对时域信号进行酉矩阵计算的光学装置

    公开(公告)号:CN113452449A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202110771423.3

    申请日:2021-07-08

    Inventor: 邹卫文 徐绍夫

    Abstract: 一种对时域信号进行酉矩阵计算的光学装置,利用光的传播过程直接实现了对应的酉矩阵计算,使不同的光信号在本装置中传播时需要经过的调制器与延时线数量相同,由部件的插入损耗带来的不均一度可以忽略不计,大幅提升了目标酉矩阵的保真度。本发明计算速度为光速,计算时延极低,大幅提升酉矩阵计算的保真度。本发明提供了高效率计算手段,可大幅加速人工智能、量子计算、无线通信、生命科学等领域的发展。

    基于卷积循环自动编码器的并行光模数转换系统和方法

    公开(公告)号:CN111650803B

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202010673310.5

    申请日:2020-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于卷积循环自动编码器的并行光模数转换系统和方法,系统包括并行光模数转换器模块、数字信号处理器模块和卷积循环自动编码器模块;用两种失配程度的一类信号训练后,卷积循环自动编码器模块能够学习到并行光模数转换器模块的系统特征也即时间失配,并将失配信号映射为系统无失配状态下的高质量的数字信号;而且两种失配程度的一类信号训练后的卷积循环自动编码器模块,能够实现对多种失配程度的多类信号失配补偿。本发明可广泛应用于提升并行光模数转换器性能,对需要实现高频、大带宽、高精度采样的当代信息处理系统如微波光子雷达和光通信等系统的性能提升和能力拓展具有重要意义。

    一种基于多材料体系的光电单片集成系统

    公开(公告)号:CN111474745B

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202010261070.8

    申请日:2020-04-03

    Abstract: 本发明提供了一种基于多材料体系的光电单片集成系统,该系统磷化铟‑硅激光器、硅无源光子器件、氮化硅无源光子器件、氮化硅‑铌酸锂电光调制器、锗‑硅探测器和电子电路集成在同一衬底上,用于减少了光电系统的尺寸,减少电、光互联距离,从而极大的减少寄生参数对集成系统的不利的影响;避免了光路模块和电路模块间的封装,降低了封装成本。发挥铌酸锂材料优异的电光性能、氮化硅材料低损耗、低偏振敏感度、高工艺容忍度与硅材料高折射率的优势,实现性能优异的单片光电集成系统。

    光电芯片及其混合集成方法

    公开(公告)号:CN111722316A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010505301.5

    申请日:2020-06-05

    Abstract: 一种光电芯片及其混合集成方法,所述的光电芯片包括由下至上依次设置的硅衬底,射频芯片,二氧化硅层,BCB层,硅锗层,铌酸锂波导层及金属电极层,金属通孔走线贯穿于自射频芯片到金属电极。本发明实现了光电芯片的一体化,减少了链路损耗和串扰电平,将信号劣化到最小;同时利用二氧化硅与LN的频率温度系数相反的特性,有效的实现了温度补偿效应,提高了系统的稳定性。该系统的电极结构采用DC直电极与射频叉指电极配合的结构,有效的降低了射频反射损耗。此外,该芯片架构可采用成熟的半导体工艺技术实现,这对于光电系统走向小体积、低功耗、实用化具有重要意义。

    光模数转换系统中解复用模块性能的测试方法

    公开(公告)号:CN111478729A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010266765.5

    申请日:2020-04-07

    Abstract: 一种光模数转换系统中解复用模块性能的测试方法,基于光子学技术,通过输入光模数转换系统不同频率的被采样信号,测量得到光模数转换系统的通道响应曲线。通道响应曲线中,位于不同奈奎斯特区间的输出信号功率的极差能够反映出解复用模块的性能。不同奈奎斯特区间的输出信号功率的极差越小,则解复用模块的性能越好。该方法适用于基于不同解复用原理的解复用模块,并且极大的简化了光模数转换系统中解复用模块性能的测试流程。该方法有望为下一代光模数转换芯片的优化设计和性能测试提供更为简单有效的手段。

    一种基于多材料体系的光电单片集成系统

    公开(公告)号:CN111474745A

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN202010261070.8

    申请日:2020-04-03

    Abstract: 本发明提供了一种基于多材料体系的光电单片集成系统,该系统磷化铟-硅激光器、硅无源光子器件、氮化硅无源光子器件、氮化硅-铌酸锂电光调制器、锗-硅探测器和电子电路集成在同一衬底上,用于减少了光电系统的尺寸,减少电、光互联距离,从而极大的减少寄生参数对集成系统的不利的影响;避免了光路模块和电路模块间的封装,降低了封装成本。发挥铌酸锂材料优异的电光性能、氮化硅材料低损耗、低偏振敏感度、高工艺容忍度与硅材料高折射率的优势,实现性能优异的单片光电集成系统。

    单片集成光子卷积神经网络计算系统及其制备方法

    公开(公告)号:CN111461317A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010260123.4

    申请日:2020-04-03

    Abstract: 本发明提供了一种单片集成光子卷积神经网络计算系统及其制备方法,基于铌酸锂-硅新型晶圆,在同一个芯片上集成集成设置于铌酸锂-硅晶圆基底上的信号输入阵列模块、数据重排阵列模块、权值阵列模块、光电转换阵列模块、直流驱动电路模块、射频驱动电路模块以及电子信号处理电路模块,避免了多个芯片之间的光电耦合损耗,保证了未来大规模光子神经网络计算系统的实现;此外,由于利用了铌酸锂-硅晶圆,本发明提出的单片集成光子卷积神经网络计算系统及其制备方法,在现有的CMOS兼容的工艺线上完成制备,大大降低了传统铌酸锂刻蚀等工艺的成本。

    基于铌酸锂-硅晶圆的单片集成光模数转换系统及制备方法

    公开(公告)号:CN111176053A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010101410.0

    申请日:2020-02-19

    Abstract: 一种基于铌酸锂-硅晶圆的单片集成光模数转换系统及制备方法,利用一种新型晶圆(铌酸锂-硅晶圆),实现了包括电光调制器阵列、可调延时线阵列、电子电路等在内的电光多器件单片集成光模数转换系统。使得多种器件在同一个芯片上制作出来,保证了系统的性能优势及其稳定性。此外,本发明提出了一种CMOS兼容的系统制备方式,使得基于铌酸锂-硅晶圆的单片集成光模数转换系统可以在多数芯片制造厂商的平台上实现。

    基于铌酸锂-硅晶圆的高速低电压电光调制器

    公开(公告)号:CN111175999A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010111302.1

    申请日:2020-02-24

    Abstract: 一种基于铌酸锂-硅晶圆的高速低压电光调制器,硅晶圆位于铌酸锂晶圆上方,通过刻蚀硅波导,形成铌酸锂-硅混合波导,通过改变硅波导的结构使得光波在铌酸锂-硅混合波导中具有不同的能量分布。当硅波导中具有更多的能量分布时,适用于实现紧凑的分波功能、合波功能与热光调制功能;当铌酸锂波导中具有更高的能量分布时,适用于实现高速、低电压的电光调制功能。本发明分别发挥了铌酸锂和硅材料平台的优势,适用于高速低电压的电光调制。

Patent Agency Ranking