公开(公告)号：CN115885368A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180051117.0

申请日：2021-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  须田隆太郎 ,  福井信志

IPC: H01L21/3065

Abstract: 蚀刻方法包括工序(a)、工序(b)、工序(c)以及工序(d)。在工序(a)中，向载置台上提供具有基底层和形成于基底层上的蚀刻对象膜的基板。在工序(b)中，从处理气体生成等离子体。在工序(c)中，通过向载置台供给具有第一频率的偏压电力对蚀刻对象膜进行蚀刻，来形成凹部。在工序(d)中，根据工序(c)后的凹部的深宽比，将偏压电力的频率变更为与第一频率不同的第二频率，来进一步对蚀刻对象膜进行蚀刻。在蚀刻方法中，在生成等离子体后到基底层露出为止的期间，连续地对蚀刻对象膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN118284956A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280077733.8

申请日：2022-11-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 向山广记 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  福井信志

IPC: H01L21/3065

Abstract: 等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有含碳膜和形成于含碳膜的含硅掩模的基板；工序(b)，向基板支承部供给制冷剂来控制基板支承部的温度；工序(c)，向腔室内供给处理气体；以及工序(d)，在进行着工序(b)的状态下，通过源RF信号在腔室内从处理气体生成等离子体，并且向基板支承部供给偏置信号，来蚀刻含碳膜。在工序(d)中，制冷剂被设定为使等离子体蚀刻时的基板或基板支承部表面的温度成为‑70℃以上且100℃以下，源RF信号为具有2kW以上的功率的RF信号，偏置信号为具有2kW以上的功率的RF偏置信号、或者包括2kV以上的电压脉冲的DC偏置信号。

公开(公告)号：CN116997997A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280021687.X

申请日：2022-03-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  福井信志 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065

Abstract: 一种使用基板处理装置进行的基板的蚀刻方法，所述基板处理装置具备：处理腔室，其形成所述基板的处理空间；基板支承体，其设置于所述处理腔室的内部，用于保持所述基板；以及电源，其至少向所述基板支承体供给偏压电力，所述蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，将具有基底层和所述基底层上的有机材料层的所述基板提供到所述基板支承体上；工序(b)，在所述处理腔室内生成等离子体；以及工序(c)，以规定的周期重复对所述基板支承体的偏压电力的供给和停止，其中，在所述工序(c)中，将所述周期中的不供给所述偏压电力的断开时间设为10毫秒以上。