公开(公告)号：CN119335813A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410807870.3

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李旻映 ,  金智敏 ,  任浣熙 ,  司空峻 ,  千玟基 ,  禹昌秀 ,  辛乘旭

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/80 ,  G03F1/56

Abstract: 公开一种半导体光刻胶组合物以及使用所述半导体光刻胶组合物来形成图案的方法，所述半导体光刻胶组合物包含有机金属性化合物；含乙烯基的酸化合物；以及溶剂。

公开(公告)号：CN114647146B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]#imgabs0#。

公开(公告)号：CN105492540B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201480048288.8

申请日：2014-05-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张胜宇 ,  文炯朗 ,  禹昌秀 ,  李雨晋 ,  田桓承 ,  韩东一

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/08 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G77/08 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/20 ,  C08K5/56 ,  C08L83/00 ,  C08L83/06 ,  H01L51/5256

Abstract: 本发明涉及一种用于密封有机发光二极管的组合物，包含：(A)含有不饱和基团的有机聚硅氧烷；(B)含有化学式1的不饱和基团和环氧基的有机聚硅氧烷；(C)含有Si‑H基团的有机硅酮化合物；和(D)化学式15的铂催化剂，并且涉及使用其制造的有机发光二极管显示装置。

公开(公告)号：CN114647146A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111360348.8

申请日：2021-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用半导体光刻胶组合物形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包括由化学式1表示的有机锡化合物和至少一种有机酸化合物之间的缩合反应产生的缩合产物；以及溶剂，至少一种有机酸化合物选自取代的有机酸、包括至少两个酸官能团的有机酸以及取代或未取代的磺酸。所述半导体光刻胶组合物具有极好的存储稳定性和灵敏度特征。化学式1的具体细节如说明书中所定义。[化学式1]

公开(公告)号：CN110931468B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910822831.X

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  柳承旻 ,  禹昌秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。

公开(公告)号：CN113764417A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110262666.4

申请日：2021-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  金海龙 ,  金润洙 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  郑圭镐

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：导电柱，在半导体衬底上；第一支撑图案，所述第一支撑图案接触所述导电柱的侧表面的第一部分并且将所述导电柱相互连接，所述第一支撑图案包括暴露所述导电柱的侧表面的第二部分的第一支撑孔；封盖导电图案，所述封盖导电图案接触所述导电柱的侧表面的第二部分并且暴露所述第一支撑图案，所述导电柱的侧表面的第二部分不与所述第一支撑图案接触；以及电介质层，所述电介质层覆盖所述第一支撑图案和所述封盖导电图案，所述电介质层与所述导电柱间隔开。

公开(公告)号：CN110931468A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910822831.X

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  柳承旻 ,  禹昌秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。

公开(公告)号：CN112309831A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010730842.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  金海龙 ,  柳承旻 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  禹昌秀 ,  郑圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件，所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。