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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111722316A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010505301.5
申请日：2020-06-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种光电芯片及其混合集成方法，所述的光电芯片包括由下至上依次设置的硅衬底，射频芯片，二氧化硅层，BCB层，硅锗层，铌酸锂波导层及金属电极层，金属通孔走线贯穿于自射频芯片到金属电极。本发明实现了光电芯片的一体化，减少了链路损耗和串扰电平，将信号劣化到最小；同时利用二氧化硅与LN的频率温度系数相反的特性，有效的实现了温度补偿效应，提高了系统的稳定性。该系统的电极结构采用DC直电极与射频叉指电极配合的结构，有效的降低了射频反射损耗。此外，该芯片架构可采用成熟的半导体工艺技术实现，这对于光电系统走向小体积、低功耗、实用化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115629504A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211327660.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种并行解复用型光子模数转换相位失配实时反馈自校准方法及系统，该方法通过对交织型光子模数转换系统输出数字信号的处理与分析，通过通道间相位响应曲线的特征提取系统工作状态下的相位失配信息，并结合解复用模块与光可调延时模块构建了一个反馈链路实现相位失配的校准。本发明克服了传统模数转换系统校准中硬件设计复杂与软件算法繁冗的难题，无需借助外部设备即可实现系统实时反馈自校准。本发明对提升时间交织型光子模数转换系统的性能、推进交织型光子模数转换系统实用化意义重大。
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公开(公告)号：CN111722316B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010505301.5
申请日：2020-06-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种光电芯片及其混合集成方法，所述的光电芯片包括由下至上依次设置的硅衬底，射频芯片，二氧化硅层，BCB层，硅锗层，铌酸锂波导层及金属电极层，金属通孔走线贯穿于自射频芯片到金属电极。本发明实现了光电芯片的一体化，减少了链路损耗和串扰电平，将信号劣化到最小；同时利用二氧化硅与LN的频率温度系数相反的特性，有效的实现了温度补偿效应，提高了系统的稳定性。该系统的电极结构采用DC直电极与射频叉指电极配合的结构，有效的降低了射频反射损耗。此外，该芯片架构可采用成熟的半导体工艺技术实现，这对于光电系统走向小体积、低功耗、实用化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115840323A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111104770.7
申请日：2021-09-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明提出一种基于光学捕获原理的光子模数转换系统及芯片，该光子模数转换芯片利用多路连续光加载被采样模拟信号并通过光延时线控制各路模拟信号等时间间隔进入光学捕获单元实现信号在时间域的离散化。本发明利用光学捕获单元产生幅度由被采样信号调制的光抽样脉冲序列，将连续激光代替锁模激光器，利用异质集成工艺实现单片集成光子模数转换芯片。本发明采用多光源同时输入的设计大大提高了光子模数转换芯片输出光功率，抵消了片上光功率损耗对光子模数转换芯片转换精度的影响。本发明是一种实现单片集成高速高精度光子模数转换芯片的解决方案。
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公开(公告)号：CN111458953A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010375830.8
申请日：2020-05-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 一种基于光子并行采样的光模数转换架构，基于光子学技术，通过将重复频率为fs的光采样时钟分解为N路，控制每路相对延时为1/(fs*N)，然后将N路等时间间隔的光采样时钟分别输入N个相同的光子采样门，完成光子并行采样，实现了对同一被采样信号源实际总采样率为N*fs的光模数转换。该架构能够基于低速的光采样时钟实现高采样速率的光模数转换系统，降低了对光采样时钟的设计要求。同时简化了系统中解复用模块的复杂度，能够有效降低光路损耗。该架构有望成为下一代高速率高精度片上光模数转换系统的解决方案。
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