一种耐腐蚀导电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115440407A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210928478.5

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀导电材料及其制备方法。耐腐蚀导电材料是以SiO2和铂或金为主要成分的一种新型材料。该材料利用氨水、醋酸作为催化剂,正硅酸已酯(TEOS)为SiO2源,甘油作为防裂剂,铂或金粉作为导体材料。利用氨水的催化使得硅‑羟基化合物的溶解度增大,再利用醋酸的二步催化使硅-羟基化合物聚合成胶粒。往配制好的胶体里加入甘油作为防裂剂,添加适量的微米级粒度的铂或金粉,搅拌混合均匀。将制备好的胶体旋涂在硅片等不同的衬底上,利用快速退火炉进行热处理,可制备出一种新型耐腐蚀导电材料。本发明方法简单,具有非常好的可塑形性,具有耐氧化,耐强酸、盐水的腐蚀性能,在海水中长时间工作,电阻不变,电阻率可调节的范围非常大。

    一种基于二元闪耀亚波长光栅的、垂直耦合的光栅耦合器及制备方法

    公开(公告)号:CN113933941B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202111242481.3

    申请日:2021-10-25

    Inventor: 杨思攀 程秀兰

    Abstract: 本发明公开了一种基于二元闪耀亚波长光栅的、垂直耦合的光栅耦合器,自上而下的功能层、键合层和衬底层。功能层为脊型结构,包括输入/出光耦合器、光子波导器件区域。输入与输出光耦合器呈对称设置,内均设有周期性排布的二元亚波长闪耀光栅阵列,每个周期中设置有一个不同宽度的主级和次级亚波长光栅,相邻亚波长光栅之间形成宽度不一的间隔槽,最后一个次级亚波长光栅与中间的光波导区域相临近。本发明在降低器件设计复杂度的同时优化设计出一种基于二元闪耀亚波长光栅的光栅耦合器,以实现最大的光耦合效率,垂直耦合还极大地方便了器件的测试和后期芯片的封装。本发明所设计的光子器件结构较紧凑、制备工艺简单、可重复性好。

    一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111613400B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202010393189.0

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法;所述薄膜是以VO2,MgV2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时,在高真空条件下,在衬底上对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射沉积薄膜。本发明尤其利用镁原子优异的还原性能,将五氧化二钒中﹢5价钒,降价还原﹢4价制备NTC薄膜。通过改变加在镁靶和五氧化二钒靶的功率,调节薄膜中不同成分的比例,同时还可调节薄膜电阻升降温热滞,以及电阻率。相比传统制备NTC薄膜方法,本发明制备薄膜更简单,快捷,高效,且兼容各种衬底;制备出的NTC薄膜不需要高温退火,结晶状况良好;且在室温条件下具有电阻温度系数高,热滞宽度小,薄膜电阻率低,材料常数高等特点。

    一种精细微纳米玻璃结构的加工方法

    公开(公告)号:CN113788452A

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202111014187.7

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法,包括如下步骤:准备玻璃基片,并进行清洗吹干;当掩膜材料为非光刻胶材料,将掩模薄膜沉积到玻璃基片上,再涂覆光刻胶;当掩膜材料为光刻胶材料,在玻璃基片上涂覆光刻胶;采用光刻的方式,将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上;当掩膜材料为非光刻胶材料,先对掩膜材料进行刻蚀,再对玻璃基片进行刻蚀;当掩膜材料为光刻胶材料,仅对玻璃基片进行刻蚀即可;利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料,形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺,可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min,粗糙度降低到40nm以下,侧壁垂直度接近90°。

    一种拉曼光谱检测基底的制备方法

    公开(公告)号:CN108896530B

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201810715337.9

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 本发明提供了一种拉曼光谱检测基底的制备方法,其包括如下步骤:制备前驱体溶液;将FTO玻璃经清洗后,倾斜放置于所述前驱体溶液中,在150℃下水热反应后,在500℃下退火,在FTO玻璃表面形成TiO1.04纳米棒;将所述TiO1.04纳米棒浸泡于氨基化溶液中,进行表面处理后,烘干,洗净后置于柠檬酸钠溶液中,煮沸,在沸腾状态下加入氯金酸溶液,反应至溶液从无色变为酒红色,取出,洗净。与现有技术相比,本发明可以实现低成本、高灵敏度的拉曼检测基底的制备,有利于大规模生产。相比于颗粒状的拉曼基底,基于玻璃基底的拉曼基底在检测与自降解方面操作更加简单。本拉曼基底可多次重复使用并且并保持很高的检测灵敏性。本基底可保持长期稳定。

    经高密度纳米点阵列制备生物大分子单分子芯片的方法

    公开(公告)号:CN104531853A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410769264.3

    申请日:2014-12-12

    Abstract: 本发明公开一种经高密度纳米点阵列制备生物大分子单分子芯片的方法,首先在基底上铺设一层薄膜,再在薄膜上制备纳米坑阵列,经进一步基底修饰(O2等离子体处理基底进行羟基化,再经修饰使之生物素化),去除薄膜后形成可连接生物大分子的活性纳米点阵列,因纳米点足够小,只能连接一个生物大分子;最后清洗基底,获得高密度的单分子生物芯片。本发明获得的目的生物芯片主要特征是单分子、高通量、多功能,可用于超灵敏单分子酶联免疫吸附分析、基于杂交的DNA变异检测、单分子DNA合成和连接测序以及单细胞RNA测序等领域。

    单分子生物反应器制备单微纳米珠携带单根多聚物的方法

    公开(公告)号:CN103305603A

    公开(公告)日:2013-09-18

    申请号:CN201310100338.X

    申请日:2013-03-26

    Abstract: 一种单分子生物反应器制备单微纳米珠携带单根多聚物的方法,上游为单分子生物反应器、下游为目的产物分离与富集器;将多聚物一端用活性基团标记,另一端或侧链用荧光物种标记,微纳米珠包被可与多聚物活性基团连接的活性基团,多聚物与微纳米珠按摩尔比1:≥10的比例注入单分子反应器,经完全连接后,经目的产物分离与富集器获得高纯度目的产物即单个微纳米珠只携带一根多聚物的复合物;本发明方法获得的目的产物,可用于单分子水平的核酸-蛋白质互作动力学、抗体筛选、单分子测序以及第二代测序仪的样品制备等。

    一种防样品背面沉积的半自动化等离子掩模夹具

    公开(公告)号:CN221460500U

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202420009967.5

    申请日:2024-01-03

    Abstract: 本实用新型属于工业生产技术领域,具体涉及一种防4英寸晶圆样品背面沉积的半自动化等离子掩模夹具,包括下盖板,所述下盖板的顶部连接有下环形凸块,所述下盖板的顶部设置有四组第一磁块,所述下环形凸块的内侧设置有托盘,托盘为软性材质,所述下盖板的顶部设置有上盖板,所述上盖板的底部设置有上环形凸块,所述上环形凸块的内侧设置有压环,所述上盖板的底部设置有四组第二磁块。本实用新型提出通过上盖板为铅板和压环套嵌结构,压环为软性材质,而铅板的重量大,作为上盖板可以用重力将压环压在晶圆样品边沿,并通过四组磁块进一步实现密封,当软性压环与软性托盘将样品压实和密封后,样品背面和软性托盘紧密贴合,上、下盖板的环形凸块、托盘及较宽的压环共同阻碍反应气体流到样品背部。

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