一种利用煤矸石制备泡沫陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN103319201A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310229971.9

    申请日:2013-06-09

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及利用煤矸石制备泡沫陶瓷的方法,属于陶瓷材料技术领域。将煤矸石破碎、球磨,使浆料粒度达到200目以下,并烘干。以破碎球磨后的煤矸石作为主要原料,用5~20μm尺寸范围的球状交联丙烯酸树脂作为造孔剂,质量配比为煤矸石∶交联丙烯酸树脂=1∶0.1~1。然后添加占原料总重量0.5~2%的聚乙二醇6000作为分散剂,再添加占原料总重量0.5~4%的聚乙烯醇作为粘结剂,最后加入占原料总重量5~15%的水,放入搅拌机中搅拌至均匀,机压成型,然后放入烘箱中干燥至坯体质量不再发生变化。将烘干后的坯体放入高温炉中,在空气气氛下进行反应烧结,合成温度为1000~1200℃,保温1~4h。制备出的泡沫陶瓷的体积密度为0.8~1.3g/cm3,气孔率为40%~80%。

    混合导体透氧陶瓷膜空气侧表面改性方法

    公开(公告)号:CN101774824B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201010023115.4

    申请日:2010-01-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种混合导体透氧陶瓷膜空气侧表面改性方法,更具体地说,本发明涉及一种采用以钙钛矿透氧膜坯体为基体,采用浸渍法在其空气侧表面涂上具有催化作用的涂层,使其透氧量显著提高的混合导体透氧陶瓷膜空气侧表面改性方法。本发明属功能陶瓷技术领域。本发明采用具有催化作用的氧化铋基固溶体粉体为主要原料,通过加入溶剂、造孔剂、分散剂、粘结剂等辅料,并通过球磨混合得到涂层浆料;将该浆料浸渍涂敷于透氧陶瓷膜片上,经烘箱烘干,900℃下煅烧2小时,即得氧化铋基固溶体为涂层的空气侧表面改性的混合导体透氧陶瓷膜。该改性透氧陶瓷膜具有大量多孔状微观结构,故有特优的透氧效率。

    一种具有高红外辐射率的高温抗氧化涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN101891398A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN201010227851.1

    申请日:2010-07-15

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种具有高红外辐射率的高温抗氧化涂层的制备方法,即采用纳米SiO2和纳米Y2O3稳定ZrO2为基体粉料,采用磷酸二氢镁及磷酸钠作为高温结合剂,混合之后,经球磨、涂覆、烘干、烧结得到致密的具有高红外辐射率的高温抗氧化涂层。该技术属于无机非金属材料技术领域。本发明制备的具有高红外辐射率的高温抗氧化涂层,全波段法向红外辐射率达到了0.90,使用温度高达1600℃,抗氧化效果明显,抗热震性能优异,不易脱落,可广泛用于近空间飞行器和高温发热体的抗氧化和辐射散热的需要,以及超高温窑炉的红外辐射节能涂料。

    一种氧离子-电子混合导体离子电导率的测量方法

    公开(公告)号:CN101101271A

    公开(公告)日:2008-01-09

    申请号:CN200710041149.4

    申请日:2007-05-24

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种氧离子-电子混合导体材料离子电导率的测量方法。混合导体为一种同时具有氧离子和电子导电能力的陶瓷材料。本发明测量方法的特点是,利用电子阻塞后待测混合导体试样几何形状发生的变化引起的电阻的变化来计算而得到其离子电导率;由于混合导体和阻塞电极的接触情况前后没有发生任何变化,计算中可以不考虑界面电阻、阻塞电极电阻以及Pt电极电阻,避免了由此造成的误差。混合导体的离子电导率σi的计算公式为:σi=(L1-L2)/[S×(R-R′)]。本发明的测量方法简单方便,测量电池结构简单,减少了引入误差的因素。

    高红外辐射率节能涂料的制备方法

    公开(公告)号:CN1821317A

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200610025234.7

    申请日:2006-03-30

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 甄强

    CPC classification number: Y02P20/124

    Abstract: 本发明涉及一种低成本高红外辐射率节能涂料的制备方法,属无机金属氧化物涂料制造工艺技术领域。本发明方法的制备过程和步骤如下:首次利用硅铁合金产生的副产品SiO2超细微粉以及工业纯Fe2O3、Cr2O3、MnO2为原料,其配方为:SiO2超细微粉40~60wt%,Fe2O320~40wt%,Cr2O35~15wt%,MnO25~15%;将此配合料放于球磨机内混合、研磨后,送入烧结炉中于1100~1200℃下烧结,再经球磨,制得基体粉料;在上述基体粉料中加入事先配制好的涂料粘结剂,粘结剂是由Mg(OH)2、H3PO4、NaOH及水配制成,经水溶加热反应而得;基体粉料与粘结剂的重量配比为1∶1,经搅拌均匀后,最终制得具有高红外辐射率的节能涂料。本发明方法制得的高红外辐射率节能涂料其室温全波长积分发射率为0.90,各个波长范围法向比辐射率均大于等于0.90。

