对处理容器内的空间进行吹扫；(c)第三工序：在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜；以及(d)第四工序：对处理容器内的空间进行吹扫。

公开(公告)号：CN117950370A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311390641.8

申请日：2023-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂木弘典 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸 ,  小川裕亮

IPC: G05B19/418

Abstract: 本发明提供能够高精度地预测对被处理体执行了工艺处理后的被处理体的状态的信息处理装置和信息处理方法。信息处理装置包括：构成为生成模拟数据的生成部，其中，模拟数据包含被处理体的处理前数据与在预先决定的处理条件下对被处理体执行了工艺处理后的处理后数据的多个组合，该组合包含按多个掩模形状的每一者以多种图案密度执行了工艺处理时的处理前数据和处理后数据；以及导出部，其构成为基于通过将模拟数据所包含的处理前数据输入到形状模拟器而预测的预测数据与跟该处理前数据组合的处理后数据的接近度，来导出形状模拟器的模拟参数。

公开(公告)号：CN117099188A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280024747.3

申请日：2022-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川慎也 ,  小野健太 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供控制在被蚀刻膜上形成的开口的尺寸和/或形状的技术。本公开涉及的基板处理方法包含准备基板的工序，所述基板具有(a)被蚀刻膜、(b)在所述被蚀刻膜上形成且在所述被蚀刻膜上具有规定至少一个开口的侧壁的掩模膜、和(c)在所述掩模膜之中的至少所述侧壁上包围所述开口而形成且包含从由硼、磷、硫以及锡构成的组中选择的至少一种元素的保护膜；以及将所述保护膜以及所述掩模膜作为掩模蚀刻所述被蚀刻膜的工序。

公开(公告)号：CN116837349A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310861258.X

申请日：2019-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  熊仓翔 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/503

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

公开(公告)号：CN115954268A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211606830.X

申请日：2017-05-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供基片处理系统、基片处理方法和基片处理装置。基片处理系统的各部分执行：步骤a，利用光学观察装置，对于具有被处理层和形成在被处理层的图案的基片，按照多个区域的每一区域测定图案的槽宽度；步骤b，按照多个区域的每一区域计算图案的槽宽度与基准值的差值；步骤c，基于被处理层的温度与在被处理层上的图案沉积的膜的膜厚的对应，使用与按照多个区域的每一区域计算出的差值对应的膜厚，按照多个区域的每一区域调节被送入处理容器内的基片的被处理层的温度；步骤d，在图案上，形成具有同图案的槽宽度与基准值的差值相当的厚度的膜；和步骤e，使用形成了膜的图案，对被处理层进行蚀刻。