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公开(公告)号：CN111066129A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201980004391.5
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在所述化合物的环境下对蚀刻对象进行蚀刻的步骤。对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包含在该蚀刻对象含有氮化硅SiN时，在氢H和氟F存在的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤，且包含在该蚀刻对象含有硅Si时，在存在氮N、氢H和氟F的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤。该化合物含有构成比氟化氢HF强的酸的阴离子的元素，或者含有构成比氨NH3强的碱的阳离子的元素。
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公开(公告)号：CN118284956A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077733.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有含碳膜和形成于含碳膜的含硅掩模的基板；工序(b)，向基板支承部供给制冷剂来控制基板支承部的温度；工序(c)，向腔室内供给处理气体；以及工序(d)，在进行着工序(b)的状态下，通过源RF信号在腔室内从处理气体生成等离子体，并且向基板支承部供给偏置信号，来蚀刻含碳膜。在工序(d)中，制冷剂被设定为使等离子体蚀刻时的基板或基板支承部表面的温度成为‑70℃以上且100℃以下，源RF信号为具有2kW以上的功率的RF信号，偏置信号为具有2kW以上的功率的RF偏置信号、或者包括2kV以上的电压脉冲的DC偏置信号。
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公开(公告)号：CN118263114A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410384340.2
申请日：2020-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步骤；和使上述基片的表面温度上升，使通过上述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。本发明能够提高蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN110581050B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201910475932.4
申请日：2019-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供能够提高有选择的处理的控制性能的技术。在一个实施方式中，提供一种在处理容器内进行的被处理体的处理方法，其包括：通过等离子体气相沉积在配置在处理容器内的被处理体的表面有选择地形成第一膜的第一步骤；和在不存在第一膜的区域通过原子层沉积形成第二膜的第二步骤。第二步骤通过反复执行流程形成第二膜，该流程包括：向处理容器内供给前体气体在被处理体的表面形成前体层的第三步骤；在第三步骤之后对处理容器内进行吹扫的第四步骤；在第四步骤之后，在处理容器内通过使前体暴露在改性等离子体中而将前体层变换成第二膜的第五步骤；和在第五步骤之后对处理容器内的空间进行吹扫的第六步骤。该处理方法可由等离子体处理装置执行。
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公开(公告)号：CN111066129B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980004391.5
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在所述化合物的环境下对蚀刻对象进行蚀刻的步骤。对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包含在该蚀刻对象含有氮化硅SiN时，在氢H和氟F存在的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤，且包含在该蚀刻对象含有硅Si时，在存在氮N、氢H和氟F的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤。该化合物含有构成比氟化氢HF强的酸的阴离子的元素，或者含有构成比氨NH3强的碱的阳离子的元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230523A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211487516.4
申请日：2022-11-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/32 , C09K13/00
Abstract: 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。用于抑制蚀刻的形状异常。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，将具有含硅膜和含硅膜上的掩模膜的基板提供到腔室内的基板支承部上；工序(b)，向腔室内供给包含含钨气体和氟化氢气体的处理气体，氟化氢气体以比含钨气体的流量多的流量供给到腔室内；以及工序(c)，从处理气体生成等离子体，来对含硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN116072539A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211310944.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统。提供一种使蚀刻率提高的技术。提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有层叠膜的基板，该层叠膜包括硅氧化膜和氮化硅膜；以及工序(b)，从包含CxFy气体(x和y是1以上的整数)与含磷气体中的至少任一种气体以及HF气体的处理气体生成等离子体来对层叠膜进行蚀刻，其中在工序(b)中，基板支承部被控制为温度在0℃以上且70℃以下，并且被供给10kW以上的偏压RF信号或4kV以上的偏压DC信号。
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公开(公告)号：CN116034454A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180054563.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本申请所公开的蚀刻方法包含工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模设置于含硅膜上。蚀刻方法还包含工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含氟化氢气体及含碳气体。在不包含稀有气体的处理气体中的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。或者，在处理气体中的除了稀有气体以外的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。
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公开(公告)号：CN115917711A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180052466.4
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN115440562A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210576592.6
申请日：2022-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够提高对处理气体的耐腐蚀性的喷淋头、电极组件、气体供给组件、基片处理装置和基片处理系统。在一个例示性实施方式中，提供一种喷淋头，其为等离子体处理用的喷淋头，其特征在于：包括主体部，该主体部具有第一面、与第一面相反的一侧的第二面、和多个内侧面，多个内侧面界定从第一面到第二面贯穿主体部的多个气孔，第二面由第一耐腐蚀性材料构成。
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