    一种铜渣制备铁和硅酸盐熔渣的方法

    公开(公告)号:CN119843325A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202510336517.6

    申请日:2025-03-21

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 甄强 胡鲍炯 杨悦

    Abstract: 本发明提供了一种铜渣制备铁和硅酸盐熔渣的方法,属于固废资源化利用技术领域。本发明提供的铜渣制备铁和硅酸盐熔渣的方法,包括:将熔融态铜渣进行电解,得到铁和硅酸盐熔渣;所述熔融态铜渣的温度为1200~1400℃。本发明在铜渣的熔融状态下进行高温电解,能够将铜渣中的铁氧化物充分还原为铁,从而提高了铁的回收率。实验结果表明,本发明提供的方法铁回收率为80.51~95.52%。

    一种半导体陶瓷加热器及其设计方法

    公开(公告)号:CN119378044A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202510000205.8

    申请日:2025-01-02

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本申请公开了一种半导体陶瓷加热器及其设计方法,涉及半导体陶瓷加热器领域。该方法包括建立半导体陶瓷加热器每圈加热丝的长度表达式,从而确定每圈加热丝产生的热量表达式;热量表达式与每圈加热丝半径和升高到目标温度所需热量有关;建立加热丝将陶瓷圆盘分割的每个区域的面积表达式;面积表达式与每圈加热丝半径有关;根据面积表达式和热量表达式确定每个区域分配到的热量模型;根据面积表达式和每个区域的目标温度确定每个区域的辐射散热量模型;结合热量模型和辐射散热量模型,求解得到每圈加热丝半径和升高到目标温度所需热量。本申请能简化半导体陶瓷加热器设计流程,并提高半导体陶瓷加热器温度均匀性。

    一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117820029A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410041195.8

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明属于陶瓷涂层技术领域,具体涉及一种碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层及其制备方法和应用。本发明提供的碳化硅晶须增韧的陶瓷涂层在陶瓷层和基底之间设有SiC晶须穿插的SiC过渡层,SiC晶须可以穿插至基底表面和陶瓷层表面,从而提高陶瓷层与基底之间的结合力,而且过渡层本身分布均匀,能缓解基底与陶瓷层之间热膨胀系数差异产生的影响,使陶瓷层与基底链接紧密,解决传统陶瓷外涂层与基底的结合能力不足且易脱落的问题。本发明所提供的带含碳化硅过渡层(含碳化硅晶须)的陶瓷外防护层可以在超高温下具有紧密结合力,断裂韧性高,不容易脱落。

    一种三元高温陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117209286A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311174773.7

    申请日:2023-09-12

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明提供了一种三元高温陶瓷材料,化学成分按质量百分比计包括:TiB243~60%、TiN 36~52%和SiC 1~15%。本发明中TiN是一种高熔点,具有高介电损耗,独特电磁行为的电磁波吸收材料,能够进一步提高TiB2的吸波性能,同时TiB2能够弥补TiN有效吸收带宽不足和吸收能力较弱的缺陷;SiC和TiN能够与TiB2复合形成介电损耗型微波吸收材料,从而提升了TiB2的微波吸收性能。

    一种液态超支化聚碳硅烷、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN114573821B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202210211155.4

    申请日:2022-03-03

    Applicant: 上海大学

    Inventor: 甄强 卢毓鹏 陈来

    Abstract: 本发明公开了一种液态超支化聚碳硅烷、制备方法及其应用。该液态超支化聚碳硅烷其为含碳碳双键的聚碳硅烷,其结构式为[SiHx(CH3)y(C=CH2)zCH2]n,其中,n为大于0的自然数,x+y+z=2。其制备方法是在惰性气体保护条件下,以氯甲基三氯硅烷和氯甲基(甲基)二氯硅烷、镁为原料,四氢呋喃和芳烃为混合溶剂,通过“一釜法”得到聚碳硅烷,该方法反应条件温和,安全可控,解决了传统单一溶剂体系易造成反应失败及热失控等问题,所制得的液态超支化聚碳硅烷,为含碳碳双键的聚碳硅烷,其作为先驱体有较高的陶瓷转化率,在制备高温抗氧化陶瓷领域有广阔前景。

Patent Agency Ranking