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公开(公告)号：CN112349847A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011082366.X
申请日：2020-10-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿太阳电池制备领域，公开一种钙钛矿太阳电池自动化生产设备，该设备包括第一超声喷涂装置、第二超声喷涂装置、电场处理装置、第三超声喷涂装置、丝网印刷装置以及传送装置；其中第一超声喷涂装置、第二超声喷涂装置、电场处理装置、第三超声喷涂装置和丝网印刷装置沿传动方向依次布置于传送装置之上。本发明结合比较成熟的喷涂技术、丝网印刷技术与变化电场处理技术，组成一整套可以在刚性导电基底上生产钙钛矿太阳电池的生产流水线，真正实现了变化电场处理钙钛矿器件的产业化制备流程，做到了放入是导电玻璃片，出来是成品钙钛矿器件的无缝衔接。
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公开(公告)号：CN111416011A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010269936.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种p型PERC晶硅太阳电池及其制备方法，在p型晶硅片正面生长具有绒面结构的氧化硅层和多晶硅层，包括以下步骤：对所述硅片表面制绒，形成随机分布的金字塔绒面；高温磷扩散形成n+发射极，随后去除正面磷硅玻璃；热氧化形成所述氧化硅层；沉积本征多晶硅层，用高温扩散对所述本征多晶硅层进行磷掺杂，得到具有载流子选择性接触的全面积TOPCon结构。本发明的有益效果是：有效降低载流子在电池前表面的复合，制备工艺能与现有的PERC产线兼容，同时不需要激光选择性掺杂设备。
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公开(公告)号：CN110880541A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911111125.0
申请日：2019-11-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新结构n型晶硅PERT双面电池及其制备方法，涉及硅太阳电池领域，n型晶硅衬底的前表面依次形成p+发射极层、氢化氮化硅减反射层和Ag/Al电极，所述p+发射极层的局部形成有p++选择性发射极区域，在所述n型晶硅衬底的后表面依次形成氧化硅层、p掺杂多晶硅层、氢化氮化硅钝化层和Ag电极。本发明采取了在常规扩散的硼硅玻璃表面进行激光掺杂以降低金属接触区域的载流子复合，不需要低压扩散等设备做高方阻；用硝酸化学氧化这一简洁、易控、极低成本的方式制备性能良好的超薄氧化硅层；经过合适的边绝缘和高温退火后，电池前后侧结构的特性能同时得到提高，不会相互干扰，而且后续提升空间很大，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110518130A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910802239.3
申请日：2019-08-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电场调控钙钛矿晶粒二次生长的方法，涉及太阳电池领域，其特征在于，在现有一步旋涂法热处理的基础上，自主设计了一个加电场的装置，此装置可以根据需要通过调节俩电极的距离进而调控电场强度，从而实现调控薄膜晶粒的二次生长。本发明利用探针接触薄膜的导电ITO面，实现电场处理过程中的可视化，并且对样品薄膜是无损。本发明不使用化学方法更加环保，简单易行。通过电场处理的钙钛矿薄膜更大的晶粒尺寸、更多的钙钛矿成分，其制备的钙钛矿太阳电池具有更大的开路电压、短路电流密度，进而具有更高的光电转换效率，且具有更好地稳定性。
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公开(公告)号：CN109841740A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910221097.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镍空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法，本发明的制备方法，核心创新点在于，在空穴传输层制备步骤中，加入紫外线臭氧表面处理工艺。本发明解决了旋涂法制备的氧化镍空穴传输层的厚度不均匀且极容易产生孔洞的问题，防止器件中钙钛矿薄膜与透明电极直接接触而影响器件性能。相比掺杂纳米粒子的对氧化镍薄膜进行改性处理的方法，本方法制备得到的钙钛矿太阳电池更稳定，制备出的器件个体间差异较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106190101A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610548570.3
申请日：2016-07-13
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08J5/18 , C08J2329/04 , C08L29/04 , C09K11/65 , C09K11/883
Abstract: 一种荧光量子点薄膜技术领域的具有微结构表面的自支持薄膜及其制备方法，首先分别制得荧光量子溶液和PVA溶液，然后将荧光量子溶液加入PVA溶液中混合均匀，得到荧光量子/PVA混合溶液；接着在底部具有微结构的模具中加入荧光量子/PVA混合溶液，最后加热固化制得具有微结构表面的自支持薄膜。本发明通过在荧光量子点自支持薄膜的表面设置微结构，提高固态荧光量子产率及相应的光转换效率；可以在光电器件、生物科技等诸多领域广泛应用。
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公开(公告)号：CN105977317A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610550956.8
申请日：2016-07-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0322 , H01L31/03923
Abstract: 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备方法，包括：步骤一，在基底上制备一层In‑Se化合物层；步骤二，在所述In‑Se化合物层上制备Cu‑In‑Ga层，得到预制层为In‑Se/Cu‑In‑Ga的双层预制层；步骤三，将所述双层预制层进行硒化热处理，得到铜铟镓硒吸收层。本发明制备的铜铟镓硒太阳电池吸收层可以促进铜铟镓硒吸收层背表面处的晶粒生长，同时调节吸收层的带隙结构，从而提高铜铟镓硒太阳电池的开路电压、填充因子和转化效率。
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公开(公告)号：CN102608510B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210017659.9
申请日：2012-01-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/00
Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法，通过使用电致发光技术，实现快速测定晶体硅太阳电池的少子寿命，包括步骤：在标准晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压U0，得到标准晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量标准晶体硅太阳电池的电致发光强度ILs；通过关系式以及标准晶体硅太阳电池的平均少子寿命τns，得到系数A；在晶体硅太阳电池上施加正向偏置电压U0，得到晶体硅太阳电池的电致发光图像，测量晶体硅太阳电池的发光强度IL；通过关系式以及系数A，得到晶体硅太阳电池的平均少子寿命τn以及太阳电池上某一选定区域内的少子寿命面分布。
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公开(公告)号：CN103346214A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310278007.5
申请日：2013-07-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/078 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN102681288A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210162942.0
申请日：2012-05-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种光学限幅器，包括非线性光学介质和硅薄膜。非线性光学介质具有正的非线性折射系数，硅薄膜上具有经过激光晶化处理的晶化区域，硅薄膜的吸收系数在晶化区域的横截面上的分布为沿晶化区域的边缘到晶化区域的中心的方向递增。入射激光束依次通过非线性光学介质和硅薄膜的晶化区域。当入射激光束的光强大于或等于自聚焦阈值光强时，入射激光束通过非线性光学介质后被聚焦并投射晶化区域上，因此被吸收，从而达到光学限幅的效果。本发明结构简单、成本低廉，可用于多种不同场合，从而为精密光学器件(包括人眼)的安全使用提供保障。
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