公开(公告)号：CN110880541A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911111125.0

申请日：2019-11-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  丁东 ,  李正平 ,  鲁贵林 ,  王暾 ,  程振东

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新结构n型晶硅PERT双面电池及其制备方法，涉及硅太阳电池领域，n型晶硅衬底的前表面依次形成p+发射极层、氢化氮化硅减反射层和Ag/Al电极，所述p+发射极层的局部形成有p++选择性发射极区域，在所述n型晶硅衬底的后表面依次形成氧化硅层、p掺杂多晶硅层、氢化氮化硅钝化层和Ag电极。本发明采取了在常规扩散的硼硅玻璃表面进行激光掺杂以降低金属接触区域的载流子复合，不需要低压扩散等设备做高方阻；用硝酸化学氧化这一简洁、易控、极低成本的方式制备性能良好的超薄氧化硅层；经过合适的边绝缘和高温退火后，电池前后侧结构的特性能同时得到提高，不会相互干扰，而且后续提升空间很大，具有重要意义。