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公开(公告)号:CN111458953A
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN202010375830.8
申请日:2020-05-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 一种基于光子并行采样的光模数转换架构,基于光子学技术,通过将重复频率为fs的光采样时钟分解为N路,控制每路相对延时为1/(fs*N),然后将N路等时间间隔的光采样时钟分别输入N个相同的光子采样门,完成光子并行采样,实现了对同一被采样信号源实际总采样率为N*fs的光模数转换。该架构能够基于低速的光采样时钟实现高采样速率的光模数转换系统,降低了对光采样时钟的设计要求。同时简化了系统中解复用模块的复杂度,能够有效降低光路损耗。该架构有望成为下一代高速率高精度片上光模数转换系统的解决方案。
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公开(公告)号:CN111722316A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010505301.5
申请日:2020-06-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种光电芯片及其混合集成方法,所述的光电芯片包括由下至上依次设置的硅衬底,射频芯片,二氧化硅层,BCB层,硅锗层,铌酸锂波导层及金属电极层,金属通孔走线贯穿于自射频芯片到金属电极。本发明实现了光电芯片的一体化,减少了链路损耗和串扰电平,将信号劣化到最小;同时利用二氧化硅与LN的频率温度系数相反的特性,有效的实现了温度补偿效应,提高了系统的稳定性。该系统的电极结构采用DC直电极与射频叉指电极配合的结构,有效的降低了射频反射损耗。此外,该芯片架构可采用成熟的半导体工艺技术实现,这对于光电系统走向小体积、低功耗、实用化具有重要意义。
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公开(公告)号:CN111722316B
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202010505301.5
申请日:2020-06-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种光电芯片及其混合集成方法,所述的光电芯片包括由下至上依次设置的硅衬底,射频芯片,二氧化硅层,BCB层,硅锗层,铌酸锂波导层及金属电极层,金属通孔走线贯穿于自射频芯片到金属电极。本发明实现了光电芯片的一体化,减少了链路损耗和串扰电平,将信号劣化到最小;同时利用二氧化硅与LN的频率温度系数相反的特性,有效的实现了温度补偿效应,提高了系统的稳定性。该系统的电极结构采用DC直电极与射频叉指电极配合的结构,有效的降低了射频反射损耗。此外,该芯片架构可采用成熟的半导体工艺技术实现,这对于光电系统走向小体积、低功耗、实用化具有重要意义。
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