公开(公告)号：CN1779960A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510118098.1

申请日：2005-10-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  梅本光雄

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/10 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941

Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在半导体衬底(10)的表面上介由第一绝缘膜(11)形成第一焊盘电极层(12)。然后，在它们的上层形成具有将第一焊盘电极层(12)局部露出的第一通孔(101)的第二绝缘膜(13)。然后，在第一通孔(101)内形成塞(14)，在第二绝缘膜(13)上形成与该塞(14)连接的第二焊盘电极层(15)。然后，形成与第二通孔(102)底部的焊盘电极(12)连接的贯通电极(20)及第二配线层(21)。再形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10)。

公开(公告)号：CN1512553A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310115678.6

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。

公开(公告)号：CN1369915A

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN02103206.8

申请日：2002-01-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 谷口敏光 ,  森真也 ,  石部真三 ,  铃木彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明的课题是减少微细晶体管与高耐压晶体管的线宽离散性。在以P型的半导体衬底1上的台阶差部为边界形成了P型阱2和N型阱3的结构中,其特征在于:在台阶差的低的部分处形成的上述P型阱2上形成了具有第1线宽的第1晶体管(微细晶体管),在台阶差的高的部分处形成的上述N型阱3上形成了具有比第1晶体管的线宽粗的第2线宽的第2晶体管(高耐压晶体管)。

公开(公告)号：CN101075554B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710104155.X

申请日：2007-05-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  关克行 ,  龟山工次郎 ,  及川贵弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，特别是利用博世工艺形成有通路孔的半导体装置的制造方法，其目的是实现在通路孔内形成均匀的膜。以掩模层(2)作为掩模，利用博世工艺从半导体基板(1)的一面向另一面进行蚀刻，形成贯通该半导体基板(1)的所规定区域的通路孔(3)。接着，除去掩模层(2)。然后，利用干蚀法除去粗糙形状(4)，使通路孔(3)的内壁面平坦。接着，在通路孔(3)内使绝缘膜或阻挡层等形成均匀的膜。

公开(公告)号：CN101604632A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910140668.5

申请日：2009-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  铃木彰 ,  小田岛庆汰 ,  冈田喜久雄 ,  龟山工次郎

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系等蚀刻剂对该台沟的侧壁进行湿蚀刻，由此在台沟的上部形成由突出于台沟的第1绝缘膜所构成的檐部。且利用涂布法或印刷法将绝缘膜形成于台沟内、以及以台沟为中心以形成为比檐部区域还宽广的方式将绝缘膜形成于第1绝缘膜上，而该檐部成为阻止因之后的热处理而流动性变高的绝缘膜流往台沟的底部的障壁。故能以足够厚度的绝缘膜被覆位于PN接合部PNJC处的台沟侧壁，而达耐压的确保及漏电流的降低等目的。

公开(公告)号：CN101499421A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910001345.8

申请日：2009-01-07

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  关克行 ,  小田岛庆汰

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0661

Abstract: 在台型半导体装置及其制造方法中，提升耐电压并降低漏电流。于半导体基板(1)的表面形成N－型半导体层(2)，于N－型半导体层(2)的上层形成P型半导体层(3)。接着，从P型半导体层(3)的表面蚀刻PN接合部JC、N－型半导体层(2)、达至半导体基板(1)的厚度方向的中途，而形成越接近半导体基板(1)其宽度越大的台沟(8)。接着，由湿蚀刻去除因前述蚀刻所产生的台沟(8)内壁的损伤层，且在接近P型半导体层(3)的表面的区域中以越接近P型半导体层(3)的表面其宽度越大的方式来加工台沟(8)。之后，切割由半导体基板(1)以及层叠于半导体基板(1)的各层所构成的层叠体。

公开(公告)号：CN100524725C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610004202.9

申请日：2006-01-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 金森宽 ,  大塚茂树 ,  森田佑一 ,  铃木彰

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，抑止半导体装置的腐蚀。本发明的半导体装置的制造方法具有如下工序，相对隔着第一绝缘膜(2)形成于半导体衬底(1)上的第一配线3，从上述半导体衬底背面蚀刻该半导体衬底(1)，形成使上述绝缘膜(2)露出的第一开口部(7)。其次，在对从上述第一开口(7)露出的上述绝缘膜(2)进行蚀刻而形成使上述第一配线(3)露出的第二开口(8)后，对上述半导体衬底(1)进行蚀刻，形成具有比上述第一开口(7)的开口直径宽的开口直径的第三开口(9)。然后，在介由上述第二及第三开口(8、9)在包含上述第一配线(3)的半导体衬底背面形成第二绝缘膜(10)后，对包覆上述第一配线(3)的第二绝缘膜(10)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101471258A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810183347.9

申请日：2008-12-02

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  关克行 ,  小田岛庆汰

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L29/6609

Abstract: 在台型半导体装置及其制造方法中，谋求提升良率及生产性。于半导体基板(10)的表面形成N－型半导体层(11)，于该N－型半导体层(11)的上层形成P型半导体层(12)。于P型半导体层(12)上复形成与P型半导体层(12)连接的阳极电极(14)，以包围阳极电极(14)的方式，从P型半导体层(12)的表面形成比N－型半导体层(11)还深的台沟(16)。之后，形成从台沟(16)内延伸至台沟(16)外侧的P型半导体层(12)上的第二绝缘膜(17)。第二绝缘膜(17)是由聚酰亚胺系的树脂等有机绝缘物所构成。之后，沿着划痕(DL1)切割由半导体基板(10)以及层叠于半导体基板(10)的各层所构成的层叠体。

公开(公告)号：CN101465382A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810183342.6

申请日：2008-12-02

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  关克行 ,  小田岛庆汰

IPC: H01L29/861 ,  H01L23/00 ,  H01L21/329 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题为，在台型半导体装置及其制造方法中，既压低制造成本，且防止台型半导体装置的污染及物理性损害。于半导体基板(10)的表面形成N－型半导体层(11)，于该N－型半导体层(11)的上层形成P型半导体层(12)。于P型半导体层(12)上再形成与P型半导体层(12)连接的阳极电极(14)，并以包围阳极电极(14)的方式，从P型半导体层(12)的表面形成比N－型半导体层(11)还深的台沟(26)。之后，形成从台沟(26)内延伸至阳极电极(14)端部上的第二绝缘膜(27)。第二绝缘膜(27)是由聚酰亚胺系的树脂等有机绝缘物所构成。之后，沿着划痕DL切割由半导体基板(10)以及层叠于半导体基板(10)的各层所构成的层叠体。

公开(公告)号：CN100429963C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200610054752.1

申请日：2006-03-10

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 龟山工次郎 ,  铃木彰 ,  冈山芳央 ,  梅本光雄

IPC: H05K1/11 ,  H01L23/482 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，谋求提高半导体装置及其制造方法的可靠性。本发明的半导体装置，其特征在于：具有通过第1绝缘层(2)在半导体基板(1)上形成的焊盘电极(3)、和以从上述半导体基板(1)的背面到达上述焊盘电极3表面的方式形成的通孔(8)，上述通孔(8)，由以接近上述焊盘电极(3)部分的开口径比接近上述半导体基板1背面部分宽的方式形成的第1开口部分(7A)，和与上述第1开口部分(7A)连接，并以接近上述焊盘电极(3)表面部分的开口径比接近上述半导体基板(1)的表面部分窄的方式在上述第1绝缘层(2)上形成的第2开口部分(7B)构成。